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首页 > 热门关键词 > 冠西光耦
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  • 特性:高速开关:释放时间为 0.1 ms,可在紧急情况下快速关闭 MOSFET 或其他负载。 节省空间:内置控制电路,无需外部电阻,有助于使基板更紧凑
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      ¥3.1592 ¥3.59
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      ¥1.6808 ¥1.91
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      ¥1.5928 ¥1.81
  • 有货
  • 由一个光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚封装。元件安装在一个引线框架上,为最高安全要求提供输入和输出之间的固定距离。
    数据手册
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      ¥3.17
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      ¥2.51
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      ¥2.22
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      ¥1.87
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      ¥1.71
    • 1000+

      ¥1.61
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  • VOS628A系列采用砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、引脚间距为50密耳的迷你扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.59
    • 10+

      ¥2.86
    • 30+

      ¥2.49
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      ¥2.13
    • 500+

      ¥1.91
    • 1000+

      ¥1.8
  • 有货
  • 二极管导通电流:50mA(MAX),漏电流:100uA(MAX),主要应用:家电、智能家居、智能开关、传感设备、医疗设备等
    数据手册
    • 1+

      ¥3.74
    • 10+

      ¥3.06
    • 50+

      ¥2.54
    • 100+

      ¥2.17
    • 500+

      ¥2.01
    • 1000+

      ¥1.91
  • 有货
  • 由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度,有反相器输出。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.78
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      ¥2.63
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  • 有货
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      ¥2.12
    • 990+

      ¥2
  • 有货
  • 电流传输比 (CTR):在IF = 5mA、VCE = 5V时最小值为50% 高输入-输出隔离电压,Viso = 3,750Vrms 采用双传输模塑技术 安全认证:UL1577、VDE DIN EN60747-5-5、VDE 0884-5、CSA CA5A、FIMKO RoHS合规:器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令(2002/95/EC、2011/65/EU和2015/863) ESD通过HBM 8000V/MM 2000V MSL 1级 无卤。
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      ¥3.95
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      ¥2.14
  • 有货
  • SFH620A(DIP)和 SFH6206(SMD)具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    数据手册
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      ¥4.05
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      ¥2.86
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      ¥2.11
  • 有货
  • AT214 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于:通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。
    • 1+

      ¥4.0848 ¥4.44
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      ¥3.3488 ¥3.64
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      ¥2.9808 ¥3.24
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      ¥2.6128 ¥2.84
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      ¥2.4012 ¥2.61
    • 1000+

      ¥2.2816 ¥2.48
  • 有货
  • 由光电达林顿管与砷化镓红外发射二极管光耦合组成,采用4引脚或16引脚迷你扁平封装。元件在输入和输出之间提供固定距离,以满足最高安全要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.19
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      ¥2.4
    • 1000+

      ¥2.29
  • 有货
  • 特性:长寿命(机械和电气寿命无限制)。 无弹跳开关。 更高的速度和高频开关。 更高的灵敏度(更低的功耗)。 抗电磁干扰或射频干扰。 无电弧、无弹跳和无噪音。应用:电信/数据通信交换。 多路复用器
    • 1+

      ¥4.48
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  • 有货
  • 二极管导通电流:50mA(MAX),漏电流:100uA(MAX),主要应用:家电、智能家居、智能开关、传感设备、医疗设备等
    数据手册
    • 1+

      ¥4.69
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    • 1000+

      ¥2.36
  • 有货
  • OR - 3120/OR - 3150由一个LED和一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级较宽的工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压
    数据手册
    • 1+

      ¥4.77
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  • 有货
  • 二极管导通电流:50mA(MAX),漏电流:100uA(MAX),主要应用:家电、智能家居、智能开关、传感设备、医疗设备等
    数据手册
    • 1+

      ¥4.84
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      ¥3.89
    • 30+

      ¥3.41
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      ¥2.58
  • 有货
  • 是由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。采用标准 SOIC-8 小外形封装,适用于空间有限的高密度应用。这种封装不仅无需通孔,还符合表面贴装器件的标准。指定的最小和最大电流传输比(CTR)允许相邻电路的电气设计具有较窄的容差。70V 的高集电极-发射极击穿电压(BVCEO)比 30V 的行业标准提供了更高的安全裕度。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.04
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      ¥4.11
    • 30+

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    • 500+

      ¥2.55
    • 1000+

      ¥2.41
  • 有货
  • 由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成,采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反并联,因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级,具备拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽,保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑缓冲输出,也有反相器输出版本。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.21
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      ¥4.23
    • 30+

      ¥3.74
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      ¥3.26
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      ¥2.63
    • 1000+

      ¥2.48
  • 有货
  • 触点形式:1 Form A(SPST-NO)
    • 1+

      ¥5.48
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      ¥4.4
    • 30+

      ¥3.86
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      ¥3.33
    • 500+

      ¥3.01
    • 1000+

      ¥2.84
  • 有货
  • ISOM8600 是一款具有光耦仿真器输入的 80V 单极常开开关。光耦仿真器输入可控制背对背 MOSFET,在次级侧无需使用任何电源。该器件是许多传统光耦合器的引脚兼容、可直接替换器件,无需重新设计 PCB 即可增强业界通用封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.65
    • 10+

      ¥4.89
    • 30+

      ¥4.35
    • 100+

      ¥3.9
    • 500+

      ¥3.76
    • 1000+

      ¥3.68
  • 有货
  • 高速光耦合器包含 GaAsP 发光二极管和内置施密特触发器的光电探测器,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化,通过减少开关死区时间提高逆变器效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.95
    • 10+

      ¥4.88
    • 30+

      ¥4.35
    • 100+

      ¥3.82
    • 500+

      ¥2.92
    • 1000+

      ¥2.75
  • 有货
  • 光继电器基本功能是接收来自微处理器的低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来实现其开关功能,不会产生机械磨损,可提供一致可靠的开关。
    • 1+

      ¥6.29
    • 10+

      ¥5.08
    • 30+

      ¥4.48
    • 100+

      ¥3.88
    • 500+

      ¥3.44
    • 1000+

      ¥3.25
  • 有货
  • ACPL - M60L是一款光耦合门电路,它将砷化镓磷(GaAsP)发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。探测器IC的输出为集电极开路的肖特基钳位晶体管。内部屏蔽层确保在3.3V工作电压下,共模瞬态抗扰度指标达到15 kV/μs
    数据手册
    • 1+

      ¥7.09
    • 10+

      ¥5.74
    • 30+

      ¥5.07
    • 100+

      ¥4.4
    • 500+

      ¥3.53
    • 1500+

      ¥3.32
  • 有货
  • 由与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.6
    • 10+

      ¥6.25
    • 30+

      ¥5.51
    • 100+

      ¥4.67
    • 500+

      ¥4.3
    • 1000+

      ¥4.13
  • 有货
  • SOP4封装光电池 3750V隔离电压,开路电压:≥7V,短路电流:≥12uA
    • 1+

      ¥7.71
    • 10+

      ¥6.27
    • 30+

      ¥5.48
    • 100+

      ¥4.58
    • 500+

      ¥4.18
    • 1000+

      ¥4
  • 有货
  • APSEMI光电继电器是可靠的、技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。与机械继电器相比,光电继电器具有显著优势,包括长寿命、无触点抖动开关、更高的开关速度和高频性能、更高的灵敏度、抗电磁干扰(EMI)或射频干扰(RFI)、无电弧、无触点抖动和噪声、更强的抗振动和抗冲击能力、可进行交流或直流负载开关操作,以及封装尺寸小等特点
    • 1+

      ¥8.7032 ¥9.89
    • 10+

      ¥7.1984 ¥8.18
    • 30+

      ¥6.38 ¥7.25
    • 100+

      ¥5.3152 ¥6.04
    • 500+

      ¥4.9016 ¥5.57
    • 1000+

      ¥4.7168 ¥5.36
  • 有货
  • TLP241A和TLP241AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms,适用于需要加强绝缘的应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.95
    • 10+

      ¥7.44
    • 30+

      ¥6.61
    • 100+

      ¥5.67
    • 500+

      ¥4.77
    • 1500+

      ¥4.58
  • 有货
  • 特性:长寿命(机械和电气寿命无限制)。 无弹跳开关。 更高的速度和高频开关。 更高的灵敏度(更低的功耗)。 抗电磁干扰或射频干扰。 无电弧、无弹跳和无噪音。应用:电信/数据通信交换。 多路复用器
    • 1+

      ¥9.15
    • 10+

      ¥7.64
    • 30+

      ¥6.81
    • 100+

      ¥5.37
    • 500+

      ¥4.95
    • 1000+

      ¥4.76
  • 有货
  • 东芝小型扁平耦合器TLP124是一款小外形耦合器,适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压:最小80 V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.41
    • 10+

      ¥8.25
    • 30+

      ¥7.61
    • 100+

      ¥6.89
    • 500+

      ¥6.03
    • 1000+

      ¥5.89
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