夏普光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ICPL-314W-500EAXW 编号：C42432173

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流1A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，宽体

1+
￥2.862 ￥3.18
10+
￥2.268 ￥2.52
30+
￥2.007 ￥2.23
100+
￥1.683 ￥1.87
500+
￥1.548 ￥1.72
1000+
￥1.458 ￥1.62

有货

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型号：CYTLP127(TP) 编号：C2836429

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：OCIC(卓睿科)

CYTLP127是一款小型贴片的光耦产品，适用于表面贴片组装。CYTLP127由砷化镓红外发光二极管与带积分基极-发射极电阻的达林顿光电晶体管组成的高压光电耦合器，VCEO达到300V以上。

数据手册

5+
￥1.5334
50+
￥1.2207
150+
￥1.0867
500+
￥0.9195

有货

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型号：MFODM352 编号：C41383945

封装：SOP-4

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款光耦合器，采用SOP-4封装，他具有集电极−发射极电压: 300V，稳定的传输电流，快速响应时间，被广泛应用于通信、计算机、工业控制、电源管理、医疗设备、汽车电子其凑的设计和良好的性能，在各种需要电气隔离和信号传输的场合都有应用

1+
￥1.634 ￥1.72
10+
￥1.4155 ￥1.49
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￥1.3205 ￥1.39
100+
￥1.197 ￥1.26
500+
￥1.1495 ￥1.21
1000+
￥1.121 ￥1.18

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型号：MOC3082M(UMW) 编号：C2842969

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

2+
￥1.7222
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￥1.3656
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￥1.2127
200+
￥0.937
1000+
￥0.8521
2000+
￥0.8011

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型号：6N136S 编号：C20612603

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

6N136S是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个850nm的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。

5+
￥1.80842 ￥1.9036
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￥1.44932 ￥1.5256
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￥1.29542 ￥1.3636
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￥1.103425 ￥1.1615
2000+
￥1.017925 ￥1.0715
5000+
￥0.96653 ￥1.0174

有货

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型号：ACPL-217(AT) 编号：C48686290

封装：SSOP-4

品牌：AOTE(奥特)

ACPL-217(AT)是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装 ( SSOP4)。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。

5+
￥1.813872 ￥1.9716
50+
￥1.442928 ￥1.5684
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￥1.283952 ￥1.3956
500+
￥1.0856 ￥1.18
2500+
￥0.99728 ￥1.084
5000+
￥0.944196 ￥1.0263

有货

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型号：PS2501L-1-F3 编号：C51825

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

数据手册

5+
￥2.0051
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￥1.6164
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￥1.4499
500+
￥1.1772
2000+
￥1.0847

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型号：H11L1S(TA) 编号：C78589

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

由GaAs红外发光二极管和高速集成电路探测器光耦合组成。输出探测器集成施密特触发器，提供迟滞以实现抗噪和脉冲整形。采用6引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选。

数据手册

5+
￥2.0331
50+
￥1.6041
150+
￥1.4202
1000+
￥1.18286 ￥1.207
2000+
￥1.082704 ￥1.1048
5000+
￥1.02263 ￥1.0435

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型号：SFH6156-3T 编号：C118293

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料贴片封装。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

5+
￥2.3524
50+
￥1.8598
150+
￥1.6487
1000+
￥1.3853
2000+
￥1.268

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型号：FODM121CR2V 编号：C903699

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

数据手册

1+
￥2.54
10+
￥1.98
30+
￥1.74
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￥1.45
500+
￥1.32
1000+
￥1.24

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型号：IS281-4-AXW 编号：C46597927

封装：SSOP-16

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

晶体管光耦，四通道，SOP16

1+
￥2.63
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￥2.1
30+
￥1.88
100+
￥1.6
500+
￥1.47
1000+
￥1.39

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型号：HCPL-181-06BE 编号：C2927827

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

博通（Broadcom）HCPL - 181包含一个发光二极管和一个与之光耦合的光电晶体管。它采用4引脚迷你扁平表面贴装（SMD）封装，封装高度为2.0毫米。

1+
￥2.76
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￥2.24
30+
￥2.01
100+
￥1.73
500+
￥1.61
1000+
￥1.53

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型号：GAQY214DS 编号：C50087664

封装：SOP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:400V 连续负载电流:0.13A

1+
￥2.92
10+
￥2.3
30+
￥2.04
100+
￥1.71
500+
￥1.47
1000+
￥1.39

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型号：GAQY214DEH 编号：C50087666

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:400V 连续负载电流:0.13A

1+
￥3.14
10+
￥2.47
30+
￥2.18
100+
￥1.82
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

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型号：AT212-CuH-D 编号：C22384607

封装：DIP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT212光电继电器由光MOSFET、光电电压发生器和红外LED组成。实现了低导通电阻，具有良好的性价比。采用4引脚封装（DIP、SMD、DIP-M、SLM）。广泛应用于：通讯产品、 调制解调器/传感器备、移动电话/安全设备、自动化设备、测量仪器、高速检测机。

1+
￥3.3155 ￥3.49
10+
￥2.9545 ￥3.11
30+
￥2.774 ￥2.92
100+
￥2.603 ￥2.74
500+
￥2.489 ￥2.62
1000+
￥2.4415 ￥2.57

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型号：TLP187(V4-TPL,E 编号：C2987974

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP187是一款光电耦合器，由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用

数据手册

1+
￥3.35
10+
￥2.67
30+
￥2.38
100+
￥2.02
500+
￥1.58
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￥1.49

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型号：LTV-M501 编号：C2944048

封装：SOP-5-175mil

品牌：LITEON(光宝)

LTV - M501系列由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种独特的设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。为光电二极管加偏置的连接方式通过减小基极 - 集电极电容，提高了其相对于传统光电晶体管耦合器的速度

数据手册

1+
￥3.36
10+
￥2.7
30+
￥2.42
100+
￥2.07
500+
￥1.9
1000+
￥1.8

有货

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型号：APY221S 编号：C42444413

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来实现其开关功能，不会产生机械磨损，提供一致可靠的开关。

1+
￥3.54
10+
￥2.79
30+
￥2.47
100+
￥2.07
500+
￥1.81
1000+
￥1.71

有货

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型号：LTV-50LP-TA1 编号：C341101

封装：LSOP-6

品牌：LITEON(光宝)

1+
￥3.71
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￥2.95
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￥2.57
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￥2.2
500+
￥1.98
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￥1.86

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型号：ICPL-343W-500EAXW 编号：C42432178

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流5A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6,宽体

1+
￥3.717 ￥4.13
10+
￥3.006 ￥3.34
30+
￥2.655 ￥2.95
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￥2.304 ￥2.56
500+
￥2.097 ￥2.33
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￥1.989 ￥2.21

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型号：CYTLP2362(TPD2) 编号：C18213543

封装：SOP-5

品牌：OCIC(卓睿科)

CYTLP2362由一个高功率GaAlAs发光二极管和高增益、高速光电IC组成。CYTLP2362保证了在高达125°C和2.7V至5.5V供电条件下的运行，它的封装形式为SO6。CYTLP2362内置法拉第屏蔽保证共模抑制比达到±20KV/us。

1+
￥3.93
10+
￥3.2
30+
￥2.83
100+
￥2.47
500+
￥2.25
1000+
￥2.13

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型号：HCPL-M611-500E 编号：C545706

封装：SOP-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

这些小尺寸、高共模抑制比（CMR）、高速逻辑门光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。它们在电气上等同于以下安华高（Avago）光耦合器（除了没有输出使能功能）。 SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形不需要在PCB上打“通孔”。

1+
￥3.96
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￥3.16
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￥2.76
100+
￥2.3226 ￥2.37
500+
￥2.0874 ￥2.13
1500+
￥1.9698 ￥2.01

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型号：TLP183(GRL-TPL,E 编号：C192587

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

数据手册

1+
￥4.17
10+
￥3.16
30+
￥2.66
100+
￥1.7496 ￥2.16
500+
￥1.5066 ￥1.86
1000+
￥1.377 ￥1.7

有货

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型号：ILD211T 编号：C17290411

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件能够传输包含直流电平的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用

1+
￥4.39
10+
￥3.88
30+
￥3.63
100+
￥3.2352 ￥3.37
500+
￥3.0912 ￥3.22
1000+
￥3.0144 ￥3.14

有货

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型号：QX172-CuH-S 编号：C52164474

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：60V，负载电流：0.5A

1+
￥4.87
10+
￥3.92
30+
￥3.44
100+
￥2.97
500+
￥2.73
1000+
￥2.59

有货

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型号：TLP387(D4-TPR,E 编号：C5370575

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP387是一款光电耦合器，由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6L（4引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP387适用于可编程控制器的100VDC输出模块等应用

数据手册

1+
￥5.03
10+
￥4.01
30+
￥3.5
100+
￥3
500+
￥2.7
1000+
￥2.54

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型号：BCW214A 编号：C5348925

封装：SMD-8P

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

数据手册

1+
￥5.111 ￥5.38
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￥4.579 ￥4.82
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￥4.2845 ￥4.51
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￥3.9615 ￥4.17
500+
￥3.8095 ￥4.01
1000+
￥3.743 ￥3.94

有货

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型号：ILD205T 编号：C145456

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是光耦合对，由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成。该器件能够传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。 ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用

数据手册