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东芝TLP172AM由一个红外LED和一个光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SO6封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通断控制。

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型号：MOC3063SR2M 编号：C13411

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：TLP5754(D4-TP,E 编号：C843785

封装：SO-6L-300mil

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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型号：6N137-500E 编号：C691907

封装：SOIC-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：HCPL0600R2 编号：C500389

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制。

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型号：ILD205T 编号：C145456

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是光耦合对，由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成。该器件能够传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。 ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用

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型号：6N137-560E 编号：C691908

封装：SMD-8P

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽保证了在Vcm = 1000V时高达15,000V/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40℃至 + 85℃范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

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型号：ACPL-M50L-500E 编号：C54677

封装：SOP-5-175mil

单通道（SO-5封装）、双通道（SO-8封装）、单通道（拉伸SO-6封装）和双通道（拉伸SO-8封装）是低功耗、低输入电流、1MBd的数字光耦合器。这种数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在温度范围为-40至105°C，VCM = 1500V时，最小共模瞬态抗扰度为15kV/μs

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型号：TP3120 编号：C47326391

封装：DIP-8

品牌：拓朴微

集成电路

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型号：APY215G1S 编号：C42444463

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光继电器是可靠且技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：LTV-244 编号：C125640

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = ±1mA、VCE = 5V时，最小为20%。高输入输出隔离电压：(viso = 3,750Vms)。采用双传输模塑技术。 UL1577、VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5)、CSA CA5A、FIMKO认证。 RoHS合规：器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令（No.2002/95/EC）。 ESD通过HBM 6000V/MM2000V。应用：要求高密度安装的混合基板。可编程控制器

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型号：APY252G3HS 编号：C42444481

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来完成其开关功能，不会产生机械磨损，提供一致可靠的开关。

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型号：HCPL-M601-500E 编号：C45920

封装：SOP-5

这些小型高速逻辑门光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装轮廓不需要在PCB上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。光耦合门结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光子探测器，探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-M601提供了5000V/μs的共模瞬态抗扰度保证，为HCPL-M611提供了10000V/μs的共模瞬态抗扰度保证

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型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm

是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP2161(TP,F) 编号：C516860

封装：SO-8

TLP2161由一个高输出红外LED与一个高速光电二极管 - 晶体管芯片耦合而成。它采用SO8封装。单个SO8封装内集成了两个电路，可减小安装面积

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型号：AT252A-CuH-S 编号：C42371491

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

AT252A光继电器由光电MOSFET和光电压发生器组成，它们通过红外LED光学耦合。AT252A实现了低导通电阻。广泛应用于：工业机械和设备、防盗，防灾市场、空调控制、娱乐市场。

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型号：BCY211S 编号：C5348920

封装：SOP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：2mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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型号：QX3H74-CuH-S 编号：C43517247

封装：SSOP-16

是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。十六引脚封装（SSOP16）。

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型号：QX3H44-CuH-S 编号：C51026080

封装：SSOP-16

SSOP16封装四通道晶体管光耦，3750V隔离电压，50-300%电流传输比

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型号：QX173-CuH-SH 编号：C52164476

封装：SOP-4

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：100V，负载电流：1.25A 工作温度：-40℃~125℃

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型号：GAQW211G2S 编号：C19188592

封装：SOP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：CPC1035NTR 编号：C2653895

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1035N 是一款微型常开单极（1-Form-A）固态继电器，采用 4 引脚 SOP 封装，采用光耦合 MOSFET 技术，可提供 1500Vrms 的输入输出隔离。高效的 MOSFET 开关和光伏管芯采用了 IXYS 集成电路事业部的专利 OptoMOS 架构，而光耦合输出则由高效红外 LED 控制。IXYS 集成电路事业部先进的双模垂直结构封装使 CPC1035N 成为最小的继电器之一

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型号：HCPL-2531-000E 编号：C692026

封装：DIP-8

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装可供选择。

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型号：HCPL2631M 编号：C899527

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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型号：LT236 编号：C2691606

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Letex(丽太)

LT236 是一款采用 4 引脚 SOP 封装的微型 1-Form A 固态继电器，它采用光耦合 MOSFET 技术，可实现 1500V 的输入 - 输出隔离。光耦合输入由高效的 GaAlAs 红外 LED 控制，输出端采用 MOSFET。

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型号：QX212A-CuH-S 编号：C52164504

封装：SMD-4P