GEL光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ACPL-W61L-500E 编号：C691976

封装：SO-6

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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￥4.1356 ￥4.22

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型号：GAQW215G1S 编号：C50087665

封装：SOP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

2Form A(SPST-NO)负载电压:100V 连续负载电流:1.1A

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型号：APW211G2S 编号：C42444444

封装：SOP-8

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：HCPL-3150-500E 编号：C2926379

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

由一个与带功率输出级的集成电路光耦合的LED组成。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。

数据手册

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型号：CPC1117NTR 编号：C150424

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1117N是一款采用4引脚SOP封装的微型常闭单极（1-Form-B）固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，可提供1500Vrms的输入/输出隔离。高效的MOSFET开关和光伏管芯采用了IXYS集成电路事业部获得专利的光MOS架构。光耦合输出由输入的高效红外LED控制

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型号：HCPL-2601-000E 编号：C185846

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

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型号：CPC1019NTR 编号：C1854946

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1019N是一款微型、低压、低导通电阻、单刀常开（1-Form-A）固态继电器，采用小型4引脚SOP封装。CPC1019N采用OptoMOS技术，包含一个高效红外LED，该LED与高效MOSFET输出开关进行光耦合，可提供1500Vrms的输入输出隔离。双模垂直结构封装打造出一款非常紧凑的固态继电器，非常适合替代体积更大、可靠性较低的簧片继电器和机电继电器。

数据手册

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型号：HCPL-4503-500E 编号：C17455215

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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￥5.8702 ￥5.99

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型号：GAQV252G3E 编号：C7435176

封装：DIP-6

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥14.13
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￥7.63

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型号：HCNW4506-500E 编号：C692005

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

包含GaAsP LED或AlGaAs LED，LED与集成高增益光电探测器光耦合。器件间传播延迟差异最小化，可通过减少开关死区时间提高逆变器效率。片上20kΩ输出上拉电阻可通过短接输出引脚6和7启用，在常见IPM应用中无需外部上拉电阻。

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￥10.83
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￥9.53

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型号：HCPL-063N-500E 编号：C692013

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合门提供了行业标准6N37系列的所有优点，同时具有与HCMOS兼容的输入电流。这允许直接连接到所有常见的电路拓扑，而无需额外的LED缓冲器或驱动组件。使用的AlGaAs LED允许更低的驱动电流，并通过使用最新的LED技术减少老化。在单通道部件上，使能输出允许对检测器进行选通。检测器IC的输出是一个集电极开路的肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-261A系列提供了最小1000V/μs的共模瞬态抗扰度，为HCPL-261N系列提供了15000V/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥8.721 ￥9.69
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￥7.893 ￥8.77

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型号：QX2222-CuH-S 编号：C52164491

封装：SMD-8P

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SMD8封装双通道光继电器 5000V隔离电压，负载电压60V, 负载电流：2A

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型号：ACPL-K44T-500E 编号：C17484283

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器，采用八引脚微型封装，专为汽车应用设计。双通道版本与单通道产品等效，均采用拉伸SO-8封装，与标准表面贴装工艺兼容。该数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。R2CouplerTM产品提供加强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，这在汽车和高温工业应用中至关重要。

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￥10.39

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型号：CNY651AGRST 编号：C17702723

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

CNY651系列是高隔离电压的通孔（TH）和贴片（SMD）版本光耦合器，由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，在输入和输出之间提供大于3 mm的间距，以满足最高安全要求。

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￥14.25
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￥11.72

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型号：APV278AEH 编号：C42444452

封装：SMD-5P

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMl光电继电器是最可靠、技术最先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。虽然这一功能是所有继电器共有的，但光电继电器相对于机械继电器具有显著优势，包括： - 长寿命（机械和电气寿命无限制） - 无触点弹跳开关 - 更高的速度和高频开关能力 - 更高的灵敏度（更低的功耗） - 抗电磁干扰（EMI）或射频干扰（RFI） - 无电弧、无触点弹跳和无噪声 - 更耐振动和冲击 - 可进行交流或直流负载开关操作 - 封装尺寸小

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￥20.05
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￥17.16
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￥15.44
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￥12.57
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￥12.21

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型号：HCNW2211-500E 编号：C692001

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合逻辑门。内置GaAsP LED或AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。HCPL-2211/12、HCPL0211、HCPL-2232和HCNW2211上的高级内部屏蔽可保证在1000V共模电压下具有10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

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￥20.53
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￥17.43
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￥15.58
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￥13.4456 ￥13.72
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￥12.6028 ￥12.86
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￥12.2206 ￥12.47

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型号：ASSR-4110-503E 编号：C6127264

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥21.02
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￥17.88
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￥16.02
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￥14.14
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￥13.27

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型号：AQY221R2VY 编号：C2936861

封装：SSOP-4

品牌：PANASONIC(松下)

特性：采用新型扁平负载端子形状的微型封装（SSOP）。兼具低导通电阻（R型）和低电容（C型）特性，C×R10特性出色。应用：测量和测试设备：半导体测试设备、探针卡、数据记录器、电路板测试仪等测试设备。电信和广播设备

数据手册

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￥21.54
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￥18.94
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￥17.39
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￥16.1
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￥15.24
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￥14.84

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型号：AQV258 编号：C1558745

封装：DIP-6

品牌：PANASONIC(松下)

特性：负载电压有40V、60V、100V、200V、250V、400V、600V、1000V和1500V多种选择。典型导通电阻为0.6Ω。具备5000Vrms的增强绝缘型输入输出隔离。应用：测量仪器。数据通信设备

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￥27.4
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￥24.61
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￥22.95
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￥21.57

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型号：ACSL-7210-56RE 编号：C6733685

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

是一款双通道双向25-MBd数字光耦合器，采用CMOS IC技术和专利封装技术，在<2mm薄型窄体SOIC-8封装中实现3750Vrms的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化，如现场总线（PROFIBUS）和串行外设接口（SPI）应用。每个通道的主要组成部分是由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40ns的快速传播延迟和最大10ns的短脉冲宽度失真