GEL光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ICPL-480W-500EAXW 编号：C42432179

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IPM接口驱动光耦，隔离电压(rms): 5KV,共模瞬变抗扰度CMTI: 20kV/Us, 宽体

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型号：TLP290-4(GB-TP,E 编号：C39031

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4可在较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C内正常工作，因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

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型号：LTV6341WTA1-V 编号：C48982450

封装：SOP-6

品牌：LITEON(光宝)

适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 以及电源系统中的逆变器。包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs LED。光耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +125℃ 的温度范围内有保证。

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型号：HCPL-3150-560E(UMW) 编号：C53109735

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：HCPL-3140-500E(UMW) 编号：C53109732

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：TLP350H(UMW) 编号：C53109747

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：TLP291-4(V4GBTPE 编号：C2848503

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291 - 4光电耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于其在较宽的工作温度范围（-55至110°C）内性能有保障，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：CI-063L-500E 编号：C42391828

封装：SOIC-8

品牌：Tokmas(托克马斯)

10MBd,20mA低输入电流,3.3V/5V数字光电耦合器

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型号：TCLT1600 编号：C553998

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管与两个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用SOP 4引脚宽体封装

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型号：TLP2745(D4-TP,E 编号：C5125644

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用最大厚度为2.3mm的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA和低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs，有缓冲输出。

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型号：TLP2361(V4-TPL,E 编号：C123773

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

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型号：TAQY212S 编号：C49254537

封装：SOP-4

品牌：拓朴微

由光 MOSFET、光电电压发生器和红外 LED 组成。实现了低导通电阻，具有良好的性价比。

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型号：TLP560G(F) 编号：C2848505

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅和一个红外发光二极管组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

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型号：GAQY212E 编号：C19271985

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)

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型号：H11L1SM 编号：C899473

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：TLP2348(TPL,E 编号：C2974572

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流 (I₍CCl₎) 和 1.6mA 低阈值输入电流 (I₍FHL₎)，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证 ±30kV/μs 的共模瞬态抗扰度，具有反相器输出。

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型号：TLP387(D4-TPR,E 编号：C5370575

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP387是一款光电耦合器，由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6L（4引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP387适用于可编程控制器的100VDC输出模块等应用

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型号：AT224-CuH-S 编号：C42371487

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

AT224 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：OPY252S 编号：C52097784

封装：SOP-4

品牌：ARK(方舟微)

SSR RELAY SPST-NO 2500MA 60V

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型号：QX172-CuH-SF 编号：C52164475

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：60V，负载电流：0.5A ,开启时间：0.5ms 关断时间：0.3ms

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型号：TLP352(TP1,F) 编号：C99497

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP352 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。TLP352 内部有一个法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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型号：TLP351H(TP1,F) 编号：C695254

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP351H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125°C 的温度下保证性能和规格。TLP351H 内置法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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型号：TLP701(TP,F) 编号：C5006

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

贴片6脚封装

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型号：APY237S 编号：C42444479

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光电继电器是最可靠、技术最先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的小电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。虽然这一功能是所有继电器共有的，但光电继电器相对于机械继电器具有显著优势，包括： - 长寿命（机械和电气寿命无限制） - 无弹跳开关 - 更高的速度和高频开关能力 - 更高的灵敏度（更低的功耗） - 抗电磁干扰（EMI）或射频干扰（RFI） - 无电弧、弹跳和噪声 - 更耐振动和冲击 - 可进行交流或直流负载开关切换 - 封装尺寸小