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高速四通道数字隔离器

型号：NCID9411 编号：C2902261

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

是一种具有输出使能功能的电隔离高速四通道数字隔离器。该设备支持隔离通信，从而允许数字信号在系统之间进行通信，而不会传导接地环路或危险电压。它采用了专利的电隔离片外电容隔离技术和优化的IC设计，以实现高绝缘性和高抗噪性，具有高共模抑制和电源抑制规格。厚陶瓷基板产生的电容器的厚度是薄膜片上电容器和无芯变压器的约25倍。结果是数字隔离器提供的电气性能优势与类似于光耦合器历史上提供的>0.5mm绝缘屏障的安全可靠性相结合。该设备采用16引脚宽体小外形封装。

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单价：
￥24.3012 / 个

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USB电力传输3.0自适应电源充电控制器

型号：FUSB3307D6VMNWTWG 编号：C2902209

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

FUSB3307是一款高度集成的USB Power Delivery (PD)电源控制器，可控制AC-DC适配器二次侧的DC-DC端口电源调节器或光耦。它实现了USB Power Delivery 3.0 (PD 3.0)和Type-C的源有限状态机，包括可编程电源(PPS)。为了满足PPS规范，FUSB3307支持最小3.3V和最大21V输出电压控制。它包括恒压(CV)和恒流限值(CL)控制模块。参考值由内部D/A转换器支持。FUSB3307支持各种保护，包括欠压保护(UVP)，过压保护(OVP)，过流保护(OCP)，CC1和CC2过压保护(CC_OVP)，VCONN过流保护(VCONN_OCP)以及内部和外部过温保护(I_OTP和E_OTP)。通过10位A/D转换器，可以监测输出电压、输出电流、IC内部温度以及通过NTC电阻器的外部温度。FUSB3307能够控制单个或背靠背的N沟道MOSFET作为负载开关，从而实现更低的成本和更简单的设计。

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1+
￥7.85
10+
￥7.65
30+
￥7.52
100+
￥7.39

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2.2V~18V 并联 90uA

型号：CAT102TDI-GT3 编号：C233647

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT102是一款低压基准源和放大器。它专为低压电源的控制环路而设计，参考电压设定为600 mV。在-40°C至85°C的温度范围内，参考电压与标称的600 mV相差在8 mV以内。此外，误差放大器输出和电源电压引脚（IN）是分开的。在300 kHz时，电源抑制比高达45 dB。输出端（OUT）在最大饱和电压为250 mV时可吸收20 mA电流。与光耦合器结合使用时，CAT102可用作误差放大器，用于控制隔离式低输出电压开关电源中的反馈环路。

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1+
￥11.58
10+
￥9.87
30+
￥8.93
100+
￥7.87
500+
￥7.4
1000+
￥7.18

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700V 8.5V~10V

型号：NCP1012AP100G 编号：C154582

封装：PDIP-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP101X系列集成了一个固定频率电流模式控制器和一个700 V MOSFET。该系列采用PDIP - 7或SOT - 223封装，具备构建坚固且低成本电源所需的一切功能，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳周期、最大峰值电流设定点和动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片解决方案不同，NCP101X本质上运行安静：在标称负载运行期间，该器件以可选频率（65 - 100 - 130 kHz）之一进行开关操作。当电流设定点降至给定值以下，例如输出功率需求降低时，IC会自动进入所谓的跳周期模式，在轻载时提供出色的效率。由于这种情况通常发生在最大峰值的1/4处，因此不会产生声学噪声。因此，待机功耗可降至最低且不会产生声学噪声。当反馈信号消失时，例如在真正的短路情况或光耦合器损坏的情况下，会进行短路检测。通过简单地将反馈引脚拉低或通过廉价的SCR将其锁存到地，可轻松实现外部禁用，以实现完全锁存关断。最后，软启动和频率抖动进一步减轻了设计人员快速开发低成本、坚固的离线电源的任务。为提高待机性能，连接辅助绕组可停止动态自供电（DSS）操作，并有助于在高输入电压下将功耗降至100 mW以下。在此模式下，内置的锁存过压保护可防止在光耦合器损坏时出现致命的电压失控。这些器件提供经济实惠的8引脚双列直插式和4引脚SOT - 223封装。NCP101X以单片结构提供了完整的电流模式控制解决方案（实际上是增强型NCP1200控制器部分）以及高压功率MOSFET。该组件集成了构建坚固、低成本且待机功耗低的开关模式电源（SMPS）所需的一切功能。第2页的快速选型表详细列出了不同型号之间的差异，主要是峰值电流设定点和工作频率。无需辅助绕组：安森美半导体的超高电压集成电路技术使您可以直接从高压直流母线为IC供电。我们称之为动态自供电（DSS）。这种解决方案简化了变压器设计并确保

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1+
￥17.42
10+
￥14.86
30+
￥13.26
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￥11.61
500+
￥10.87
1000+
￥10.55

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NCP1251FSN65T1G

型号：NCP1251FSN65T1G 编号：C905244

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP1251 是一款高度集成的 PWM 控制器，能够在极小型 TSOP-6 封装内提供耐用的高性能离线电源。该控制器供电范围高达 28 V，具有带抖动的 65 kHz 或 100 kHz 开关电路，在峰值电流模式控制下运行。当辅助侧功率开始降低时，该控制器将其开关频率自动折回至最低 26 kHz 的水平。当功率进一步下降时，该零部件进入跳过周期，同时对峰值电流进行限制。过功率保护 (OPP) 是一种非常困难的措施，尤其当无负载待机要求驱动转换器规格时更是如此。安森美半导体的专属集成 OPP 让您仅通过两个外部电阻即可充分利用提供的最高功率，而不会影响待机性能。在同一个引脚上组合了锁存的过电压保护 (OVP)。为了简化实施，自动恢复 OVP 还会监控 Vcc 线路。这些特性在光耦合器发生故障或逆开关运行时提供有效的保护。最后，基于计时器的短路保护提供了最佳保护方案，让您能够精确选择保护跳闸点，而不用考虑辅助绕组和电源绕组之间的松散耦合。

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1+
￥1.0094
200+
￥0.3907
500+
￥0.3769
1000+
￥0.3702

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2.5V~36V

型号：NCP4353ASNT1G 编号：C892460

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP4353 和 NCP4354 是辅助侧 SMPS 控制器，用于需要极低无负载功耗的应用。此器件能够检测无负载条件，并让电源进入低功耗关闭模式。在关闭模式下，关闭初级侧控制器，能量由输出电容提供，因此消除了保持调节所需的功耗。在关闭模式下，输出电压松弛，可降至可调电平。需要更多能量时，NCP4353 或 NCP4354 会自动重新启动初级侧控制器。在正常供电中，这些器件提供集成式电压反馈调节，无需分路稳压器。除电压调节外，A 版本还包含一个电流调节回路。一个光耦合器即可提供反馈控制和 ONOFF 信号。NCP4354 包括一个使用 1 kHz 方形波驱动的开路 MOSFET 实施的 LED 驱动器引脚，以 12.5% 占空比运行，以用于指示。NCP4354 采用 SOIC-8 封装，NCP4353 采用 TSOP-6 封装。

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1+
￥1.7045
200+
￥0.6597
500+
￥0.6365
1000+
￥0.625

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6.6V~28V

型号：NCP1366EABAYDR2G 编号：C904445

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1366 提供了一个新型方案，目的是在通用电源反激式应用中实现从几瓦到 20 W 的输出功率水平。由于采用新方法，该新型控制器不再需要用于恒定电流调节的辅助反馈电路，同时使用传统的光耦合器和 TL431 电压参考实现了出色的线路和负载调节。NCP1366 在高负载时以谷锁闭准谐振峰值电流控制模式运行，以提供高能效。当辅助侧功率开始消失时，该控制器将自动调节占空比，然后在更低负载下，该控制器通过谷开关检测，以固定峰值电流进入脉冲频率调制。这种技术允许在微小的虚拟负载下保持输出调节。前 4 个谷中的谷锁闭可防止谷跳跃运行，然后在更低负载下的谷开关可提供高能效。

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1+
￥2.7553
200+
￥1.0663
500+
￥1.0288
1000+
￥1.0103

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3.5V~36V

型号：NCP4355CDR2G 编号：C904507

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP4355 是一款辅助侧 SMPS 控制器，用于需要极低无负载功耗的应用。此器件能够检测无负载条件，并让电源进入低功耗关闭模式。在关闭模式下，初级侧控制器关闭，能量由输出电容提供，因而无需耗费电力来保持调节。在关闭模式下，输出电压松弛，可降至可调电平。需要更多能量时，NCP4355 通过流经 ONOFF 光耦合器的 ONOFF 电流自动重新启动初级侧控制器。NCP4355 用有效导通信号控制主控制器，即只在打开模式下驱动光耦合器电流，从而最大限度地降低关闭模式时的功耗。

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单价：
￥1.98708 / 个

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6.5V~28V

型号：NCP1365BABCYDR2G 编号：C904444

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1365 提供了一个新型方案，通用电源反激应用中比 20 W 略高几瓦的输出功率等级。由于采用一种新方法，此新控制器不再需要辅助反馈电路（通常为光耦合器和 TL431 参比），同时可以实现卓越的线路和负载调节。NCP1365 在高负载时以谷锁闭准谐振峰值电流控制模式运行，以提供高能效。当辅助侧功率开始消失时，该控制器将自动调节占空比，然后在更低负载下，该控制器通过谷开关勘测，以固定峰值电流进入脉冲频率调制。这种技术允许在微小的虚拟负载下保持输出调节。前 4 个谷中的谷锁闭可防止谷跳跃运行，然后在更低负载下的固开关可提供高能效。

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单价：
￥2.77332 / 个

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6.5V~28V

型号：NCP1365ACBAXDR2G 编号：C904443

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1365 提供了一个新型方案，通用电源反激应用中比 20 W 略高几瓦的输出功率等级。由于采用一种新方法，此新控制器不再需要辅助反馈电路（通常为光耦合器和 TL431 参比），同时可以实现卓越的线路和负载调节。NCP1365 在高负载时以谷锁闭准谐振峰值电流控制模式运行，以提供高能效。当辅助侧功率开始消失时，该控制器将自动调节占空比，然后在更低负载下，该控制器通过谷开关勘测，以固定峰值电流进入脉冲频率调制。这种技术允许在微小的虚拟负载下保持输出调节。前 4 个谷中的谷锁闭可防止谷跳跃运行，然后在更低负载下的固开关可提供高能效。

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单价：
￥2.77332 / 个

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12V~600V

型号：NCP1399ANDR2G 编号：C603579

封装：SOIC-16-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCP1399 是一款用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。此控制器实施了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。内置的欠电压输入功能简化了该控制器在所有应用中的实施。在需要 PFC 前级的应用中，NCP1399 具有一个专门的输出来驱动 PFC 控制器。此功能结合专门的跳过模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399 提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、放置硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动停滞时间调节、过电压 (OVP) 和高温 (OTP) 保护。

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单价：
￥6.73032 / 个

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9.5V~20V

型号：NCV1397BDR2G 编号：C904582

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1397 是一款高性能控制器，可应用于半桥谐振拓扑结构，如串联谐振、并联谐振和 LLC 谐振转换器。它集成了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。NCP1397 具有独特的结构，包括一个其控制模式可在需要 OR 运算的情况下实现灵活性的 500 kHz 电压控制振荡器，可提供构建可靠耐用的谐振模式电源所需的一切内容。NCP1397 提供了一套保护功能，带有优化任何应用的可配置设置。其中包括：自动恢复或故障锁存、欠电压、开路光耦合器、软启动和短路保护。停滞时间也可调节以克服击穿电流。 NCV1397 提供汽车认证版本 (AEC-Q100/PPAP)

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单价：
￥5.70276 / 个

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NCP13992AEDR2G

型号：NCP13992AEDR2G 编号：C904450

封装：SOIC-16-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCP13992 是一款用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。此控制器实施了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。内置的欠电压输入功能简化了该控制器在所有应用中的实施。在需要 PFC 前级的应用中，NCP13992 具有一个专门的输出来驱动 PFC 控制器。此功能结合专门的无噪声跳过模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP13992 提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、放置硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动停滞时间调节、过电压 (OVP) 和高温 (OTP) 保护。

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单价：
￥7.017 / 个

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NCP1910A100DWR2G

型号：NCP1910A100DWR2G 编号：C905260

封装：SOIC-24-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP1910 采用 SO-24WB 封装，结合了一个用于为下一代 ATX 或平板电视转换器供电的先进电路。NCP1910 具有 65 kHz 连续导通模式功率因数控制器和承载高电压驱动器的 LLC 控制器，可为 85 种以上的离线电源供电。为了满足严格的能效要求，该 PFC 电路实施了可调频率折回，以便在负载变轻时降低开关损耗。为了应对 ATX 或平板电视规范要求的信号序列，该控制器包括了若干专用引脚，可实现辅助侧和初级侧之间的握手。这些信号包括电源正常线路，还包括通过光耦合器来开关控制器的控制引脚。安全起见，有另外一个 OVP 输入在主反馈网络发生漂移时提供必要的冗余性。最后，快速故障输入可在发生过电流情况下，通过触发自动恢复软启动序列立即做出反应。

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1+
￥17.66
200+
￥6.84
500+
￥6.6
1000+
￥6.48

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单电源双运算放大器

型号：LM358DR2G 编号：C7950

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

双运算放大器 LM Series 0.6 V/us 32 V SMT Single Supply Quad Operational Amplifier - SOIC-8

数据手册

10+
￥0.3848
100+
￥0.3091
300+
￥0.2702
2500+
￥0.2368
5000+
￥0.2256
10000+
￥0.218

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3904LT1G 编号：C81464

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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50+
￥0.0875
500+
￥0.0702
3000+
￥0.0507
6000+
￥0.0449
24000+
￥0.0426
51000+
￥0.041

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：MMBT2222ALT1G 编号：C82460

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

50+
￥0.1102
500+
￥0.084
3000+
￥0.0726
6000+
￥0.0639
24000+
￥0.0604
51000+
￥0.058

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:115mA

型号：2N7002LT1G 编号：C16338

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V

数据手册

20+
￥0.1952
200+
￥0.1509
600+
￥0.1312
3000+
￥0.1099
9000+
￥0.104
21000+
￥0.1

有货

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单电源双运算放大器

型号：LM2904DR2G 编号：C18229

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

利用为四运放完善的电路设计，这些双运算放大器具有低功耗、共模输入电压范围扩展到地/VEE，以及单电源或双电源供电的特点。这些放大器在单电源应用中比标准运算放大器类型有几个明显的优势。它们可以在低至3.0V或高达32V的电源电压下工作，静态电流约为MC1741的五分之一（每个放大器的基础上）。共模输入范围包括负电源，从而在许多应用中消除了外部偏置组件的必要性。输出电压范围也包括负电源电压。

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5+
￥0.4768
50+
￥0.3842
150+
￥0.3366
500+
￥0.2974
2500+
￥0.2429
5000+
￥0.2337

有货

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100V 215mA

型号：BAV99LT1G 编号：C82480

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

数据手册

20+
￥0.1241
200+
￥0.0985
1200+
￥0.0743
2400+
￥0.0657
9600+
￥0.0623
20400+
￥0.06

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:200mA

型号：BSS138LT1G 编号：C82045

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V)，适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话

数据手册

10+
￥0.2565
100+
￥0.2138
300+
￥0.1919
3000+
￥0.1656
6000+
￥0.1593
9000+
￥0.155

有货

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低失调电压双比较器

型号：LM393DR2G 编号：C7955

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM393系列是双路独立精密电压比较器，可采用单电源或双电源供电。这些器件设计为在单电源供电时允许共模输入范围接近地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子等众多应用的理想选择。

数据手册

10+
￥0.4558
100+
￥0.3703
300+
￥0.3262
1000+
￥0.29
5000+
￥0.2336
10000+
￥0.225

有货

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NPN 电流:600mA 电压:160V

型号：MMBT5551LT1G 编号：C41095

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

50+
￥0.1432
500+
￥0.1162
3000+
￥0.0798
6000+
￥0.0708
24000+
￥0.0672
51000+
￥0.0648

有货

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电压:40V 电流:500mA

型号：MBR0540T1G 编号：C21353

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

肖特基功率整流器采用了肖特基势垒原理，其势垒金属可实现最佳的正向压降-反向电流权衡。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中作为续流和极性保护二极管。该封装是无引脚34 MELF风格封装的替代方案。

数据手册

10+
￥0.3537
100+
￥0.2786
300+
￥0.24
3000+
￥0.2082
6000+
￥0.1971
9000+
￥0.1896

有货

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低噪声双/四运算放大器

型号：MC33078DR2G 编号：C7299

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33078/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列，运用创新高性能理念，适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频PNP输入晶体管，使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全NPN输出级无死区交越失真，输出电压摆幅大，相位和增益裕度出色，开环高频输出阻抗低，源极和漏极交流频率性能对称。MC33078/9系列提供双放大器和四放大器版本，采用塑料DIP和SOIC封装（后缀为P和D）。

数据手册

5+
￥0.8908
50+
￥0.6877
150+
￥0.5886
500+
￥0.5002
2500+
￥0.4759
5000+
￥0.4613

有货

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PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3906LT1G 编号：C53444

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

50+
￥0.114
500+
￥0.0903
3000+
￥0.0683
6000+
￥0.0603
24000+
￥0.0572
51000+
￥0.055

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：MMBT4401LT1G 编号：C31776

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用

数据手册

50+
￥0.1222
500+
￥0.0964
3000+
￥0.0744
6000+
￥0.0658
24000+
￥0.0623
51000+
￥0.06

有货

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1个N沟道耐压:25V 电流:0.22A

型号：FDV301N 编号：C15310

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

数据手册

10+
￥0.2667
100+
￥0.2127
300+
￥0.1887
1500+
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NPN 电流:8A 电压:80V

型号：MJD44H11T4G 编号：C38780

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

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100V 215mA

型号：BAV99WT1G 编号：C82078

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SC-70/SOT-323 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

数据手册

20+
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