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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：MOC8204SM 编号：C184817
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
数据手册

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    ￥2.17512 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：4N38M 编号：C898977
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
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    ￥1.21848 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):2500V
型号：MOC216M 编号：C891767
封装：SOIC-8
品牌：onsemi(安森美)
这些器件由砷化镓红外线发光二极管组成，二极管以光学方式耦合到单片硅光电晶体管检测器上，采用可表面帖装的小型塑料封装。 它们非常适合高密度应用，并且无需通过电路板安装。
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    ￥1.34784 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):2500V
型号：MOC211M 编号：C891762
封装：SOIC-8
品牌：onsemi(安森美)
此类器件由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。
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    ￥1.35012 / 个
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MOC3031M
型号：MOC3031M 编号：C463091
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
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    ￥2.23824 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：CNY17F2SM 编号：C899094
封装：SOP-6-2.54mm
品牌：onsemi(安森美)
CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。
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    ￥1.24464 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：CNY172VM 编号：C899077
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。
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    ￥1.34124 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：CNY171VM 编号：C899071
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。
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    ￥1.299 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：CNY171SVM 编号：C899069
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。
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    ￥1.299 / 个
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MOC3033M
型号：MOC3033M 编号：C463092
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。
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    ￥2.20224 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：CNY173VM 编号：C258248
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。
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    ￥1.34124 / 个
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H11A1M
型号：H11A1M 编号：C457684
封装：PDIP-6
品牌：onsemi(安森美)
该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。
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    ￥1.28436 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11AV1AVM 编号：C899440
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。
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    ￥1.41372 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：4N35SR2VM 编号：C898965
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。
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  • 单价：

    ￥1.4544 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：4N38SR2M 编号：C898979
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
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    ￥1.31688 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：CNY173SR2VM 编号：C899079
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。
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    ￥1.52256 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：4N33TVM 编号：C898963
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。
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    ￥1.64832 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：4N32TVM 编号：C898959
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。
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  • 单价：

    ￥1.64832 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11B1SM 编号：C899446
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。
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    ￥1.4958 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：4N29SM 编号：C898953
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。
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    ￥1.53144 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：MOC8050TVM 编号：C899882
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。
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    ￥1.42092 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):5000V
型号：FOD817A300 编号：C258250
封装：DIP-4
品牌：onsemi(安森美)
FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。
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  • 单价：

    ￥0.63636 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：CNY17F2TVM 编号：C899097
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。
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    ￥1.22496 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):5000V
型号：MCT61S 编号：C899744
封装：SMD-8P
品牌：onsemi(安森美)
MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅平面光电晶体管。
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    ￥1.92852 / 个
我要订货
AC,DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11AA1TVM 编号：C899429
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。
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    ￥1.87884 / 个
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AC,DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11AA4SM 编号：C899431
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。
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    ￥1.87884 / 个
我要订货
4引脚DIP光电晶体管光耦合器
型号：FOD817DS 编号：C243072
封装：SMD-4P
品牌：onsemi(安森美)
FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。
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    ￥0.6264 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):5000V
型号：FOD852300 编号：C900932
封装：DIP-4
品牌：onsemi(安森美)
FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。
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    ￥2.03736 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11G2SM 编号：C899469
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。
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  • 单价：

    ￥2.09076 / 个
我要订货
DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11D3M 编号：C899453
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
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    ￥2.16924 / 个
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