硅麦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-89

可控硅类型：双向可控硅。断态峰值电压（VDRM/VRRM)：600V 通态电流（IT(RMS)）：0.8A 浪涌电流（ITSM）： 8A 峰值通态压降（VTM): 1.5 门极触发电流（IGT3)：1-3mA 结温（TJ）：-40℃~+125℃

20+
￥0.19964 ￥0.217
200+
￥0.154928 ￥0.1684
1000+
￥0.130088 ￥0.1414
2000+
￥0.115184 ￥0.1252
10000+
￥0.102212 ￥0.1111
20000+
￥0.09522 ￥0.1035

有货

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型号：DTC143TKA 编号：C305423

封装：SOT-23

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

SOT-23 塑封封装硅 NPN 数字三极管。

数据手册

20+
￥0.2073
200+
￥0.1641
600+
￥0.1401

有货

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型号：MMUN5232DW 编号：C21714285

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。在SOT-363封装中容纳了两个BRT器件，该封装非常适合电路板空间有限的低功耗表面贴装应用。

20+
￥0.215
200+
￥0.1675
600+
￥0.1411

有货

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型号：MMUN5235DW 编号：C21714287

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即串联基极电阻和基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。SOT-363封装适用于对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。

20+
￥0.215
200+
￥0.1675
600+
￥0.1411

有货

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型号：MMUN5215DW 编号：C21714282

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。SOT-363 封装非常适合电路板空间有限的低功率表面贴装应用。

20+
￥0.215
200+
￥0.1675
600+
￥0.1411

有货

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型号：MMUN5212DW 编号：C21714279

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。在SOT-363封装中容纳了两个BRT器件，这对于电路板空间有限的低功率表面贴装应用是理想的。简化电路设计，减少电路板空间，减少组件数量。产品材料符合RoHS要求。

20+
￥0.215
200+
￥0.1675
600+
￥0.1411

有货

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型号：MMUN5213DW 编号：C21714280

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。SOT-363 封装非常适合对电路板空间要求较高的低功耗表面贴装应用。

20+
￥0.215
200+
￥0.1675
600+
￥0.1411

有货

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型号：MMUN5216DW 编号：C21714283

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。在SOT-363封装中容纳了两个BRT器件，非常适合对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。

20+
￥0.215
200+
￥0.1675
600+
￥0.1411

有货

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型号：MMUN5214DW 编号：C21714281

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。SOT-363 封装中包含两个 BRT 器件，非常适合电路板空间有限的低功耗表面贴装应用。

20+
￥0.215
200+
￥0.1675
600+
￥0.1411

有货

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型号：MMUN5233DW 编号：C21714286

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。SOT-363封装非常适合电路板空间有限的低功率表面贴装应用。

20+
￥0.215
200+
￥0.1675
600+
￥0.1411

有货

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型号：MCR100-8-SOT-89 编号：C50229459

封装：SOT-89

品牌：DDF(鼎德丰)

可控硅类型：单向可控硅。断态峰值电压（VDRM/VRRM)：600V 通态电流（IT(RMS)）： 0.8A 浪涌电流（ITSM）：8A 峰值通态压降（VTM): 1.7 门极触发电流（IGT)：10-30uA 结温（TJ）：-40℃~+125℃

10+
￥0.21896 ￥0.238
100+
￥0.172592 ￥0.1876
300+
￥0.149408 ￥0.1624
1000+
￥0.13202 ￥0.1435
5000+
￥0.118128 ￥0.1284
10000+
￥0.111136 ￥0.1208

有货

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型号：MCR100-6-SOT-89 编号：C50229462

封装：SOT-89

品牌：DDF(鼎德丰)

可控硅类型：单向可控硅。断态峰值电压（VDRM/VRRM)：400V 通态电流（IT(RMS)）： 0.8A 浪涌电流（ITSM）：8A 峰值通态压降（VTM): 1.7 门极触发电流（IGT)：10-30uA 结温（TJ）：-40℃~+125℃

10+
￥0.21896 ￥0.238
100+
￥0.172592 ￥0.1876
300+
￥0.149408 ￥0.1624
1000+
￥0.13202 ￥0.1435
5000+
￥0.118128 ￥0.1284
10000+
￥0.111136 ￥0.1208

有货

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型号：LMUN5213DW1T1G 编号：C2846994

封装：SC-88

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：简化电路设计。减少电路板空间。减少元件数量。产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力

数据手册

20+
￥0.2326
200+
￥0.1864
600+
￥0.1608

有货

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型号：MM3Z68 编号：C118625

封装：SOD-323

品牌：ST(先科)

68V 0.3W

数据手册

20+
￥0.234
200+
￥0.1837
600+
￥0.1558

有货

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型号：MM3Z51 编号：C118622

封装：SOD-323

品牌：ST(先科)

51V 0.3W

数据手册

10+
￥0.2388
100+
￥0.1905
300+
￥0.1663

有货

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型号：S-LDTB123YLT1G 编号：C5368877

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，便于设备设计。产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。应用：逆变器。接口

数据手册

10+
￥0.2556
100+
￥0.2053
300+
￥0.1802
3000+
￥0.1613
6000+
￥0.1462
9000+
￥0.1387

有货

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型号：1SMA4772A 编号：C5455791

封装：SMA

品牌：XCH(旭昌辉)

特性：总功耗：最大1W。齐纳反向电压范围宽：3.3V至330V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装

10+
￥0.258474 ￥0.3746
100+
￥0.205482 ￥0.2978
300+
￥0.178986 ￥0.2594
2000+
￥0.153594 ￥0.2226
4000+
￥0.137724 ￥0.1996
10000+
￥0.12972 ￥0.188

有货

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型号：1SMA4770A 编号：C5455789

封装：SMA

品牌：XCH(旭昌辉)

特性：总功耗：最大1W。齐纳反向电压范围宽：3.3V至330V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装

10+
￥0.265995 ￥0.3855
100+
￥0.213003 ￥0.3087
300+
￥0.186507 ￥0.2703
2000+
￥0.166635 ￥0.2415
4000+
￥0.150765 ￥0.2185
10000+
￥0.142761 ￥0.2069

有货

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型号：MAC97A6 编号：C37635973

封装：SOT-23-3L

品牌：YFW(佑风微)

特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。具有高换向性能，四象限产品特别推荐用于感性负载。应用：洗衣机。吸尘器

10+
￥0.2933
100+
￥0.2319
300+
￥0.2011

有货

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型号：2P4M-TO-126 编号：C50229478

封装：TO-126

品牌：DDF(鼎德丰)

可控硅类型：单向可控硅。断态峰值电压（VDRM/VRRM)：600V 通态电流（IT(RMS)）： 2A 浪涌电流（ITSM）：20A 峰值通态压降（VTM): 1.7 门极触发电流（IGT)：10-30uA 结温（TJ）：-40℃~+125℃

10+
￥0.350244 ￥0.3807
100+
￥0.276092 ￥0.3001
500+
￥0.239016 ￥0.2598
1000+
￥0.21114 ￥0.2295
5000+
￥0.188876 ￥0.2053
10000+
￥0.177744 ￥0.1932

有货

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型号：2P4M 编号：C42380669

封装：SOT-89-3L

品牌：Slkor(萨科微)

特性：工作和储存结温范围 Tj、Tstg：-55℃ 至 +150℃。适用于电热毯、电子罐等各种温度控制。适用于电动缝纫机、微型电机速度控制。适用于灯光显示设备、娱乐显示屏等调光器。适用于自动燃气打火机、电池充电器。适用于固态静态开关等

10+
￥0.3574
100+
￥0.2826
300+
￥0.2451
1000+
￥0.217
5000+
￥0.1946
10000+
￥0.1833

有货

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型号：S-LDTD114ELT1G 编号：C5368878

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计。产品材料符合RoHS要求。带有S前缀的产品适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。应用：逆变器。接口

数据手册

10+
￥0.3666
100+
￥0.2898
300+
￥0.2514
3000+
￥0.2226
6000+
￥0.1996
9000+
￥0.188

有货

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型号：MCR22-6G 编号：C22388873

封装：TO-92

品牌：LGE(鲁光)

专为CD点火、燃油点火器、闪光电路、电机控制和低功率开关应用所需的重复峰值操作而设计和测试。

10+
￥0.3666
100+
￥0.2898
300+
￥0.2514

有货

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型号：MAC97A6 编号：C50313822

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

特性：阻断电压可达 400V。均方根导通电流可达 0.8A。通用双向开关

10+
￥0.417905 ￥0.4399
100+
￥0.33041 ￥0.3478
300+
￥0.286615 ￥0.3017
1000+
￥0.253745 ￥0.2671
5000+
￥0.227525 ￥0.2395
10000+
￥0.21432 ￥0.2256

有货

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型号：MAC97A6 编号：C8371

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

丝印 CJ 含铅

数据手册

10+
￥0.4261
100+
￥0.3388
300+
￥0.2951

有货

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型号：MAC97A8 编号：C50313823

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

特性：阻断电压达 800V。 RMS 导通状态电流达 0.8A。通用双向开关

10+
￥0.435385 ￥0.4583
100+
￥0.344185 ￥0.3623
300+
￥0.298585 ￥0.3143
1000+
￥0.264385 ￥0.2783
5000+
￥0.237025 ￥0.2495
10000+
￥0.22325 ￥0.235

有货

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型号：BT131-800D 编号：C2900974

封装：TO-92

品牌：WEIDA(韦达)

具有低保持和锁定电流，特别推荐用于中小电阻型功率负载。

数据手册

10+
￥0.4377
100+
￥0.3513
300+
￥0.3081
1000+
￥0.2757

有货

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型号：2P4M 编号：C50313795

封装：TO-92

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

提供高 dv/dt 速率，对电磁干扰有很强的抵抗力。特别推荐用于剩余电流断路器、直发器、点火器等。

5+
￥0.47063 ￥0.4954
50+
￥0.37487 ￥0.3946
150+
￥0.32699 ￥0.3442
1000+
￥0.29108 ￥0.3064
2000+
￥0.26239 ￥0.2762
5000+
￥0.248045 ￥0.2611

有货

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型号：BT134-600 编号：C50275349

封装：TO-92

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该器件为单体双向可控硅模块，通态平均电流（It）达2A，可承受600V的断态重复峰值电压（Vdrm），适用于交流电源控制场合。其内部集成了一个双向可控硅芯片，具备可靠的触发特性与良好的热稳定性，能够实现对负载电流的精确相位控制。典型应用包括家用电器中的调光、调速、温控电路，以及各类需要交流开关功能的电子控制模块，适合在紧凑型电源设计中作为核心功率开关元件使用。

5+
￥0.47063 ￥0.4954
50+
￥0.37487 ￥0.3946
150+
￥0.32699 ￥0.3442
1000+
￥0.29108 ￥0.3064
2000+
￥0.26239 ￥0.2762
5000+
￥0.248045 ￥0.2611

有货

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型号：BT169 编号：C50275350

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该器件为单体单向可控硅模块，通态平均电流（It）为0.8A，断态重复峰值电压（Vdrm）可达600V，具备稳定的电压阻断与电流导通能力。作为单向导通器件，适用于直流或脉动直流电路中的开关与调压应用。其特性适合用于电源整流、电池充电电路、小型电机控制、照明调光及阻性负载的功率调节。该可控硅在过压与过流条件下具有良好的耐受性，配合触发电路可实现精确的导通角控制，广泛用于各类交流输入整流后级控制与电源管理模块中。

5+
￥0.490865 ￥0.5167
50+
￥0.390925 ￥0.4115
150+
￥0.34105 ￥0.359
1000+
￥0.30362 ￥0.3196
2000+
￥0.2736 ￥0.288
5000+
￥0.258685 ￥0.2723

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