硅麦_厂家_价格_品牌_库存

型号：BTW69-800RG 编号：C22447136

封装：TO-3P

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

55A SCR单向可控硅

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￥11.001 ￥11.58
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￥9.2815 ￥9.77
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￥8.379 ￥8.82
90+
￥7.277 ￥7.66
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￥6.783 ￥7.14
990+
￥6.5645 ￥6.91

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型号：STF13NK50Z-HXY 编号：C49256408

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高频开关电路设计。主要参数包括：漏极电流ID为13A，漏源击穿电压VDSS为500V，导通电阻RDON为400毫欧。该器件具备较高的耐压能力和较低的导通损耗，在电源管理、电机驱动以及LED照明等应用中表现出良好的稳定性和转换效率，适合对空间与能效有要求的电路设计方案。

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￥11.571 ￥12.18
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￥9.8515 ￥10.37
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￥8.778 ￥9.24
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￥7.676 ￥8.08
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￥7.182 ￥7.56
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￥6.9635 ￥7.33

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型号：R5016FNX-HXY 编号：C48972095

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）和500V漏源耐压（VDSS），适用于多种中高功率电子系统。导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。该器件具备良好的热稳定性和耐用性，适合应用于电源管理、电机驱动、智能家电以及高性能电子设备中的开关控制电路。其高频响应能力也使其在紧凑型电源设计中表现出色，有助于减小电路体积并提升系统稳定性。

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￥12.388 ￥13.04
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￥10.5545 ￥11.11
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￥9.405 ￥9.9
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￥7.4575 ￥7.85

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型号：RJK5026DPP-HXY 编号：C49256440

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID可达20A，漏源电压VDSS为500V，导通电阻RDON为260mΩ。该器件具备较高的开关速度与较低的导通损耗，适用于各类中高功率电源变换系统，如开关电源、DC-DC转换器及电机控制电路。其性能稳定，能够满足高效能、小型化电子设备对功率管理的技术要求，适用于多种通用工程应用场景。

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￥19.9215 ￥20.97
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￥17.119 ￥18.02
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￥15.4565 ￥16.27
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￥13.775 ￥14.5
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￥12.996 ￥13.68
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￥12.6445 ￥13.31

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型号：QV6016NH4TP 编号：C3613859

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：Littelfuse(美国力特)

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￥20.07
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￥17.25
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￥15.49
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￥13.69
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￥12.87
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￥12.52

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型号：BTA40-800BRG-JSM 编号：C19193724

封装：RD-91

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

可控硅晶闸管大量应用家用电器，电源等领域

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￥21.5555 ￥22.69
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￥21.1185 ￥22.23
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￥20.824 ￥21.92
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￥17.4895 ￥18.41

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型号：AQG22112 编号：C719586

封装：SIP-4

品牌：PANASONIC(松下)

特性：垂直尺寸最大厚度为 4.5mm。内置缓冲电路，防止因噪声引起的故障。提供过零和随机两种方法。高介电强度：3000Vrms（输入和输出之间）。安全标准：C-UL（UL508）认证，VDE（EN60950-1）加强绝缘认证。应用：家用电器，如空调和除湿机。医疗保健和医疗设备

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￥23.97
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￥21.25
40+
￥19.64
100+
￥18.29
500+
￥17.39
1000+
￥16.98

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型号：FOD4208SDV 编号：C899306

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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