硅麦_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220F

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的耐压能力和良好的开关特性。其漏极电流ID为13A，漏源电压VDSS高达500V，适用于高压应用场景。导通电阻RDON为400mΩ，在高频开关条件下仍能保持较低损耗。该器件广泛用于电源变换器、高压直流控制、充电管理电路及家用电器中的功率开关部分，适合对效率与稳定性有一定要求的电路设计。

1+
￥7.98 ￥8.4
10+
￥6.6405 ￥6.99
50+
￥5.909 ￥6.22
100+
￥5.0825 ￥5.35
500+
￥4.712 ￥4.96
1000+
￥4.5505 ￥4.79

有货

立即购买

型号：BTA316-800CTQ 编号：C602613

封装：TO-220AB

品牌：WeEn(瑞能)

采用SOT78塑料封装的平面钝化型高换向三象限三端双向可控硅，适用于可能出现高静态和动态dV/dt以及高dI/dt的电路。这款“CT系列”三端双向可控硅可在最高额定结温（Tj(max)=150 °C）下，无需缓冲电路辅助即可换向全均方根电流。它用于需要“高结工作温度能力”的应用场合

数据手册

1+
￥8.37
10+
￥6.62
50+
￥5.74
100+
￥4.87

有货

立即购买

型号：TN3015H-6I 编号：C3615133

封装：TO-220AB

品牌：ST(意法半导体)

高温30A SCR

数据手册

1+
￥8.9
10+
￥7.31
50+
￥6.44
100+
￥5.45

有货

立即购买

型号：AOTF13N50 编号：C49256407

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高频率开关应用。其主要参数包括：漏极电流ID为13A，漏源击穿电压VDSS达500V，导通电阻RDON为400毫欧。高耐压与低导通电阻特性使其在电源转换、电机控制及照明驱动等场景中具备优异的性能表现，同时支持高效能与小型化设计需求。

1+
￥9.6425 ￥10.15
10+
￥8.208 ￥8.64
50+
￥7.315 ￥7.7
100+
￥6.3935 ￥6.73
500+
￥5.985 ￥6.3
1000+
￥5.8045 ￥6.11

有货

立即购买

型号：BTW69-800RG 编号：C22447136

封装：TO-3P

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

55A SCR单向可控硅

1+
￥11.001 ￥11.58
10+
￥9.2815 ￥9.77
30+
￥8.379 ￥8.82
90+
￥7.277 ￥7.66
510+
￥6.783 ￥7.14
990+
￥6.5645 ￥6.91

有货

立即购买

型号：R5016FNX-HXY 编号：C48972095

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）和500V漏源耐压（VDSS），适用于多种中高功率电子系统。导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。该器件具备良好的热稳定性和耐用性，适合应用于电源管理、电机驱动、智能家电以及高性能电子设备中的开关控制电路。其高频响应能力也使其在紧凑型电源设计中表现出色，有助于减小电路体积并提升系统稳定性。

1+
￥12.388 ￥13.04
10+
￥10.5545 ￥11.11
50+
￥9.405 ￥9.9
100+
￥8.227 ￥8.66
500+
￥7.6855 ￥8.09
1000+
￥7.4575 ￥7.85

有货

立即购买

型号：AQG22124 编号：C719587

封装：SIP-4

品牌：PANASONIC(松下)

数据手册

1+
￥18.88
10+
￥16.88
30+
￥15.68

有货

立即购买

型号：VS-40TPS08-M3 编号：C506450

封装：TO-247AC

品牌：VISHAY(威世)

专为中功率开关和相位控制应用而设计。采用的玻璃钝化技术可在高达125℃的结温下可靠运行。

1+
￥19.54
10+
￥16.54
30+
￥14.66
100+
￥12.0935 ￥12.73
500+
￥11.267 ￥11.86
1000+
￥10.906 ￥11.48

有货

立即购买

型号：RJK5026DPP-HXY 编号：C49256440

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID可达20A，漏源电压VDSS为500V，导通电阻RDON为260mΩ。该器件具备较高的开关速度与较低的导通损耗，适用于各类中高功率电源变换系统，如开关电源、DC-DC转换器及电机控制电路。其性能稳定，能够满足高效能、小型化电子设备对功率管理的技术要求，适用于多种通用工程应用场景。

1+
￥19.9215 ￥20.97
10+
￥17.119 ￥18.02
50+
￥15.4565 ￥16.27
100+
￥13.775 ￥14.5
500+
￥12.996 ￥13.68
1000+
￥12.6445 ￥13.31

有货

立即购买

型号：QV6016NH4TP 编号：C3613859

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：Littelfuse(美国力特)

1+
￥20.31
10+
￥17.49
30+
￥15.73
100+
￥13.93
500+
￥13.11
1000+
￥12.76

有货

立即购买

型号：Q6035NH5TP 编号：C17236493

封装：TO-263

品牌：Littelfuse(美国力特)

1+
￥21.54
10+
￥18.63
50+
￥16.82
100+
￥14.95
500+
￥14.11
1000+
￥13.75

有货

立即购买

型号：VS-30TPS16-M3 编号：C506446

封装：TO-247AC-3

品牌：VISHAY(威世)

VS - 30TPS16高压系列可控硅整流器专为中功率开关和相位控制应用而设计。采用的玻璃钝化技术可在高达125°C的结温下可靠运行。

数据手册

1+
￥21.72
10+
￥18.53
30+
￥16.64
100+
￥14.72

有货

立即购买

型号：FOD4208SDV 编号：C899306

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

数据手册