ON传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：1N5347BRLG 编号：C114207

封装：DO-14

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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￥1.9236
50+
￥1.4952
150+
￥1.3116
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￥1.0825
2500+
￥1.0132
4000+
￥0.952

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型号：MC7815CDTRKG 编号：C133887

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

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5+
￥1.9508
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￥1.5397
150+
￥1.3635
500+
￥1.1437
2500+
￥1.0458

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型号：MBRS320T3G 编号：C236151

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥1.9926
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￥1.5879
150+
￥1.4145
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￥1.1981
2500+
￥1.1017
5000+
￥1.0439

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型号：MC79M15CDTRKG 编号：C126298

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器，有 -5.0V、-8.0V、-12V 和 -15V 固定输出电压选项。采用限流、热关断和安全区补偿，在大多数工作条件下非常耐用。有足够散热时可提供超过 0.5A 的输出电流。

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￥2.043
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￥1.6056
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￥1.3368
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￥1.1029
2500+
￥0.9988
5000+
￥0.9363

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型号：MC74AC00DR2G 编号：C233513

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

特性：输出驱动能力：±24mA。工作电压范围：2至6V（AC00）；4.5至5.5V（ACT00）。低输入电流：1.0μA。具备CMOS器件的高抗噪特性。符合JEDEC标准第7A号要求。芯片复杂度：32个FET。这些是无铅器件

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5+
￥2.0754
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￥1.6416
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￥1.4557
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￥1.2237

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型号：MC7812CDTRKG 编号：C113538

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

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￥2.2002
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￥1.7366
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￥1.5378
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￥1.2899
2500+
￥1.1795
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￥1.1133

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型号：NCV1117DT50RKG 编号：C513026

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

是低压差正电压调节器，能够提供超过1.0A的输出电流，在800mA和整个温度范围内的最大压差电压为1.2V。该系列包含九种固定输出电压，分别为1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和12V，无需最小负载即可保持稳压。还包括一个可调输出版本，可通过两个外部电阻将其编程为1.25V至18.8V。片上微调可将参考/输出电压调整到±1.0%的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达20V的输入电压下工作。器件有SOT-223和DPAK封装。

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￥2.2299
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￥1.7221
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￥1.5045
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￥1.2329
2500+
￥1.112
5000+
￥1.0394

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型号：1N5337BRLG 编号：C9705

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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1+
￥2.3
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￥1.78
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￥1.56
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￥1.29
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￥1.17
1000+
￥1.09

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型号：TL431BVDR2G 编号：C242262

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该集成电路是三端可编程并联稳压器二极管。这些单片IC电压基准可作为低温系数齐纳二极管工作，可通过两个外部电阻从Vref编程至36 V。这些器件的工作电流范围为1.0 mA至100 mA，典型动态阻抗为0.22 Ω。这些基准的特性使其成为许多应用（如数字电压表、电源和运算放大器电路）中齐纳二极管的理想替代品。2.5 V基准便于从5.0 V逻辑电源获得稳定的基准，并且由于该集成电路作为并联稳压器工作，因此可用作正电压或负电压基准。

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1+
￥2.31
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￥1.81
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￥1.59
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￥1.33
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￥1.16
1000+
￥1.09

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型号：MJE172G 编号：C27682

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

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5+
￥2.354
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￥1.8584
150+
￥1.646
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￥1.2313
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￥1.1133
5000+
￥1.0425

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型号：NL27WZ14DTT1G 编号：C233559

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NL27WZ14 是一款高性能双反相器，带有施密特触发器输入，工作电源电压范围为 1.65 至 5.5 V。

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5+
￥2.3838
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￥1.9608
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￥1.7794
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￥1.5532
3000+
￥1.1518
6000+
￥1.0913

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型号：NCP1608BDR2G 编号：C46220

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1608 是一款有源功率因数校正 (PFC) 控制器，专门用作 AC-DC 适配器、电子镇流器和其他中等功率离线转换器（通常高达 350 W）中的预转换器。它使用临界导通模式 (CrM) 来确保多种输入电压和输出功率下接近一致的功率因数。NCP1608 集成了多种安全功能，最大程度减少了外部部件数量，使其成为设计耐用 PFC 级的绝佳选择。

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5+
￥2.3875
50+
￥1.8844
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￥1.6688
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￥1.3997
2500+
￥1.2799
5000+
￥1.208

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型号：NCV33172DR2G 编号：C513029

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片运算放大器采用优质双极工艺和创新设计理念。这些器件每个放大器的工作电流为180 A，无需使用JFET器件技术即可提供1.8 MHz的增益带宽积和2.1 V/s的压摆率。虽然该系列可以采用双电源供电，但由于共模输入电压包含地电位(VEE)，因此尤其适合单电源供电。这些器件采用达林顿输入级，具有高输入电阻、低输入失调电压和高增益。全NPN输出级具有无死区交越失真和大输出电压摆幅的特点可提供高电容驱动能力、出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的拉/吸交流频率响应。

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5+
￥2.4069
50+
￥1.9042
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￥1.5777
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￥1.3088
2500+
￥1.1891
5000+
￥1.1173

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型号：NCS2202SQ2T2G 编号：C424486

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥2.43
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￥1.9
30+
￥1.67
100+
￥1.39
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￥1.27
1000+
￥1.19

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型号：UC3842BVD1R2G 编号：C462971

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，包括输入和参考欠电压锁闭且全部带有迟滞、按周期电流限制、可编程输出停滞时间和用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX843B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

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1+
￥2.6
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￥2.07
30+
￥1.84
100+
￥1.56
500+
￥1.43
1000+
￥1.36

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型号：NCP308SN180T1G 编号：C463587

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NCP308 系列属于安森美半导体监督电路系列。它适用于监督从 0.405 V 到 5.5 V 的系统电压，与手动重置 (/MR) 输入结合，发出有效低电平开漏/RESET 输入。该零件提供固定版本和内部可调版本。

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1+
￥2.67
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￥2.4
30+
￥2.26
100+
￥2.12
500+
￥1.66
1000+
￥1.62

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型号：FQD13N10LTM 编号：C37552

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥2.69
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￥2.14
30+
￥1.91
100+
￥1.61
500+
￥1.48
1000+
￥1.4

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型号：MJE182G 编号：C27681

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

数据手册

5+
￥2.707
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￥2.1304
150+
￥1.8833
500+
￥1.4324
2500+
￥1.2951
5000+
￥1.2127

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型号：1N5822RLG 编号：C232464

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用铬势垒金属、氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

1+
￥2.72
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￥2.13
30+
￥1.88
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￥1.56
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￥1.24
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￥1.15

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型号：ES3D 编号：C241735

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

3.0A快速恢复整流器

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1+
￥2.75
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￥2.2
30+
￥1.96
100+
￥1.67
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

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型号：NDS9948 编号：C274609

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

数据手册

1+
￥2.79
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￥2.27
30+
￥2.04
100+
￥1.76
500+
￥1.63
1000+
￥1.55

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型号：MURD620CTT4G 编号：C154605

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

这些先进的器件设计用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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1+
￥2.85
10+
￥2.25
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￥2
100+
￥1.49
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￥1.35
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￥1.26

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型号：NTF6P02T3G 编号：C179617

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，-20V，-10A，50mΩ，单 P 沟道，SOT-223，逻辑电平

数据手册

1+
￥2.88
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￥2.58
30+
￥2.43
100+
￥2.29
500+
￥2.08
1000+
￥2.04

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型号：MBRS4201T3G 编号：C145187

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

特性：正向电压低于任何超快整流器：在150℃时，VF < 0.61V。快速开关速度：反向恢复时间 (tRR) < 35 ns。软恢复特性：软度因子 (tb / ta) ≥ 1。高温下高度稳定。通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序能力。 NRVB前缀适用于需要独特产地和控制变更要求的汽车及其他应用；通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序能力。应用：发动机和便利控制系统。电机控制

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.26
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￥1.99
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￥1.65
500+
￥1.5
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￥1.41

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型号：NSQA6V8AW5T2G 编号：C233419

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

这款集成浪涌保护装置（浪涌防护）专为需要瞬态过电压保护的应用而设计。它适用于计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等敏感设备及其他应用场景。其集成设计仅用一个封装就能为四条独立线路提供高效可靠的保护。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

1+
￥2.96
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￥2.33
30+
￥2.07
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￥1.73
500+
￥1.59
1000+
￥1.5

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型号：ESD7104MUTAG 编号：C328026

封装：UDFN-10(1x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD7104浪涌保护器旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。直插式封装便于进行PCB布局，并能匹配走线长度，这对于保持高速差分线（如USB 3）之间的阻抗一致性十分必要

数据手册

1+
￥3.01
10+
￥2.39
30+
￥2.13
100+
￥1.79
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

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型号：2SC5566-TD-E 编号：C154832

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

特性：采用FBET和MBIT工艺。集电极-发射极饱和电压低。超小封装，便于终端产品小型化。允许的功率耗散高。电流容量大。高速开关。应用：继电器驱动器。灯驱动器

数据手册

1+
￥3.02
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￥2.41
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￥2.15
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￥1.82
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￥1.67
1000+
￥1.58

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型号：MC7815CTG 编号：C110909

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计为固定电压调节器，适用于包括本地、板载调节在内的各种应用。这些调节器采用内部电流限制、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过1.0 A的输出电流。

数据手册

1+
￥3.1
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￥2.44
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￥1.96
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￥1.61
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￥1.45
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￥1.36

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型号：MJD340T4G 编号：C140579

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极功率晶体管适用于线路运行的音频输出放大器、开关模式电源驱动器和其他开关应用。

数据手册

1+
￥3.19
10+
￥2.47
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￥2.17
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￥1.78
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￥1.61
1000+
￥1.51

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型号：MC74HC244ADTR2G 编号：C233462

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅门极 CMOS MC74HC244A 与 LS244 的引脚输出相同。该器件输入与标准 CMOS 输出兼容；带有上拉电阻，它们与 LSTTL 输出兼容。此八路非逆向缓冲器//线路驱动器/线路接收器设计用于 3 态存储器地址驱动器、时钟驱动器和和其他总线导向型系统。该器件具有非反相输出和两个有效低电平输出启用。HC244A 的功能与 HC240A 和 HC241A 相似。

数据手册

1+
￥3.23
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￥2.52
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￥2.22
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￥1.84
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￥1.67
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