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型号：NTTFS5116PLTAG 编号：C513050

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)）。快速开关。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：负载开关。 DC电机控制

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型号：NCP1654BD200R2G 编号：C603659

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1654 是一款用于连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 步升预转换器的控制器。它在固定频率模式下控制电源开关导通时间 (PWM)，取决于瞬时线圈电流。该电路采用 SO-8 封装，最大程度减少了外部部件数量，并极大简化了 PFC 实施。它还集成了高安全性功能，使得 NCP1654 成为一款适用于有效输入功率失控箝位电路。

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型号：FIN1002M5X 编号：C555485

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

单个接收器设计用于利用低电压差分信号（LVDS）技术进行高速互连。接收器将LVDS电平转换为LVTTL信号电平。

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型号：FDC2612 编号：C157544

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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型号：LM317BTG 编号：C14502

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

LM317是一款可调式三端正电压稳压器，能够在1.2 V至37 V的输出电压范围内提供超过1.5 A的电流。这款电压稳压器使用极为简便，仅需两个外部电阻即可设定输出电压。此外，它采用了内部限流、热关断和安全区补偿功能，基本可防止器件损坏

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型号：NTMFS5C430NT1G 编号：C604436

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。无铅且符合RoHS标准

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型号：4N33M 编号：C4068

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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型号：MOCD217R2M 编号：C14315

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD217M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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型号：NCP1351BDR2G 编号：C86673

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1351是一款电流模式控制器，适用于对成本极为敏感的低功率离线反激式开关电源（SMPS）。该控制器基于固定峰值电流技术（准固定导通时间ToN），在负载变轻时降低开关频率。因此，采用NCP1351的电源自然能实现出色的空载功耗，同时优化其他负载条件下的效率。当频率降低时，峰值电流会逐渐降至最大峰值电流的约30%，以防止变压器产生机械共振。这样，在保持良好待机功率性能的同时，可大幅降低产生声学噪声的风险。一个外部可调定时器会持续监测反馈活动，在出现短路或过载时保护电源。定时器计时结束后，A版本的NCP1351会停止开关并保持锁存状态，而B版本则会尝试重启。C和D版本具备双过流保护触发点，可用于打印机等有峰值功率要求的应用。确认故障后，C版本会锁断，而D版本会自动恢复。内部结构经过优化布局，可实现极低的启动电流，这是设计低待机功耗电源时的一个关键参数。负电流检测技术可最大程度减少开关噪声对控制器运行的影响，并允许用户选择电流检测电阻两端的最大峰值电压，从而根据应用优化其功耗。最后，大容量输入纹波可实现自然的频率扩展，从而平滑电磁干扰（EMI）特性。

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型号：NCP1234BD65R2G 编号：C513007

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1234是一款采用动态自供电（DSS）技术的新型固定频率电流模式控制器。该器件与前代NCP12xx系列引脚兼容。DSS功能通过激活内部启动电流源，在瞬态期间为控制器供电，极大地简化了辅助电源和VCC电容的设计。由于具备频率折返功能，该控制器在轻载条件下表现出卓越的效率，同时仍能实现极低的待机功耗。内部频率抖动、斜坡补偿和多功能锁存输入，使该控制器成为对元件成本有严格要求的转换器的理想选择。它具有基于定时器的故障检测功能，可独立于辅助绕组检测过载，还具备可调补偿功能，有助于使最大功率不受输入电压的影响。最后，经过精心设计，关键参数在 -40℃至 +125℃的整个温度范围内都能得到良好的精度控制。NCP1234具备构建基于固定频率反激式转换器的安全高效电源所需的所有必要特性。它特别适用于对元件数量要求较低且不牺牲安全性的应用。带斜率补偿的电流模式操作：初级峰值电流由FB电压永久控制，确保最大安全性：DRV关断事件由峰值电流设定点决定。如果处于DCM模式，它还能确保系统的频率响应保持为一阶，从而简化FB环路的设计。该控制器也可用于宽输入范围的CCM应用。

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型号：MBRD360T4G 编号：C10667

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器用作开关电源、逆变器和其他电感开关电路中的输出整流器、续流、保护和转向二极管。

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型号：FQD13N06LTM 编号：C236914

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：NDT3055L 编号：C274612

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些逻辑电平 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过专门设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换，在这些应用中需要快速开关、低线路功耗和抗瞬态能力

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型号：NTD3055-094T4G 编号：C179612

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

设计用于电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用。

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型号：D45H11G 编号：C28091

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这些塑料 NPN 和 PNP 功率晶体管系列可在开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中用作通用功率放大和开关，如输出和驱动器级。

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型号：FQD2N100TM 编号：C74765

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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型号：FSUSB30MUX 编号：C11143

封装：MSOP-10

品牌：onsemi(安森美)

FSUSB30是一款低功耗、2端口高速USB 2.0开关，配置为DPDT开关，优化用于切换两个高速(480Mbps)或一个高速和全速(12Mbps)源。

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型号：NTD6416ANLT4G 编号：C114874

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 100V 19A 74 mΩ 单 N 沟道，DPAK，逻辑电平

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型号：CAT809RTBI-GT3 编号：C43445

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

微处理器电压监控，阀值电压=2.63V

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型号：NCL30188BDR2G 编号：C603428

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCL30188 是一款专为隔离和非隔离“智能调光”恒流LED驱动器设计的控制器。它支持反激式、升降压和SEPIC拓扑结构。其专有的电流控制算法可提供接近于1的功率因数，并从初级侧紧密调节恒定的LED电流，从而消除了对次级侧反馈电路或光耦合器的需求。NCL30188 采用SOIC8封装，适合非常紧凑、空间效率高的设计。该控制器高度集成，所需外部元件数量极少，并包含一系列强大的安全保护功能以简化设计。为了确保在高温下可靠运行，还提供了一个用户可配置的电流折返电路。主要特性包括：- 准谐振峰值电流模式控制- 带有初级侧反馈的恒流控制- 典型±2%的LED恒流精度- 功率因数校正- 线路前馈以提高调节精度- 低启动电流（典型值13 μA）- 宽Vcc范围- 300 mA / 500 mA图腾柱驱动器，带12 V栅极箝位- 强大的保护功能，如Vcc过电压保护、可编程过电压/LED开路保护、逐周期峰值电流限制、绕组短路保护、次级二极管短路保护、输出短路保护、短路电流检测保护、用户可编程NTC热折返、热关断、Vcc欠压锁定和掉电保护NCL30188 与 NCL30088 引脚兼容，提供了相同的优点，同时提高了数字电流控制算法的分辨率，将LED电流量化纹波降低了75%。该器件适用于整体式LED灯泡和灯管、LED光源、LED驱动器/电源以及LED照明电子控制装置。它包含了全面的安全和保护功能，以确保稳健可靠的运行。

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型号：FDD9509L-F085 编号：C605022

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道，PowerTrench MOSFET，-40 V，-100 A，4.4 mΩ

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型号：EMI8142MUTAG 编号：C605388

封装：XDFN-10(1.4x2.2)

品牌：onsemi(安森美)

EMI814x 系列是业界首款集成了静电放电（ESD）保护功能的共模滤波器（CMF）。如今，差分信号输入/输出（I/O）端口可在一个封装内同时实现共模滤波和 ESD 保护

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型号：NCP4305DDR2G 编号：C2892150

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP4305 是一款高性能驱动器，专门为控制开关模式电源中的同步整流 MOSFET 而设计。由于其高性能驱动器和多功能性，可用于多种拓扑结构，如 DCM 或 CCM 反激、准谐振反激、正向和半桥谐振 LLC。外部可调最短开关时间间隔时段的组合有助于抵御 PCB 布局和其他寄生元件产生的振铃。SR 系统的可靠低噪音运行由于自同步功能而得以保证。NCP4305 还利用 MOSFET 的驱动器开尔文连接，实现了满负载下的高能效运行，利用轻负载检测结构实现了轻负载下的高能效。该驱动器精确的关断阈值、极低的关断延迟时间和高接受电流功能可实现最长的同步整流 MOSFET 导通时间以及最高的 SMPS 能效。这种高准确性驱动器和 5V 门极箝位实现了 GaN MOSFET 的使用。

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型号：RFD14N05LSM9A 编号：C464112

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，该设计可在 3V 到 5V 电压内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接从逻辑电平 (5V) 集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09870。

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型号：NCV4274ADT50RKG 编号：C233416

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

NCV4274和NCV4274A是一款精密微功耗电压调节器，输出电流能力为400 mA，有DPAK、D2PAK和SOT - 223封装可选。根据不同版本，输出电压精度在±2.0%或±4.0%以内，输入电压最高可达40 V时，最大压差为0.5 V。其特点是静态电流低，在1 mA负载下仅消耗150 μA电流

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型号：NCP81071BDR2G 编号：C411209

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流，在米勒平坦区高达 5A 峰值电流，有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能，在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。

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