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650V 80A
型号：FGA40N65SMD 编号：C444005
封装：TO-3P
品牌：onsemi(安森美)
安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电感加热、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
数据手册

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    ￥21.46

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    ￥10.53
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    250V 200mA
    型号：BAS21HT1G 编号：C82466
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。 此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适用于自动化插入。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1771

    • 200+

      ￥0.1361

    • 600+

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      ￥0.0878

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      ￥0.0814
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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT4401WT1G 编号：C129709
    封装：SC-70(SOT-323)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1881

    • 200+

      ￥0.1487

    • 600+

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    • 9000+

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    • 21000+

      ￥0.0884
  • 有货
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    独立式 耐压:5.1V 电流:5uA
    型号：MMBZ5231BLT1G 编号：C16376
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1973

    • 200+

      ￥0.1514

    • 600+

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      ￥0.0901
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    独立式 耐压:15V 电流:0.05uA@10.5V
    型号：BZX84C15LT1G 编号：C80857
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2021

    • 200+

      ￥0.1562

    • 600+

      ￥0.1308

    • 3000+

      ￥0.1155
  • 有货
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    100V 200mA
    型号：MMSD914T1G 编号：C91072
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：SOD-123表面贴装封装。 高击穿电压。 快速开关时间。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2085

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      ￥0.1648

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      ￥0.1097

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      ￥0.1029
  • 有货
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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT2222ALT3G 编号：C416011
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2089

    • 200+

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      ￥0.1376
  • 有货
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    独立式 耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V
    型号：BZX84C9V1LT1G 编号：C82468
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2096

    • 200+

      ￥0.1705

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      ￥0.1256
  • 有货
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    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906WT1G 编号：C150043
    封装：SC-70(SOT-323)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装，适合低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2226

    • 200+

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      ￥0.1381

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      ￥0.1252
  • 有货
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    独立式 耐压:24.2V 电流:0.05uA@16.8V
    型号：MM3Z24VT1G 编号：C463816
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2322

    • 200+

      ￥0.1841

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      ￥0.1201
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    PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC857BDW1T1G 编号：C154783
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    此双 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-363/SC-88 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2631

    • 100+

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    • 3000+

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      ￥0.1369
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    独立式 耐压:9.1V 电流:3uA@7V
    型号：MMSZ5239BT1G 编号：C891728
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2671

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      ￥0.2182

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    数字晶体管（BRT），带单片偏置电阻网络的NPN晶体管
    型号：DTC144EET1G 编号：C242410
    封装：SC-75(SOT-416)
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2749

    • 100+

      ￥0.2182

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    • 3000+

      ￥0.1686

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      ￥0.1516

    • 9000+

      ￥0.143
  • 有货
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    NPN 电流:500mA 电压:80V
    型号：MMBTA06LT3G 编号：C232558
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2846

    • 100+

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    • 10000+

      ￥0.142
  • 有货
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    电压:70V 电流:70mA
    型号：BAS70LT1G 编号：C232585
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3005

    • 100+

      ￥0.2348

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      ￥0.1577

    • 9000+

      ￥0.1478
  • 有货
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    独立式 耐压:36V 电流:0.1uA@27V
    型号：MMSZ5258BT1G 编号：C193869
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3065

    • 100+

      ￥0.2449

    • 300+

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    • 3000+

      ￥0.1909

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      ￥0.1724

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      ￥0.1632
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:27V 电流:0.1uA@21V
    型号：MMSZ5254BT1G 编号：C235772
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3284

    • 100+

      ￥0.2615

    • 300+

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      ￥0.1987

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      ￥0.1786
  • 有货
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    双缓冲器（开漏输出）
    型号：NC7WZ07P6X 编号：C95342
    封装：SOT-363-6
    品牌：onsemi(安森美)
    缓冲器，可以用作3.3V与5V电平高速转换用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3714

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  • 有货
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    独立式 耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V
    型号：MM3Z9V1ST1G 编号：C327500
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3805

    • 100+

      ￥0.3085

    • 300+

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    • 3000+

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      ￥0.2239

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      ￥0.2131
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    1对共阳极 耐压:27V 电流:0.05uA
    型号：SZMMBZ27VALT1G 编号：C236224
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4018

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      ￥0.3142

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      ￥0.2113

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    3.3V 300mA 5.5V
    型号：NCP115ASN330T2G 编号：C603505
    封装：TSOP-5
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP115是一款300 mA的低压差线性稳压器（LDO），能为工程师提供非常稳定、精确且低噪声的电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用场景。为了优化电池供电便携式应用的性能，NCP115采用动态静态电流调整技术，在空载时实现极低的IO功耗。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4482

    • 50+

      ￥0.3498

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    • 6000+

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    3.3V 300mA 5.5V
    型号：NCP114AMX330TCG 编号：C133056
    封装：UDFN-4-EP(1x1)
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP114是一款300 mA的低压差稳压器（LDO），可为工程师提供极其稳定、精确且低噪声的电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用场景。为优化电池供电的便携式应用的性能，NCP114采用动态静态电流调整技术，在空载时可实现极低的静态电流（IQ）消耗。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5055

    • 50+

      ￥0.397

    • 150+

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    • 500+

      ￥0.3021

    • 3000+

      ￥0.2695

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      ￥0.2532
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    单路反相器
    型号：MC74HC1G04DFT1G 编号：C150227
    封装：SOT-353
    品牌：onsemi(安森美)
    MC74HC1G04 是一款采用硅栅 CMOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。其内部电路由多级组成，包括一个缓冲输出级，该输出级具有高抗噪能力和稳定的输出。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5144

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      ￥0.404

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      ￥0.2577
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:5.1V 电流:10uA@1V
    型号：1N4733A 编号：C140851
    封装：DO-41
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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      ￥0.5759

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      ￥0.3481

    • 3000+

      ￥0.3134
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:220mA
    型号：NTUD3169CZT5G 编号：C213059
    封装：SOT-963-6
    品牌：onsemi(安森美)
    这是一款互补 20 V 小信号 MOSFET，采用 1.0 x 1.0 mm SOT-963 封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.57722 ￥0.6076

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    NPN 电压:25V
    型号：MMBTH10LT1G 编号：C16204
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：S和NSV前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
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    独立式 耐压:12V 电流:5uA@9.1V
    型号：1N4742ATR 编号：C258174
    封装：DO-41
    品牌：onsemi(安森美)
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    独立式 耐压:3.3V 电流:50uA@1.0V
    型号：1SMA5913BT3G 编号：C235775
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    恒流调节器和LED驱动器
    型号：NSI45030AT1G 编号：C150066
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    线性恒流调节器 (CCR) 是一种简单、经济且耐用的设备，旨在为调节 LED 中的电流提供经济高效的解决方案。CCR 基于自偏置晶体管 (SBT) 技术，可在很宽的电压范围内调节电流。它设计有负温度系数，以保护 LED 在极端电压和电流下免受热失控的影响。CCR 立即开启，仅需 0.5V Vak 即可达到调节值的 25%。它无需外部组件，可设计为高端或低端调节器。高阳极-阴极电压额定值可承受汽车、工业和商业 signage 应用中常见的浪涌。CCR 采用热性能良好的封装，符合 AEC-Q101 标准，并获得 UL94-V0 认证。
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    1kV 1A
    型号：NRVA4007T3G 编号：C236166
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：紧凑封装，J形弯引脚，适合自动化处理。 稳定、高温、玻璃钝化结。 NRVA前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：表面安装汽车应用
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