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该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装,功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护,特别适用于空间有限的情况。
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  • 10+

    ¥0.2628
  • 100+

    ¥0.2081
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    ¥0.1277
  • 有货
  • 该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2634
    • 100+

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    • 300+

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    • 1000+

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    • 5000+

      ¥0.1468
    • 8000+

      ¥0.1388
  • 有货
  • 该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3024
    • 100+

      ¥0.2367
    • 300+

      ¥0.2039
    • 3000+

      ¥0.1793
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      ¥0.1596
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      ¥0.1497
  • 有货
  • 此 NPN 双极达林顿晶体管适用于开关应用,如打印锤、继电器、电磁阀和灯驱动器。此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3025
    • 100+

      ¥0.2424
    • 300+

      ¥0.2124
    • 3000+

      ¥0.1899
    • 6000+

      ¥0.1718
    • 9000+

      ¥0.1628
  • 有货
  • NL17SZ07是一款高性能单路同相缓冲器,具有漏极开路输出,工作电源电压范围为1.65至5.5 V。输出级为具备过压容限的漏极开路结构
    数据手册
    • 10+

      ¥0.33
    • 100+

      ¥0.2628
    • 300+

      ¥0.2292
    • 3000+

      ¥0.204
    • 6000+

      ¥0.1839
    • 9000+

      ¥0.1738
  • 有货
  • 这一系列齐纳二极管采用SOD-923表面贴装封装。它们旨在提供电压调节保护,在空间有限的情况下特别有吸引力。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.342285 ¥0.3603
    • 50+

      ¥0.29971 ¥0.3526
    • 150+

      ¥0.260625 ¥0.3475
    • 500+

      ¥0.2568 ¥0.3424
  • 有货
  • 肖特基势垒二极管针对非常低的正向压降和低漏电流进行了优化,用于便携式设备中的各种直流-直流转换器、钳位和保护应用。SOD-923微型封装使设计人员能够应对提高效率和满足减小空间要求的挑战。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3869
    • 100+

      ¥0.3092
    • 300+

      ¥0.2703
    • 1000+

      ¥0.2411
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4026
    • 100+

      ¥0.3148
    • 300+

      ¥0.2708
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      ¥0.2288
    • 6000+

      ¥0.2025
    • 9000+

      ¥0.1893
  • 有货
  • 超高速:在 VCC 为 5V 时,接入 50pF 负载,传输延迟(tPD)典型值为 3.2ns - 高输出驱动能力:VCC 为 3V 时,输出电流为±24mA - 宽泛的 VCC 工作电压范围:1.65V 至 5.5V - 在 VCC 为 3.3V 时,性能与 LCX 器件相匹配 - 掉电时输入/输出呈高阻态 - 输入过压容限功能,便于实现 5V 到 3V 电平转换 - 采用专有技术降低噪声和电磁干扰(EMI) - 采用超小型 MicroPak™ 封装 - 采用节省空间的 SC70 封装 该器件采用先进的 CMOS 技术制造,可实现超高速运行和高输出驱动能力,同时在非常宽泛的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。该器件的 VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V。当 VCC 为 0V 时,输入和输出呈高阻态
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    • 10+

      ¥0.4058
    • 100+

      ¥0.3283
    • 300+

      ¥0.2896
    • 3000+

      ¥0.2558
    • 6000+

      ¥0.2326
    • 9000+

      ¥0.221
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围选择宽,2.4V 至 75V。 VZ 公差选择为 ±5%(C 系列)。 非常小且薄的贴片封装。 哑光镀锡(Sn)表面处理。 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4408
    • 100+

      ¥0.3552
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      ¥0.3125
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      ¥0.2804
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      ¥0.2547
  • 有货
  • 该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。
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    • 5+

      ¥0.4481
    • 50+

      ¥0.3901
    • 150+

      ¥0.3611
    • 500+

      ¥0.3393
    • 2500+

      ¥0.3219
    • 5000+

      ¥0.3132
  • 有货
  • 特性:500mW额定功率,适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽,为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸,适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级(>16kV)。 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀,适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4637
    • 100+

      ¥0.3758
    • 300+

      ¥0.3319
    • 3000+

      ¥0.2629
  • 有货
  • 这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。
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    • 10+

      ¥0.4959
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      ¥0.237
    • 9000+

      ¥0.2226
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6259
    • 50+

      ¥0.5386
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      ¥0.5011
    • 500+

      ¥0.4544
    • 2500+

      ¥0.4001
    • 5000+

      ¥0.3876
  • 有货
  • P 沟道,-20V,-1.37A,-83mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6273
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      ¥0.5215
    • 150+

      ¥0.4686
    • 500+

      ¥0.4289
    • 3000+

      ¥0.3972
  • 有货
  • 特性:适用于开关和放大器应用。 适用于AF驱动级和低功率输出级。 与BC327/BC328互补
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    • 5+

      ¥0.6406
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      ¥0.5014
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      ¥0.4318
    • 500+

      ¥0.3796
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      ¥0.3378
    • 4000+

      ¥0.3169
  • 有货
  • 正电压调节器是价格实惠、易于使用的设备,适用于多种需要高达100 mA稳压电源的应用。与功率更高的同类产品一样,这些调节器具有内部限流和热关断功能,非常耐用。在许多应用中,该设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比,这些设备具有显著的性能优势,因为输出阻抗和静态电流大幅降低。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9034
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      ¥0.7003
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      ¥0.6132
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      ¥0.5046
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      ¥0.4563
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      ¥0.4272
  • 有货
  • 正电压调节器适合多种需要最高100 mA稳压电源的应用。与更高功率的MC7800和MC78M00系列类似,这些调节器具有内部限流和热关断功能,非常耐用。在许多应用中,MC78L00设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比,这些设备在输出阻抗和静态电流方面有显著的性能优势。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9293
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      ¥0.7276
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      ¥0.6412
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      ¥0.5333
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      ¥0.4651
    • 5000+

      ¥0.4363
  • 有货
  • NC7WZ17 是一款来自 TinyLogic 产品超高速(UHS)系列的双缓冲器,带有施密特触发输入。该器件采用先进的 CMOS 技术制造,可实现超高速运行和高输出驱动能力,同时在非常宽的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。该器件的工作电压范围为 1
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0294
    • 50+

      ¥0.9076
    • 150+

      ¥0.8554
    • 500+

      ¥0.7903
    • 2500+

      ¥0.6438
    • 5000+

      ¥0.6264
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0824
    • 50+

      ¥0.8447
    • 150+

      ¥0.7428
    • 500+

      ¥0.6157
    • 2500+

      ¥0.5471
    • 5000+

      ¥0.5132
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0973
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      ¥0.8629
    • 150+

      ¥0.7625
    • 500+

      ¥0.6372
    • 2500+

      ¥0.5357
    • 5000+

      ¥0.5022
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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    • 5+

      ¥1.1093
    • 50+

      ¥0.8734
    • 150+

      ¥0.7722
    • 500+

      ¥0.646
    • 2500+

      ¥0.5899
    • 5000+

      ¥0.5561
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1186
    • 50+

      ¥0.8671
    • 150+

      ¥0.7593
    • 500+

      ¥0.6248
    • 2500+

      ¥0.5649
    • 5000+

      ¥0.529
  • 有货
  • NC7WZ14 是一款带施密特触发器输入的双逆变器,属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速 (UHS) 系列,采用节省空间的 SC70 6 引线封装。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造,可实现超高速和高输出驱动,同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时,输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V,而无论 VCC 运行电压任何。施密特触发器输入在 5V 下可实现正向和负向输入阈值电压之间的 1V 典型迟滞值。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1243
    • 50+

      ¥0.9109
    • 150+

      ¥0.8194
    • 500+

      ¥0.7053
    • 2500+

      ¥0.6545
    • 5000+

      ¥0.624
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1639
    • 50+

      ¥0.9386
    • 150+

      ¥0.8421
    • 500+

      ¥0.7216
    • 2500+

      ¥0.6133
    • 5000+

      ¥0.5811
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部或底部电路板安装。 符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序文件。 无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1652
    • 50+

      ¥0.9132
    • 150+

      ¥0.8052
    • 500+

      ¥0.6704
    • 2500+

      ¥0.6104
    • 5000+

      ¥0.5744
  • 有货
  • 电压-输入失调(最大值)7mV
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1687
    • 50+

      ¥0.9093
    • 150+

      ¥0.7981
    • 500+

      ¥0.6593
    • 2500+

      ¥0.5976
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2122
    • 50+

      ¥0.9527
    • 150+

      ¥0.8415
    • 500+

      ¥0.6369
    • 2500+

      ¥0.5751
    • 5000+

      ¥0.538
  • 有货
  • 这些双运算放大器采用了为四运算放大器优化的电路设计,具有低功耗、共模输入电压范围扩展至地/VEE 以及单电源或双电源供电的特点。LM358 系列相当于半个 LM324。在单电源应用中,相较于标准运算放大器类型,这些放大器具有多个显著优势
    数据手册
    • 5+

      ¥1.258
    • 50+

      ¥1.0089
    • 150+

      ¥0.9022
    • 500+

      ¥0.7691
    • 2500+

      ¥0.5856
    • 5000+

      ¥0.55
  • 有货
  • 由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单一单片结构中构建而成。这些反相器主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的地方。六个反相器中的每一个都是单级的,以尽量减少传播延迟。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2777
    • 50+

      ¥0.9954
    • 150+

      ¥0.8745
    • 500+

      ¥0.7236
    • 2500+

      ¥0.6564
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