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型号：NTMD4840NR2G 编号：C97778

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。双SOIC-8表面贴装封装节省电路板空间。这是一个无铅器件。应用：磁盘驱动器。DC-DC转换器

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型号：MC7812BD2TR4G 编号：C231294

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计为固定电压调节器，适用于包括本地、板载调节在内的各种应用。这些调节器采用内部电流限制、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过1.0 A的输出电流。

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型号：NCP5501DT33RKG 编号：C904519

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

这些线性低压降稳压器可在用户可调的1.25V至5.0V输出范围内提供高达500 mA的电流，也可提供1.5V、3.3V或5.0V的固定输出电压，典型输出电压精度优于3%。内部PNP传输晶体管允许在最低输入电压下实现低压降和满载电流运行。NCV版本适用于要求扩展温度运行以及现场和变更控制的严苛汽车应用。NCP5500和NCV5500版本包括使能/关断功能，提供DPAK 5和SOIC 8封装

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型号：FDS6690A 编号：C87667

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

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型号：MOC3020SR2M 编号：C899781

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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型号：MC7912CTG 编号：C126459

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器是流行的 MC7800 系列设备的补充。这些负电压调节器提供与 MC7800 设备相同的七种电压选项。此外，MECL 系统中常用的一种额外电压选项在负 MC7900 系列中也可用。提供从 -5.0V 到 -24V 的固定输出电压选项，这些调节器采用了限流、热关断和安全区补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。

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型号：NTGD4167CT1G 编号：C140582

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，互补，30V，+2.9/-2.2 A，TSOP-6 双

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型号：UC3845BVD1R2G 编号：C146766

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，有输入和参考欠压锁定且均具有迟滞、按周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存，以及每隔一个振荡器周期即对输出进行间隔关断的触发器，可将输出停滞时间编程为 50% 到 70%。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX844B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX845B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

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型号：NTTFS5C454NLTAG 编号：C146707

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40 V，3.8 mΩ，85 A，单 N 沟道

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型号：FDC6326L 编号：C890874

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

该设备特别适用于需要3V至20V输入和1.8A输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。此负载开关在一个小巧的SuperSOT-6封装中集成了一个小N沟道功率MOSFET（Q1），用来驱动一个大P沟道功率MOSFET（Q2）。

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型号：MUR1620CTG 编号：C9206

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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型号：MJD45H11G 编号：C5424

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

设计用于通用电源和开关，如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。

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型号：MC7915CD2TR4G 编号：C153065

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器是流行的 MC7800 系列设备的补充。这些负电压调节器提供与 MC7800 设备相同的七种电压选项。此外，MECL 系统中常用的一种额外电压选项在负 MC7900 系列中也可用。提供从 -5.0V 到 -24V 的固定输出电压选项，这些调节器采用了限流、热关断和安全区补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。

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型号：FQD13N06LTM 编号：C236914

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：FQD2N100TM 编号：C74765

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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型号：6N137M 编号：C5344

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：Fusb302mpx 编号：C442699

封装：WFQFN-14(2.5x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

FUSB302 是一个可编程的 USB Type-C 控制器，支持 PD 协议，可以配置为主机、设备或双角色端口。

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型号：NTF3055L108T1G 编号：C152278

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

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型号：NCP81071BDR2G 编号：C411209

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流，在米勒平坦区高达 5A 峰值电流，有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能，在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。

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型号：NCP1380DDR2G 编号：C415858

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1380 是一款高性能器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器基于专属的谷锁闭系统，可以在功率负载变轻时进行切换并降低开关频率。这样将产生稳定的运行，即使在漏极-源极谷中总是触发的开关事件下也是如此。此系统可在低至第 4 个谷的条件下运行，并在之后切换到变频模式，确保卓越的待机功率性能。为了提高过载条件下的安全性，该控制器包括了过功率保护 (OPP) 电路，可对高电平线路处提供的电源进行箝制。具有安全功能的固定内部计时器依赖反馈电压来检测故障。一旦计时器到期，控制器则停止并保持选项 A 和 C 的锁存状态，或者进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。该控制器尤其适用于适配器应用，有一个引脚来实施过电压/高温组合保护（版本 A 和 B）或欠电压/过电压组合保护（版本 C 和 D）。

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型号：NCP3334DADJR2G 编号：C130124

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3334是一款高性能、低压差稳压器。它在电压和负载变化时的精度为±0.9%，且具有超低静态电流和噪声，具备当今消费电子产品所需的所有必要特性。

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型号：FAN53611AUC18X 编号：C464153

封装：WLCSP-6(0.9x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN53611是一种6MHz降压开关电压调节器,提供1A输出电流,输入电压范围为2.3V至5.5V。该调节器采用同步整流技术,具有92%的峰值效率,轻负载时效率仍保持在80%以上。它以6MHz的固定频率运行,支持外部频率同步和低纹波PFM模式。典型静态电流为24μA,关断模式下电源电流降至1μA以下。支持热关断和过载保护。

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型号：MJE15033G 编号：C134072

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

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型号：CAT24M01WI-GT3 编号：C62273

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：MUR1560G 编号：C61702

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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型号：FDD3682 编号：C258218

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

N沟道 100V 32A

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型号：MBRB2545CTT4G 编号：C129732

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。

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型号：MJE15030G 编号：C233749

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

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型号：FDMS86252L 编号：C606108

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。

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型号：NCP5109BDR2G 编号：C190727

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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