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100V 200mA
型号：BAS16LT1G 编号：C94377
封装：SOT-23
品牌：onsemi(安森美)
此开关二极管适用于高速开关应用。 此器件采用 SOT-23 表面贴装封装，适用于自动化插入。
数据手册

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    ￥0.1362

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    50V 100mA
    型号：MMUN2211LT1G 编号：C55059
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
    数据手册

    • 20+

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  • 有货
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    100V 200mA
    型号：LL4148 编号：C84135
    封装：SOD-80C
    品牌：onsemi(安森美)
    小信号二极管
    数据手册

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      ￥0.1797

    • 200+

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      ￥0.0823
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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：SMMBT3904LT1G 编号：C84555
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

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      ￥0.1842

    • 200+

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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT2222ATT1G 编号：C94417
    封装：SC-75(SOT-523)
    品牌：onsemi(安森美)
    这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-416/SC-75封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。
    数据手册

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      ￥0.1868

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      ￥0.1452

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    独立式 耐压:10V 电流:3uA@8V
    型号：MMSZ5240BT1G 编号：C82084
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

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      ￥0.2178

    • 200+

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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MBT3904DW1T1G 编号：C110150
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    MBT3904DW1 和 MBT3904DW2 器件是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。此双 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用，采用 SOT-363 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中，此类器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2219

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      ￥0.1763

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      ￥0.11
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    PNP 电流:500mA 电压:80V
    型号：MMBTA56LT1G 编号：C85394
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

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      ￥0.2255

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    独立式 耐压:3.3V 电流:5uA@1V
    型号：BZX84C3V3LT1G 编号：C82473
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

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      ￥0.2424

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    电压:40V 电流:120mA
    型号：BAS40-04LT1G 编号：C78265
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。
    数据手册

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      ￥0.2453

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    单向TVS 22V截止 峰值浪涌电流：1A
    型号：MMBZ27VALT1G 编号：C41376
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2823

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    电压:30V 电流:200mA
    型号：RB520S30T1G 编号：C154821
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
    数据手册

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    独立式 耐压:3.3V 电流:5uA
    型号：MM3Z3V3T1G 编号：C75073
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2885

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      ￥0.2242

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    超高速双缓冲器
    型号：NC7WZ16P6X 编号：C114148
    封装：SC-70-6(SOT-363)
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7WZ16 是安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列双逆变器。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3203

    • 100+

      ￥0.2567

    • 300+

      ￥0.2248

    • 3000+

      ￥0.201

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      ￥0.1724
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.5A
    型号：MMBF170LT1G 编号：C28871
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，500 mA，60 V，N 沟道，SOT?23
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3638

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      ￥0.2839

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      ￥0.244

    • 3000+

      ￥0.2141

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      ￥0.1901

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      ￥0.1781
  • 有货
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    双缓冲器，带施密特触发输入，超高速，高输出驱动，宽Vcc工作范围
    型号：NC7WZ17P6X 编号：C81546
    封装：SOT-363-6
    品牌：onsemi(安森美)
    带施密特触发器输入的 TinyLogic UHS 双通道缓冲器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3983

    • 100+

      ￥0.3104

    • 300+

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    • 3000+

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    • 9000+

      ￥0.194
  • 有货
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    50V 100mA
    型号：MMUN2233LT1G 编号：C86932
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4392

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      ￥0.2475
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    单向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：17A@8/20us
    型号：SM05T1G 编号：C111172
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5334

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      ￥0.4274

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      ￥0.3029

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      ￥0.287
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138K 编号：C255592
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，0.22A，1.6Ω
    数据手册

    • 5+

      ￥0.575

    • 50+

      ￥0.4742

    • 150+

      ￥0.4238

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      ￥0.3149

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    电压:60V 电流:1A
    型号：SS16T3G 编号：C113257
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7328

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      ￥0.5712

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      ￥0.3813

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      ￥0.357
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    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：35ns
    型号：MURS120T3G 编号：C36610
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8058

    • 50+

      ￥0.6326

    • 150+

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    • 500+

      ￥0.4604

    • 2500+

      ￥0.4085

    • 5000+

      ￥0.3825
  • 有货
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    低失调电压双比较器
    型号：LM293DR2G 编号：C99582
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    LM393系列是双路独立精密电压比较器，可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源供电时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子众多应用的理想选择。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8085

    • 50+

      ￥0.6488

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      ￥0.3766

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      ￥0.3527
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    六路施密特触发反相器
    型号：MC74HC14ADR2G 编号：C152545
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    MC74HC14A的引脚排列与LS14、LS04和HC04相同。该器件的输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，可与LSTTL输出兼容。HC14A可有效改善缓慢的输入信号上升和下降时间，使波形更接近方波
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3001

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      ￥1.0078

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      ￥0.8825

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      ￥0.7262

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      ￥0.6566

    • 5000+

      ￥0.6149
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    3V@10nA
    型号：MMBFJ175LT1G 编号：C133304
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.5487

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    1-Kb至16-Kb I2C CMOS串行EEPROM
    型号：CAT24C08WI-GT3 编号：C80801
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    CAT24C08 是一款 EEPROM 串行 8-Kb I2C 器件，内部组织为 64 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多两个 CAT24C08 器件的寻址。
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    1-Kb至16-Kb I2C CMOS串行EEPROM
    型号：CAT24C16WI-GT3 编号：C81197
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    CAT24C16 是一款 EEPROM 串行 16-Kb I2C 器件，内部组织为 128 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多一个 CAT24C16 器件的寻址。
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    低噪声双/四运算放大器
    型号：MC33079DR2G 编号：C9376
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    MC33078/9 系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列，运用了创新的高性能理念，适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频 PNP 输入晶体管，使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全 NPN 输出级无死区交越失真，输出电压摆幅大，具有出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源极和漏极交流频率性能。MC33078/9 系列提供双放大器和四放大器版本，采用塑料 DIP 和 SOIC 封装（后缀为 P 和 D）。
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    低功耗、低噪声运算放大器
    型号：MC33179DR2G 编号：C153743
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    MC33178/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器产品系列，运用了创新的高性能理念，适用于优质音频和数据信号处理应用。该器件系列采用高频PNP输入晶体管，使放大器具备低输入失调电压、低噪声和低失真的特性。此外，该放大器每个放大器仅消耗420 μA的漏极电流，同时还具备高输出电流驱动能力
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：MOC3023M 编号：C5240
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：MOC3021M 编号：C5242
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。
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