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封装：SOIC-14

是低成本、四通道运算放大器，具有真正的差分输入。在单电源应用中，它们比标准运算放大器类型有几个明显的优势。四通道放大器可在低至3.0V或高达32V的电源电压下工作，静态电流约为MC1741的五分之一（每个放大器）。共模输入范围包括负电源，从而在许多应用中无需外部偏置组件。输出电压范围也包括负电源电压。

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5+
￥1.3386
50+
￥1.0494
150+
￥0.9254
500+
￥0.7708
2500+
￥0.6497
5000+
￥0.6083

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型号：MJD45H11T4G 编号：C47515

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

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1+
￥2.9
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￥2.31
30+
￥2.07
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￥1.75
500+
￥1.51
1000+
￥1.42

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型号：NCV8402ADDR2G 编号：C109030

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8402D/AD是一款双路受保护的低边智能分立器件。其保护功能包括过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位电路。该器件具备保护功能，适用于严苛的汽车环境

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1+
￥5.49
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￥4.41
30+
￥3.87
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￥3.34
500+
￥3.14
1000+
￥2.98

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型号：FGH60N60SMD 编号：C50649

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

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￥19.85
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￥16.82
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￥15.02
90+
￥13.2
450+
￥12.36
900+
￥11.98

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型号：BAW56LT1G 编号：C82478

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此共阳极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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50+
￥0.1359
500+
￥0.1089
3000+
￥0.0885
6000+
￥0.0795
24000+
￥0.0717
51000+
￥0.0675

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型号：BAS16HT1G 编号：C131148

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。

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20+
￥0.1382
200+
￥0.1085
600+
￥0.092
3000+
￥0.0793
9000+
￥0.0707
21000+
￥0.066

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型号：BC847CLT1G 编号：C150094

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：湿度敏感度等级：1-ESD 等级。人体模型：>4000V。机器模型：>400V。 S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准

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20+
￥0.1463
200+
￥0.117
600+
￥0.1008
3000+
￥0.0881
9000+
￥0.0796
21000+
￥0.075

有货

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型号：MMBTA06LT1G 编号：C77760

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.1887
200+
￥0.1465
600+
￥0.1231
3000+
￥0.0988
9000+
￥0.0866
21000+
￥0.08

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型号：MMBT5401LT1G 编号：C21488

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2004
200+
￥0.1599
600+
￥0.1419
3000+
￥0.0987
9000+
￥0.0933
21000+
￥0.0897

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型号：MMSZ15T1G 编号：C27754

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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10+
￥0.2371
100+
￥0.1867
300+
￥0.1615
3000+
￥0.1426
6000+
￥0.1275
9000+
￥0.1199

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型号：BAT54SWT1G 编号：C78260

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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20+
￥0.2493
200+
￥0.1947
600+
￥0.1643
3000+
￥0.1326
9000+
￥0.1168
21000+
￥0.1083

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型号：MMBZ5V6ALT1G 编号：C123251

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

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10+
￥0.286
100+
￥0.2342
300+
￥0.2083
3000+
￥0.1691
6000+
￥0.1535
9000+
￥0.1458

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型号：BC817-40LT1G 编号：C94412

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2947
200+
￥0.2467
600+
￥0.2227
3000+
￥0.2047
9000+
￥0.1903
21000+
￥0.183

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型号：2N7002 编号：C124475

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.3411
100+
￥0.2719
300+
￥0.2373
3000+
￥0.2114
6000+
￥0.1906
9000+
￥0.1802

有货

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型号：MMBD4148SE 编号：C73223

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

10+
￥0.4263
100+
￥0.3413
300+
￥0.2988
3000+
￥0.23
6000+
￥0.2045
9000+
￥0.1918

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型号：BSS123 编号：C513249

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

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10+
￥0.4323
100+
￥0.3466
300+
￥0.3038
3000+
￥0.2717
6000+
￥0.246
9000+
￥0.2331

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型号：NTJD4001NT1G 编号：C190019

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

特性：低栅极电荷，实现快速开关。小尺寸封装，比TSOP-6小30%。栅极具备ESD保护。NVTJD4001N符合AEC Q101标准。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：低端负载开关。锂离子电池供电设备，如手机、个人数字助理、数码相机

数据手册

5+
￥0.5776
50+
￥0.4622
150+
￥0.4045
500+
￥0.3612
3000+
￥0.2939
6000+
￥0.2766

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型号：S1M 编号：C232826

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

S1A -S1M General-Purpose Rectifiers 是 1 A、P -I -N、SMA 整流器，具有优化的低泄漏、低电容和快速响应时间。在 1 A 时保持行业标准 VF 最大值 1.1 V 和 30 A 浪涌额定值。在系统电源效率至关重要的当今，这些优势可用于支持更高效率目标。

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5+
￥0.6035
50+
￥0.4699
150+
￥0.4031
500+
￥0.3531
2500+
￥0.2834
7500+
￥0.2633

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型号：RS1M 编号：C84573

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化结，适用于表面贴装应用。内置应力消除，适合自动贴片。 UL认证：证书编号E326243。这些器件无铅且符合RoHS标准

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5+
￥0.8649
50+
￥0.6822
150+
￥0.5909
500+
￥0.5224
2500+
￥0.4309
7500+
￥0.4035

有货

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型号：NDS331N 编号：C192741

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.0253
50+
￥0.8007
150+
￥0.7045
500+
￥0.5845
3000+
￥0.531
6000+
￥0.499

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型号：ES1J 编号：C232830

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高

数据手册

5+
￥1.0808
50+
￥0.8709
150+
￥0.781
500+
￥0.6687
2500+
￥0.4961
7500+
￥0.4661

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型号：MC7805BDTRKG 编号：C110908

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

5+
￥1.2912
50+
￥1.0311
150+
￥0.9197
500+
￥0.73
2500+
￥0.668
5000+
￥0.6309

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型号：CAT24C02TDI-GT3A 编号：C81340

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C02 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 16 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多八个 CAT24C02 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.3977
50+
￥1.123
150+
￥1.0053
500+
￥0.6878
3000+
￥0.6224
6000+
￥0.5832

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型号：MC14584BDR2G 编号：C53571

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14584B 六路施密特触发器是使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。MC14584B 可用来代替 MC14069UB 六路逆变器，以增强抗扰度，适应缓慢变化的波形。

数据手册

5+
￥1.4956
50+
￥1.2464
150+
￥1.1396
500+
￥0.7481
2500+
￥0.6887
5000+
￥0.6531

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型号：MBRS540T3G 编号：C31849

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.5496
50+
￥1.2223
150+
￥1.0273
500+
￥0.8522
2500+
￥0.7743
5000+
￥0.7275

有货

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型号：SZNUD3160LT1G 编号：C894717

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

数据手册

5+
￥2.1991
50+
￥1.6968
150+
￥1.4816
500+
￥1.1532
3000+
￥1.0336
6000+
￥0.9618

有货

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型号：MOC3061M 编号：C8918

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥4.72
10+
￥3.99
50+
￥3.2
100+
￥2.84
500+
￥2.63
1000+
￥2.51

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型号：NCP1399APDR2G 编号：C377543

封装：SOIC-16-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCP1399 是一款用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。此控制器实施了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。内置的欠电压输入功能简化了该控制器在所有应用中的实施。在需要 PFC 前级的应用中，NCP1399 具有一个专门的输出来驱动 PFC 控制器。此功能结合专门的跳过模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399 提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、放置硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动停滞时间调节、过电压 (OVP) 和高温 (OTP) 保护。

数据手册

1+
￥6.04
10+
￥4.86
30+
￥4.27
100+
￥3.69
500+
￥3.34
1000+
￥3.15

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型号：CAT24M01WI-GT3 编号：C62273

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

数据手册

1+
￥7.21
10+
￥5.79
30+
￥5.08
100+
￥4.38
500+
￥3.73
1000+
￥3.51

有货

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型号：NCP1397ADR2G 编号：C50420

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1397 是一款高性能控制器，可应用于半桥谐振拓扑结构，如串联谐振、并联谐振和 LLC 谐振转换器。它集成了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。NCP1397 具有独特的结构，包括一个其控制模式可在需要 OR 运算的情况下实现灵活性的 500 kHz 电压控制振荡器，可提供构建可靠耐用的谐振模式电源所需的一切内容。NCP1397 提供了一套保护功能，带有优化任何应用的可配置设置。其中包括：自动恢复或故障锁存、欠电压、开路光耦合器、软启动和短路保护。停滞时间也可调节以克服击穿电流。 NCV1397 提供汽车认证版本 (AEC-Q100/PPAP)

数据手册

1+
￥7.26
10+
￥5.92
30+
￥5.25
100+
￥4.58
500+
￥3.5
1000+
￥3.29

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