ST传感器_厂家_价格_品牌_库存

封装：LQFP-48(7x7)

特性：超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43 μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间（从闪存）。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA

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1+
￥19.42
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￥16.29
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￥14.33
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￥12.32
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￥11.02

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型号：STM32WLE5CCU6 编号：C2888218

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

Sub-GHz 无线微控制器。 Arm Cortex-M4 @48 MHz，具有 256 KB 闪存、64 KB SRAM。 LoRa、(G)FSK、(G)MSK、BPSK 调制。 AES 256 位。多协议片上系统。

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￥23.16
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￥19.81
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￥17.81
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￥13.81

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型号：STM32F334C8T6 编号：C99450

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法DSP指令。存储器：高达64 KB的闪存；高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM；常规增强器：指令和数据总线上4 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：VDD、VDDA电压范围2.0至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；为RTC和备份寄存器提供VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器（带校准）；内部8 MHz RC（PLL选项下最高64 MHz）；内部40 kHz振荡器。多达51个快速I/O端口，均可映射到外部中断向量，部分可承受5 V电压。互连矩阵。 7通道DMA控制器

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￥30.74
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￥26.05
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￥23.26
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￥20.44
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型号：STM32H750IBK6 编号：C730200

封装：UFBGA-201

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16 Kbytes数据缓存和16 Kbytes指令缓存；频率高达480 MHz，具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 128 Kbytes闪存。 1 Mbyte RAM：192 Kbytes TCM RAM（含64 Kbytes ITCM RAM + 128 Kbytes DTCM RAM用于时间关键程序），864 Kbytes用户SRAM，4 Kbytes备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133 MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR闪存同步模式时钟高达133 MHz，SDRAM/LPSDR SDRAM 8/16位，NAND闪存。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动防篡改、安全固件升级支持、安全访问模式。多达168个I/O端口，具备中断能力

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1+
￥31.99
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￥27.18
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￥24.26
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￥21.8

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型号：STM32F722RET6 编号：C118207

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位ARM Cortex M7 CPU，带FPU、自适应实时加速器和8KB数据缓存与8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达512KB的闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护）。 528字节的OTP内存。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据TCM RAM）+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM。灵活的外部存储器控制器，具备高达32位数据总线：支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。双模式Quad-SPI。时钟、复位和电源管理。 1.7V至3.6V应用电源和I/O

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￥35.75
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￥30.42
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￥26.45
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￥23.24
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￥21.76
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￥21.1

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型号：STM32F427ZGT6 编号：C117816

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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1+
￥36.7
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￥31.42
60+
￥28.2
120+
￥25.5

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型号：STM32F429IIT6 编号：C75389

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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1+
￥38.21
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￥32.49
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￥29.01
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￥26.09

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型号：STM32H750XBH6 编号：C405932

封装：TFBGA-265

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16 Kbytes数据缓存和16 Kbytes指令缓存；频率高达480 MHz，具备MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。128 Kbytes闪存。1 Mbyte RAM：192 Kbytes TCM RAM（含64 Kbytes ITCM RAM + 128 Kbytes DTCM RAM用于时间关键程序），864 Kbytes用户SRAM和4 Kbytes备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133 MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR闪存，同步模式下时钟频率高达133 MHz；SDRAM/LPSDR SDRAM 8/16位；NAND闪存。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动防篡改、安全固件升级支持、安全访问模式。多达168个I/O端口，具备中断能力

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1+
￥39.51
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￥33.62
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￥30.04
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￥27.03

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型号：STM32F429ZIT6 编号：C84808

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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1+
￥39.62
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￥33.89
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￥30.39
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￥27.46

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型号：STM32F429BIT6 编号：C93564

封装：LQFP-208(28x28)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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1+
￥52.96
10+
￥45.23
30+
￥40.51
100+
￥36.56

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型号：STM32H743XIH6 编号：C114407

封装：TFBGA-265

品牌：ST(意法半导体)

特性：32-bit Arm Cortex-M7核心，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存，允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行；频率高达400MHz，具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，支持读时写。 1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。多达168个具有中断能力的I/O端口

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1+
￥61.25
10+
￥50.3
30+
￥45.26
100+
￥41.04

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型号：STM32H745XIH6 编号：C1338373

封装：TFBGA-265

品牌：ST(意法半导体)

特性：双核：32 位 Arm Cortex-M7 内核，带双精度 FPU 和 16KB 数据、16KB 指令缓存，频率高达 480MHz，有 MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令；32 位 Arm Cortex-M4 内核，带 FPU、自适应实时加速器，频率高达 240MHz，有 MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。

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1+
￥68.95
10+
￥59.93
30+
￥54.44
100+
￥49.83

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型号：STM32H745ZIT6 编号：C730193

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：双核：32 位 Arm Cortex-M7 内核，带双精度 FPU 和 16KB 数据、16KB 指令缓存，频率高达 480MHz，有 MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令；32 位 Arm Cortex-M4 内核，带 FPU、自适应实时加速器，频率高达 240MHz，有 MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。

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1+
￥69.25
10+
￥60.11
30+
￥54.54
100+
￥49.88

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型号：MM1Z5B1 编号：C108142

封装：SOD-123

品牌：ST(先科)

高精度（2%）5.1V稳压管，MM1Z5V1和ZMM5V1的精度是5%

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50+
￥0.1215
500+
￥0.0956
3000+
￥0.0741
6000+
￥0.0654
24000+
￥0.0579
51000+
￥0.0539

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型号：DB3 编号：C60568

封装：DO-35

品牌：ST(意法半导体)

高可靠性。玻璃钝化确保参数稳定，并防止结区受到污染。

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10+
￥0.291
100+
￥0.2341
300+
￥0.2056
1000+
￥0.1843
5000+
￥0.1474
10000+
￥0.1389

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型号：L78L05ACD13TR 编号：C7543

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，可提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为固定电压调节器，用于广泛的应用，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造大电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻组合的替代品，可提供改进，并具有更低的静态电流和更低的噪声。

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10+
￥0.3877
100+
￥0.3107
300+
￥0.2722
2500+
￥0.2433
5000+
￥0.2202
10000+
￥0.2086

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型号：STTH112A 编号：C131297

封装：SMA

品牌：ST(意法半导体)

1200 V，1A超高速二极管

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5+
￥0.9936
50+
￥0.7598
150+
￥0.6429
500+
￥0.5553
2500+
￥0.4851
5000+
￥0.45

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型号：L78M12CDT-TR 编号：C16424

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

三端正压调节器有TO-220、TO-220FP、DPAK和IPAK封装，并具有多种固定输出电压，适用于广泛的应用。这些调节器可提供板载局部稳压，消除单点稳压带来的分配问题。每种类型均采用内部限流、热关断和安全区保护，使其基本不会损坏。如果提供足够的散热，它们可以提供超过0.5A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些设备可与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

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5+
￥1.0762
50+
￥0.8347
150+
￥0.7311
500+
￥0.602
2500+
￥0.5445
5000+
￥0.5099

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型号：UC3845BD1013TR 编号：C7118

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

UC384xB系列控制IC具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且外部元件数量极少。内部集成的电路包括：一个经过微调的振荡器，用于在欠压锁定状态下实现精确的占空比控制，启动电流小于0.5 mA；一个在误差放大器输入端经过精度微调的精密基准源；确保锁存操作的逻辑电路；一个同时提供电流限制控制的PWM比较器；以及一个图腾柱输出级，设计用于提供或吸收高峰值电流。该输出级适用于驱动N沟道MOSFET，在关断状态下为低电平。该系列各成员之间的差异在于欠压锁定阈值和最大占空比范围。UC3842B和UC3844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线应用。UC3843B和UC3845B的相应阈值为8.5V和7.9V。UC3842B和UC3843B可在接近100%的占空比下工作。UC3844B和UC3845B通过增加一个内部触发触发器，使输出每隔一个时钟周期关断，从而实现0至<50%的占空比范围。

数据手册

5+
￥1.6944
50+
￥1.3086
150+
￥1.1433
500+
￥0.937
2500+
￥0.8451
5000+
￥0.79

有货

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型号：L7912CV-DG 编号：C3797

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

L79xxC 系列三端负电压稳压器采用 TO-220、TO-220FP 和 D²PAK 封装，并提供多种固定输出电压，适用于各种应用。这些稳压器可提供本地卡上稳压，从而消除了单点稳压带来的分配问题；此外，由于具有与 L78xx 正电压标准系列相同的电压选项，它们尤其适用于分离式电源。如果提供足够的散热，它们可以提供超过 1.5 A 的输出电流。虽然这些器件主要设计为固定电压稳压器，但它们也可以与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

5+
￥1.762
50+
￥1.3858
150+
￥1.2245
500+
￥1.0234
2400+
￥0.9338
4800+
￥0.88

有货

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型号：L7812CD2T-TR 编号：C13456

封装：TO-263-2

品牌：ST(意法半导体)

采用TO-220、TO-220FP、D²PAK和DPAK封装，有几种固定输出电压，适用于广泛的应用领域。这些稳压器可以提供板载本地稳压，消除与单点稳压相关的分配问题。每种类型都内置了内部限流、热关断和安全区域保护，基本不会损坏。如果提供足够的散热措施，它们可以提供超过1A的输出电流。虽然主要设计为固定电压稳压器，但这些器件可与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

5+
￥1.9214
50+
￥1.4729
150+
￥1.2807
1000+
￥1.0409
2000+
￥0.9341
5000+
￥0.87

有货

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型号：L6388ED013TR 编号：C23921

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.32
30+
￥2.04
100+
￥1.69
500+
￥1.54
1000+
￥1.44

有货

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型号：STM32F030C6T6TR 编号：C106925

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F030x4、STM32F030x6、STM32F030x8 和 STM32F030xC 微控制器集成了高性能的 Arm Cortex -M0 32 位 RISC 内核，工作频率为 48 MHz，高速嵌入式存储器（高达 256 KB 的 Flash 存储器和高达 32 KB 的 SRAM），以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备提供标准通信接口（最多两个 I2C、最多两个 SPI 和最多六个 USART）、一个 12 位 ADC、七个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。这些微控制器的工作温度范围为 -40 至 +85°C，供电电压范围为 2.4 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。这些微控制器包括四种不同封装的设备，引脚数从 20 到 64 不等。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。

数据手册

1+
￥3.09
10+
￥2.75
30+
￥2.58
100+
￥2.41
500+
￥2.31
1000+
￥2.26

有货

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型号：M24M01-RMN6TP 编号：C79990

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.88
30+
￥2.47
100+
￥2.13
500+
￥2.02
1000+
￥1.96

有货

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型号：STM32C011F4P6TR 编号：C7373263

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达48 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达32 Kbytes的带保护的闪存；6 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。具有CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）。低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机

1+
￥3.63
10+
￥2.9
30+
￥2.54
100+
￥2.18
500+
￥1.97
1000+
￥1.85

有货

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型号：STM32G071CBU6 编号：C529343

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

数据手册

1+
￥8.3
10+
￥7.44
30+
￥6.91
100+
￥6.36
500+
￥6.11
1000+
￥6

有货

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型号：STM32L051K8U6TR 编号：C516778

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留

数据手册

1+
￥9.43
10+
￥7.85
30+
￥6.98
100+
￥5.79
500+
￥5.35
1000+
￥5.16

有货

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型号：STM8S207R8T6TR 编号：C2054482

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：最大fCPU：高达24 MHz，在fCPU ≤ 16 MHz时0等待状态。具有哈佛架构和3级流水线的高级STM8内核。扩展指令集。24 MHz时最大20 MIPS。存储器：程序：高达128 Kbytes闪存；在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年。数据：高达2 Kbytes真数据EEPROM；耐久性300 kcycles

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1+
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型号：STM32F103VGT6 编号：C8305

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 并带有 MPU。最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。768 KB 至 1 MB 的闪存，96 KB 的 SRAM。灵活的静态内存控制器，带有 4 个片选，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式

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型号：STM32F205ZET6 编号：C46197

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator，允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达 1 Mbyte 的闪存；512 字节的 OTP 存储器；高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM；支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。时钟、复位和电源管理：1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O；POR、PDR、PVD 和 BOR；4 至 26 MHz 晶体振荡器；内部 16 MHz 工厂校准 RC；带校准的 32 kHz RTC 振荡器；带校准的内部 32 kHz RC。

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