ST传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：STM32L031F6P6 编号：C115208

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃至 125℃温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.35μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.6μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留

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￥12.27
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型号：STM8S207R8T6TR 编号：C2054482

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：最大fCPU：高达24 MHz，在fCPU ≤ 16 MHz时0等待状态。具有哈佛架构和3级流水线的高级STM8内核。扩展指令集。24 MHz时最大20 MIPS。存储器：程序：高达128 Kbytes闪存；在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年。数据：高达2 Kbytes真数据EEPROM；耐久性300 kcycles

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￥15.6
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型号：STM8L151K6T6 编号：C8259

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作电源范围：1.8V至3.6V（掉电时低至1.65V）。温度范围：-40°C至85°C、105°C或125°C。 5种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带完整RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。功耗：195μA/MHz + 440μA。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停状态快速唤醒：4.7μs

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型号：STM32F303CCT6 编号：C81523

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上，带硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

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型号：STM32F205ZET6 编号：C46197

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator，允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达 1 Mbyte 的闪存；512 字节的 OTP 存储器；高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM；支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。时钟、复位和电源管理：1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O；POR、PDR、PVD 和 BOR；4 至 26 MHz 晶体振荡器；内部 16 MHz 工厂校准 RC；带校准的 32 kHz RTC 振荡器；带校准的内部 32 kHz RC。

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型号：STM32H563RIT6 编号：C20619634

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存，两个存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

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型号：STM32L476RGT6 编号：C74797

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl：电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为300nA，为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式（LDO模式）100μA/MHz，运行模式（@3.3V SMPS模式）39μA/MHz

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型号：M24C64-FMN6TP 编号：C143943

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：M24C32-RMN6TP 编号：C79920

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

32 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：STTH112U 编号：C56792

封装：SMB

品牌：ST(意法半导体)

1200 V，1A超高速二极管

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￥1.2209
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型号：LM393ST 编号：C2688712

封装：MiniSO-8

品牌：ST(意法半导体)

LM193、LM293和LM393器件由两个独立的低压比较器组成，专门设计用于在宽电压范围内的单电源下工作，也可采用双电源供电。这些比较器还具有独特的特性，即使在单电源电压下工作，其输入共模电压范围也包含地电位。

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型号：L78M15CDT-TR 编号：C55508

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

三端正压调节器有TO-220、TO-220FP、DPAK和IPAK封装，并具有多种固定输出电压，适用于广泛的应用。这些调节器可提供板载局部稳压，消除单点稳压带来的分配问题。每种类型均采用内部限流、热关断和安全区保护，使其基本不会损坏。如果提供足够的散热，它们可以提供超过0.5A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些设备可与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

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￥1.2472
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￥0.9866
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型号：UC3843BD1013TR 编号：C92746

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

UC384xB系列控制IC具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且外部元件数量极少。内部集成的电路包括：一个经过微调的振荡器，用于在欠压锁定状态下实现精确的占空比控制，启动电流小于0.5 mA；一个在误差放大器输入端经过精度微调的精密基准源；确保锁存操作的逻辑电路；一个同时提供电流限制控制的PWM比较器；以及一个图腾柱输出级，设计用于提供或吸收高峰值电流。该输出级适用于驱动N沟道MOSFET，在关断状态下为低电平。该系列各成员之间的差异在于欠压锁定阈值和最大占空比范围。UC3842B和UC3844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线应用。UC3843B和UC3845B的相应阈值为8.5V和7.9V。UC3842B和UC3843B可在接近100%的占空比下工作。UC3844B和UC3845B通过增加一个内部触发触发器，使输出每隔一个时钟周期关断，从而实现0至<50%的占空比范围。

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￥2.1505
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￥1.7289
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型号：L6388ED013TR 编号：C23921

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

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￥3.15
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型号：LM317D2T-TR 编号：C91673

封装：TO-263-2

品牌：ST(意法半导体)

1.2 V - 37 V可调稳压器

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型号：VIPER12ASTR-E 编号：C7522

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

VIPER12A在同一硅芯片上集成了专用的电流模式PWM控制器和高压功率MOSFET。典型应用包括电池充电器适配器的离线电源、电视或显示器的待机电源、电机控制的辅助电源等。内部控制电路具有以下优点：VDD引脚的宽输入电压范围可适应辅助电源电压的变化（此特性非常适合电池充电器适配器配置）、低负载条件下的自动间歇模式以及HICCUP模式下的过压保护。

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￥3.56
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￥2.84
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型号：ST25DV04KC-IE6S3 编号：C3304276

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

具有 4-Kbit EEPROM 和快速传输模式功能的动态 NFC/RFID 标签 IC

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￥4.47
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型号：STM32C031G6U6TR 编号：C7324966

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

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￥5.05
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型号：STM8S103F3P6TR 编号：C92081

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。程序存储器：8 Kbyte Flash，在55℃下10 kcycle后数据保留20年。数据存储器：640 byte真数据EEPROM，耐久性300 kcycle。 RAM：1 Kbyte。 2.95至5.5V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC

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￥5.82
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￥4.68
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型号：STP110N8F6 编号：C81146

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,80V,110A,6.5mΩ@10V

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￥6.02
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￥3.8
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型号：STM32G031G8U6TR 编号：C5270180

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：ST1S10PHR 编号：C11175

封装：SOIC-8-EP

品牌：ST(意法半导体)

ST1S10 是一款高效率的同步降压 PWM 转换器,能够提供高达 3 A 的输出电流。输入电压范围为 2.5 V 至 18 V,输出电压可调范围为 0.8 V 至 13.6 V。该器件具有同步整流功能,提高效率,尤其是在低输出电压下。它还具有抑制功能、动态短路保护和典型的 90% 效率。

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型号：ST1S14PHR 编号：C84130

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

ST1S14是一款能够提供高达3A输出电流的降压开关调节器。它的工作输入电压范围为5.5V到48V,内部固定开关频率为850kHz。该器件具有内部软启动功能,最大静态电流为2.4mA。输出电压可在1.22V以上设置。

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￥4.92
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型号：STM8L151G6U6TR 编号：C85325

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作条件：工作电源范围 1.8V 至 3.6V（掉电时低至 1.65V）；温度范围：-40℃ 至 85℃、105℃ 或 125℃。低功耗特性：5 种低功耗模式（等待、低功耗运行 (5.1μA)、低功耗等待 (3μA)、带完整 RTC 的活动暂停 (1.3μA)、暂停 (350nA)）；功耗：195μA/MHz@440μA；每个 I/O 超低泄漏：50nA；从暂停快速唤醒：4.7μs。先进的 STM8 内核：哈佛架构和 3 级流水线；最大频率 16MHz，16 CISC MIPS 峰值；多达 40 个外部中断源。复位和电源管理：低功耗、超安全的 BOR 复位，有 5 个可选阈值；超低功耗 POR/PDR；可编程电压检测器 (PVD)。时钟管理：1 至 16MHz 晶体振荡器；32kHz 晶体振荡器；内部 16MHz 工厂校准 RC；内部 38kHz 低功耗 RC；时钟安全系统。低功耗 RTC：带闹钟中断的 BCD 日历；通过周期性中断从暂停自动唤醒

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￥9.05
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型号：STM32L031G6U6 编号：C96514

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃至 125℃温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.35μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.6μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留

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型号：STM8S105C6T6TR 编号：C130280

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，指令集扩展。中等密度闪存/EEPROM：程序存储器高达32 Kbytes，在55℃下10 kcycles后数据保留20年；数据存储器高达1 Kbytes真正数据EEPROM，耐久性300 kcycles。RAM：高达2 Kbytes。2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。带时钟监控的时钟安全系统

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型号：STM32L053R8T6 编号：C79207

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40至125℃温度范围。 0.27μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。运行模式下88μA/MHz。 3.5μs唤醒时间（从RAM）

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型号：STM32G071CBT6 编号：C432212

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/125°C。存储器：高达128 KB的闪存，36 KB的SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项（±1%）的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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￥12.3
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￥8.34
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型号：STM32F401RCT6 编号：C74524

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带批量采集模式（BAM）。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心：带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，内存保护单元，105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达64 KB的静态随机存取存储器（SRAM）。时钟、复位和电源管理：1.7V至3.6V应用电源和I/O，POR、PDR、PVD和BOR，4至26 MHz晶体振荡器，内部16 MHz工厂校准RC，带校准的32 kHz RTC振荡器，带校准的内部32 kHz RC

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￥11.67
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型号：STSPIN32G4 编号：C7434864

封装：VFQFPN-64(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

STSPIN32G4是一款高度集成且灵活的电机控制器，用于驱动三相无刷电机，可帮助设计人员选择最合适的驱动模式，减少PCB面积和总体物料清单。它内置一个三半桥栅极驱动器，能够驱动电流能力为1 A（灌电流和拉电流）的功率MOSFET，同时还集成了三个自举二极管。由于具备集成互锁功能，同一半桥的高端和低端开关无法同时被驱动至高电平

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