ST传感器_厂家_价格_品牌_库存

封装：LQFP-48(7x7)

特性：工作条件:工作电源：1.8V至3.6V。温度范围：-40℃至85℃。低功耗特性:五种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带完整RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。功耗：195μA/MHz + 440μA。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停模式快速唤醒：4.7μs

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型号：M24M02-DRMN6TP 编号：C115042

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Mbit串行I2C总线EEPROM

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型号：STB15810 编号：C620154

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关性能。

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型号：STM32L011F4P6 编号：C87903

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

基于 ARM Cortex-M0+ 的 32 位超低功耗微控制器，最高 16KB Flash，2KB SRAM，512B EEPROM，具备 ADC

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型号：STM8L052C6T6 编号：C66710

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作条件:工作电源：1.8V至3.6V。温度范围：-40℃至85℃。低功耗特性:五种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带完整RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。功耗：195μA/MHz + 440μA。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停模式快速唤醒：4.7μs

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型号：L5973D013TR 编号：C54619

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

L5973D 是一款降压型单片式功率开关稳压器，其开关电流限制最小值为 2.5 A，因此根据应用条件，它能够向负载提供超过 2 A 的直流电流。输出电压可在 1.235 V 至 35 V 之间进行设置。得益于带有散热片的 SO8 封装，该器件还能实现高电流水平，这种封装可将热阻 Rth(j-amb) 降低至约 40℃/W

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型号：STM32F051K8U6 编号：C72339

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。数字和I/O电源：VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源：VDDA = 从VDD到3.6V

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型号：STM32F411RET6 编号：C94355

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：Dynamic Eficiency Line with BAM (Batch Acquisition Mode)-1.7V to 3.6V power supply - -40°C to 85/105/125°C temperature range。核心：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTm）允许从闪存零等待状态执行，频率高达 100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），和 DSP 指令。

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￥12.78
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￥9.11
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型号：STM32F334R8T6 编号：C80577

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）的32位ARM Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，支持DSP指令。存储器：高达64 KB的闪存；高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM；4 KB带硬件奇偶校验的SRAM（CCM），用于指令和数据总线。 CRC计算单元。复位和电源管理：VDD、VDDA电压范围：2.0至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；为RTC和备份寄存器提供VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，可校准；内部8 MHz RC（通过PLL选项最高可达64 MHz）；内部40 kHz振荡器。多达51个快速I/O端口，均可映射到外部中断向量，部分可承受5 V电压。互连矩阵。 7通道DMA控制器

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￥19.79
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型号：STM32F334C8T6 编号：C99450

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法DSP指令。存储器：高达64 KB的闪存；高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM；常规增强器：指令和数据总线上4 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：VDD、VDDA电压范围2.0至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；为RTC和备份寄存器提供VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器（带校准）；内部8 MHz RC（PLL选项下最高64 MHz）；内部40 kHz振荡器。多达51个快速I/O端口，均可映射到外部中断向量，部分可承受5 V电压。互连矩阵。 7通道DMA控制器

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￥23.89
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型号：STM32F427ZGT6 编号：C117816

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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￥38.24
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￥29.84
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型号：STM32H743XIH6 编号：C114407

封装：TFBGA-265

品牌：ST(意法半导体)

特性：32-bit Arm Cortex-M7核心，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存，允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行；频率高达400MHz，具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，支持读时写。 1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。多达168个具有中断能力的I/O端口

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￥81.48
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型号：TL084CDT 编号：C11130

封装：SOIC-14

品牌：ST(意法半导体)

TL084、TL084A 和 TL084B 是高速 JFET 输入四通道运算放大器，集成了匹配良好的高电压 JFET 和双极型晶体管于单片集成电路中。这些器件具有高摆率、低输入偏置和失调电流以及低温漂失调电压的特点。

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型号：STM8S001J3M3TR 编号：C124291

封装：SOIC-8-150mil

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，3个主时钟源

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￥3.61
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￥2.87
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￥2.15
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￥1.97
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型号：ST26C31BDR 编号：C94192

封装：SOIC-16

品牌：ST(意法半导体)

ST26C31B是一款四通道差分线驱动器，适用于平衡线上的数字数据传输，并满足EIA标准RS-422的所有要求。

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￥2.3

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型号：STM8S207R8T6 编号：C8256

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心: -最大CPU频率：高达24 MHz，在CPU频率 ≤ 16 MHz时无等待状态。 -采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。 -扩展指令集。 -在24 MHz下最大20 MIPS。存储器: -程序：高达128 KB Flash，在56℃下经过10k周期后数据保留20年。 -数据：高达2 KB真正的数据EEPROM，耐久性300k周期

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￥9.92
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型号：STM32F072C8T6 编号：C80488

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F072X8/XB 微控制器集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32位 RISC 内核，工作频率可达48MHz，高速嵌入式存储器（高达128KB的闪存和16KB的SRAM），以及一系列增强型外设和I/O。所有设备提供了标准通信接口（两个I2C、两个SPI/I2S、一个HDMI CEC和四个USART）、一个USB全速设备（无需晶体）、一个CAN、一个12位ADC、一个带有两个通道的12位DAC、七个16位定时器、一个32位定时器和一个高级控制PWM定时器。STM32F072X8/XB微控制器的工作温度范围为-40至+85℃或-40至+105℃，供电电压范围为2.0V至3.6V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F072X8/XB微控制器包括七种不同封装形式的产品，从48引脚到100引脚不等，并可根据需求提供裸片形式。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。这些特性使得STM32F072X8/XB微控制器适用于广泛的应用领域，如应用控制与用户界面、手持设备、A/V接收机和数字电视、PC外围设备、游戏和GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲门铃和暖通空调系统。

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￥12.72
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￥11.4
250+
￥9.38
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￥8.77
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￥8.51

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型号：STM32L431CBT6 编号：C277951

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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￥14.18
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￥12.54
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￥10.31
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￥9.56
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￥9.23

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型号：STM32F205RET6 编号：C66278

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存执行零等待状态性能，具备MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达1 Mbyte的闪存；512字节的OTP存储器；高达128 + 4 Kbytes的SRAM；灵活的静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器；LCD并行接口，8080/6800模式。

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￥29.13
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￥24.76
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￥21.49
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￥18.87
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￥17.66
1000+
￥17.11

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型号：STM32G431CBU6 编号：C529356

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。常规加速：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：具备上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）、可编程电压检测器（PVD）、低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机）、VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC可选PLL（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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1+
￥37.79
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￥33.23
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￥30.32
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￥27.5

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型号：STM32F407ZGT6 编号：C19156

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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1+
￥44.24
10+
￥39.25
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￥36.06
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￥32.98

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型号：STM32H750XBH6 编号：C405932

封装：TFBGA-265

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16 Kbytes数据缓存和16 Kbytes指令缓存；频率高达480 MHz，具备MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。128 Kbytes闪存。1 Mbyte RAM：192 Kbytes TCM RAM（含64 Kbytes ITCM RAM + 128 Kbytes DTCM RAM用于时间关键程序），864 Kbytes用户SRAM和4 Kbytes备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133 MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR闪存，同步模式下时钟频率高达133 MHz；SDRAM/LPSDR SDRAM 8/16位；NAND闪存。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动防篡改、安全固件升级支持、安全访问模式。多达168个I/O端口，具备中断能力

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1+
￥60.22
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￥51.34
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￥45.92
100+
￥41.39

有货

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型号：LM2903DT 编号：C98194

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

该器件由两个独立的低功耗电压比较器组成，专门设计用于在宽电压范围内由单电源供电运行。也可以采用双电源供电。此外，该器件具有一个独特的特性，即即使采用单电源电压供电，其输入共模电压范围也包含负电源轨。

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10+
￥0.4451
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￥0.3529
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￥0.3068
2500+
￥0.2722
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￥0.2446
10000+
￥0.2307

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型号：TL082IDT 编号：C107647

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

JFET输入，低输入偏置电流

数据手册

5+
￥0.6961
50+
￥0.5532
150+
￥0.4817
500+
￥0.3875
2500+
￥0.3447
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￥0.3232

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型号：TS321ILT 编号：C38380

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

TS321器件适用于对成本敏感且对节省空间要求极高的应用场景。这款双极运算放大器（运放）采用SOT23 - 5封装，减小了元件尺寸，其规格参数与行业标准器件（如广受欢迎的LM358A、LM324及其他类似器件）相当甚至更优。TS321器件的输入共模范围（Vicm）包含地电位，因此可用于单电源应用

数据手册

5+
￥1.3236
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￥1.0548
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￥0.9396
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￥0.7959
3000+
￥0.7319
6000+
￥0.6934

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型号：TL074CDT 编号：C6963

封装：SOIC-14

品牌：ST(意法半导体)

JFET输入，低输入偏置电流

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5+
￥1.3571
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￥1.0699
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￥0.9469
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￥0.7933
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￥0.7249
5000+
￥0.6839

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型号：M24512-RMN6TP 编号：C79991

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥2.4051
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￥1.9166
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￥1.7073
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￥1.4461
2500+
￥1.3298
5000+
￥1.26

有货

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型号：STM8S003K3T6CTR 编号：C92470

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器

数据手册

1+
￥6.29
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￥5.15
30+
￥4.58
100+
￥4.01
500+
￥3.27
1000+
￥3.09

有货

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型号：L6574D013TR 编号：C178266

封装：SOIC-16

品牌：ST(意法半导体)

支持预热和调光的CFL/TL镇流器驱动器

数据手册

1+
￥7.63
10+
￥6.18
30+
￥5.39
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￥4.49
500+
￥4.1
1000+
￥3.92

有货

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型号：STM32F402RCT6 编号：C2915304

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F402XC器件基于高性能的Arm® Cortex® -M4 32位RISC内核，工作频率高达84 MHz。Cortex®-M4内核带有单精度浮点运算单元（FPU），支持所有ARM®单精度数据处理指令和数据类型。具备DSP指令集和增强应用安全的内存保护单元（MPU）。STM32F402xC器件整合了高速内置存储器，Flash存储器和SRAM的容量分别高达256K字节和64K字节，以及大量连至2条APB总线、2条AHB总线和1个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O与外设。所有器件均带有1个12位ADC、1个低功耗RTC、6个通用16位定时器（包括1个用于电机控制的PWM定时器）、2个通用32位定时器。它们还带有标准与高级通信接口：高达三个I2C高达四个SPI两个全双工I2S。为达到音频级的精度，I2S外设可通过专用内部音频PLL提供时钟，或使用外部时钟以实现同步。三个USARTSDIO接口USB 2.0 OTG全速接口。STM32F402xC器件的工作温度范围是 - 40至 + 85 ℃，供电电压范围是1.7（PDR OFF）至3.6 V。适合低功耗应用设计的一组完整的节电模式。

数据手册

1+
￥12.57
10+
￥10.74
30+
￥9.59
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