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首页 > 热门关键词 > ALLEGRO传感器
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CT8131BV-IL4
型号：CT8131BV-IL4 编号：C33970921
封装：LGA-4
品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
用于消费和工业应用。基于Allegro专利的XtremeSense TMR技术与集成CMOS工艺，提供单片解决方案，具有卓越的传感性能。在工作温度范围内提供稳定的磁操作。功耗极低，低至110 nA，适用于要求最小电流消耗的电池供电产品。支持低至9 G的磁场，适用于需要较大气隙的应用。对于需要非常小的外形尺寸和薄型的应用，采用4引脚LGA封装。也提供行业标准的3引脚SOT-23封装，以支持工业市场的大批量制造。

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    霍尔效应锁存
    型号：A1221LLHLX-T 编号：C2152798
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
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    APS12450LLHALT-0SLA
    型号：APS12450LLHALT-0SLA 编号：C5456637
    封装：ZLH-3
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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    A1120ELHLX-T
    型号：A1120ELHLX-T 编号：C17229673
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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    用于消费和工业应用的斩波稳零式精密霍尔效应锁存器
    型号：A3290KUA-T 编号：C3715833
    封装：SIP-3
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    A3290和A3291霍尔效应锁存器是具有极高温度稳定性和抗应力能力的传感器IC，特别适合在较宽的温度范围（最高可达125°C）内工作。动态失调消除技术使卓越的高温性能成为可能，该技术可减少通常由器件封装注塑、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。除磁开关点不同外，这两款器件完全相同

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    霍尔效应锁存
    型号：A1222LLHLT-T 编号：C2655090
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    A1220、A1221、A1222 和 A1223 霍尔效应传感器 IC 是温度稳定性极高且抗应力的器件，特别适合在高达 150°C 的宽温度范围内工作。动态失调消除技术使卓越的高温性能成为可能，该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个短路保护的开漏输出，可吸收高达 25 mA 的电流
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    霍尔效应锁存
    型号：APS12626LLHALT-AAP 编号：C2152443
    封装：SOT-23W-5
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
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    霍尔效应开关
    型号：APS11700LLHALT-0PL 编号：C2655012
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    适用于24V汽车应用，符合AEC-Q100标准，符合ISO 26262:2011 ASIL A（待确认）。温度稳定，适用于高达165℃的扩展结温范围。具有微功耗调节器，仅消耗6μA电流，专为恶劣的汽车和工业环境设计，具备板载过压和反接保护。适用于高达24V的汽车和工业应用的直接电池连接
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    霍尔效应锁存
    型号：A1250LLHLX-T 编号：C2655018
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    Hall-effect传感器IC是温度稳定、抗应力的双极开关。该器件是双极开关系列中最灵敏的霍尔效应器件，适用于环形磁铁感应。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除专利技术，实现了卓越的高温性能。这种方法可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的失调电压。Hall-effect双极开关在足够强度的南极磁场中开启，在足够强度的北极磁场中关闭。由于如果磁场减弱或移除，输出状态不确定，为确保器件切换，建议在应用中使用两种极性且强度足够的磁铁。工作环境温度范围为-40℃至150℃。两种封装样式为大多数应用提供了磁优化解决方案。每个封装都是无铅版本，具有100%雾锡电镀引线框架。
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    线性霍尔效应模拟输出传感器IC
    型号：A1315LLHLX-5-T 编号：C17534652
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    新的线性输出霍尔效应传感器应用，如位移和角位置，需要更高的精度和更小的封装尺寸。线性霍尔效应传感器IC专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件有表面贴装和通孔封装两种形式。每个器件的精度通过生产线末端优化得到提高

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    霍尔效应开关
    型号：A1153LLHLT-T 编号：C2152540
    封装：SOT-23
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    A1150、A1152、A1153、A1155、A1156、A1157 和 A1158 构成了一系列两线式单极霍尔效应开关，这些开关在出厂时经过微调，以优化磁开关点精度。这些器件采用先进的 BiCMOS 晶圆制造工艺生产，该工艺采用了高频四相斩波稳定技术。这种技术可在整个工作温度范围内实现磁稳定性，并消除了在恶劣应用环境中使用单个霍尔元件的器件固有的失调问题
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    适用于消费和工业应用的精密霍尔效应锁存器
    型号：APS13290KLHALT 编号：C17293336
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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    霍尔效应锁存
    型号：A3291KLHLT-T 编号：C1559699
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
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    A1308KUATN-1-T
    型号：A1308KUATN-1-T 编号：C27417867
    封装：SIP-3
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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    霍尔效应锁存器/双极开关
    型号：A1250LUA-T 编号：C17641029
    封装：SIP-3
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    Hall-effect传感器IC是温度稳定、抗应力的双极开关。该器件是双极开关系列中最灵敏的霍尔效应器件，适用于环形磁铁感应。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除专利技术，实现了卓越的高温性能。这种方法可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的失调电压。Hall-effect双极开关在足够强度的南极磁场中开启，在足够强度的北极磁场中关闭。由于如果磁场减弱或移除，输出状态不确定，为确保器件切换，建议在应用中使用两种极性且强度足够的磁铁。工作环境温度范围为-40℃至150℃。两种封装样式为大多数应用提供了磁优化解决方案。每个封装都是无铅版本，具有100%雾锡电镀引线框架。

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    霍尔效应锁存
    型号：A1250LLHLT-T 编号：C2152870
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
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    霍尔效应开关
    型号：A1106LLHLT-T 编号：C2655040
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    Allegro A1101 - A1104 和 A1106 霍尔效应开关是广受欢迎的 Allegro 312x 和 314x 系列单极开关的下一代替代产品。采用 BiCMOS 技术生产的 A110x 系列器件具有上电时间短和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行，通过消除可能由封装应力引起的失调，确保提高开关点精度
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    ACS37041KLHBLT-010B3
    型号：ACS37041KLHBLT-010B3 编号：C42949339
    封装：SOT-23-5-W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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    霍尔效应开关
    型号：A1101ELHLX-T 编号：C2152819
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    Allegro A1101 - A1104 和 A1106 霍尔效应开关是广受欢迎的 Allegro 312x 和 314x 系列单极开关的下一代替代产品。采用 BiCMOS 技术生产的 A110x 系列器件具有上电时间短和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行，通过消除可能由封装应力引起的失调，确保提高开关点精度
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    霍尔效应锁存
    型号：A1213LUA-T 编号：C1526841
    封装：SIP-3
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    Allegro A1210 - A1214霍尔效应锁存器是广受欢迎的Allegro 317x和318x系列锁存开关的下一代替代产品。采用BiCMOS技术生产的Al21x系列器件具有上电时间短和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行，通过消除封装应力可能导致的失调，确保提高开关点精度
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    CT110PDV-HD6
    型号：CT110PDV-HD6 编号：C34047563
    封装：DFN-6
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    是高线性度和高分辨率的隔离式接触电流传感器，采用专利的XtremeSense™ TMR技术设计，性能卓越。通过集成载流导体（CCC）测量流经DFN封装的电流，并将其转换为代表电流的模拟比例输出电压。典型总输出误差小于±0.5%，能够感应低至5 mA的电流，提供无与伦比的分辨率。支持2.7至5.5 V的宽工作电压范围，可用于各种应用

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    汽车级、电流隔离式电流传感器IC，具备共模磁场抑制和过流检测功能，采用小尺寸薄型封装
    型号：ACS71240KEXBLT-030B5 编号：C3684142
    封装：QFN-12(3x3)
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    是一种经济且精确的解决方案，适用于工业、汽车、商业和通信应用中的交流或直流电流检测。由一个精确、低失调的线性霍尔传感器电路和位于芯片表面附近的铜传导路径组成。通过该铜路径的电流会产生磁场，由集成霍尔IC感应并转换为成比例的电压。集成导体的电阻远低于典型的感测电阻，可降低功率损耗并提高效率。通过差分感应实现对外部共模磁场的抑制，可在磁场嘈杂的环境中实现高精度。低失调、斩波稳定的霍尔前端可产生与测量电流成比例的精确电压。零安培输出电压和器件灵敏度在工厂进行编程，可在整个汽车温度范围内提供高精度解决方案。集成了故障比较器，可简化过流检测。超快的响应时间使系统有足够的时间检测并防止短路事件。

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    汽车级、电流隔离式电流传感器IC，具备共模磁场抑制和过流检测功能，采用小尺寸薄型封装
    型号：ACS71240KEXBLT-050U5 编号：C2155534
    封装：QFN-12(3x3)
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    是一种经济、精确的解决方案，用于工业、商业和通信应用中的交流或直流电流感测。该设备由一个精确、低失调的线性霍尔传感器电路和位于芯片表面附近的铜传导路径组成。通过该铜路径的电流会产生一个磁场，该磁场被集成霍尔IC感应并转换为成比例的电压。集成导体的电阻远低于典型的感测电阻，从而降低了功率损耗并提高了效率
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    CT220BMC-HS5
    型号：CT220BMC-HS5 编号：C26942804
    封装：SOT-23-5
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    CT220是一款基于其获得专利的XtremeSenseTM隧道磁阻（TMR）技术开发的高线性度、高分辨率非接触式电流传感器。CT220可测量流经母线排或印刷电路板（PCB）走线的电流所产生的磁场，并将其转换为模拟输出电压，该电压代表磁场强度，进而反映电流大小。作为非接触式电流传感器，它天生具备高隔离性，非常适合那些因工作电压高且需与人交互而有产品安全合规要求的应用场景

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    ACS71240KEXBLT-010B5
    型号：ACS71240KEXBLT-010B5 编号：C27268000
    封装：WFQFN-12(3x3)
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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    A1203LLHLT-T
    型号：A1203LLHLT-T 编号：C696105
    封装：SOT-23
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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    A1205LLHLT-T
    型号：A1205LLHLT-T 编号：C163310
    封装：SOT-23W-3
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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    连续时间锁存器系列
    型号：A1214LUA-T 编号：C17519775
    封装：SIP-3
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    是下一代替代流行的317x和318x系列锁存开关的产品。采用BiCMOS技术生产，具有快速上电时间和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行，以确保通过消除封装应力可能引起的偏移来提高开关点精度。独特的霍尔元件几何形状和低偏移放大器有助于最小化噪声，并减少通常由器件注塑、温度漂移和热应力引起的残余偏移电压

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    集成电路/传感器芯片
    型号：A4979GLPTR-T 编号：C459289
    封装：TSSOP-28-EP
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    A4979是一款灵活的微步进电机驱动器，内置翻译器，操作简便。它是一款单芯片解决方案，旨在以全步、半步、四分之一步和十六分之一步模式驱动双极步进电机，工作电压最高可达50 V，电流可达1.5 A。A4979可通过简单的步进和方向输入进行控制，也可通过兼容SPI的串行接口进行控制，该接口还可用于对许多集成功能进行编程并读取诊断信息

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    ACS71240LLCBTR-050B3
    型号：ACS71240LLCBTR-050B3 编号：C26824446
    封装：QFN-7(4x4)
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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