ALLEGRO传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：A1126LLHLX-T 编号：C459233

封装：SOT-23W-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A1126集成电路是一款具有数字输出的全极超灵敏霍尔效应开关。该器件集成了稳压器，可在高达24 V的电压下工作。该器件特别适合在高达150℃的宽温度范围内工作

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型号：A1121LUA-T 编号：C1559717

封装：SIP-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

霍尔效应单极开关是极其温度稳定和抗应力的传感器IC,特别适合在高达150°C的扩展温度范围内工作。卓越的高温性能通过动态失调消除实现,该技术可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定器、施密特触发器和一个短路保护的开漏输出,可吸收高达25mA的电流。板载调节器允许在3至24V的电源电压下工作

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型号：APS11202LLHALT 编号：C19762025

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

APS11202霍尔效应开关是一款温度稳定性极高且抗应力的传感器IC，特别适合在宽温度范围（最高可达150°C）内工作。动态失调消除技术使该器件具备卓越的高温性能，这种技术可降低通常由器件封装塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。该器件在单颗硅芯片上集成了稳压器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个短路保护的开漏输出，可吸收高达25 mA的电流

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型号：CT8122AM-HS3 编号：C24763809

封装：SOT-23-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

CT812x 系列双极隧道磁阻（TMR）数字锁存器专为消费和工业应用而设计。这些器件基于获得专利的 XtremeSense TMR 技术，并采用集成式 CMOS 工艺，为卓越的传感性能提供了单芯片解决方案。CT812x 数字锁存器在工作温度范围内可实现稳定的磁操作

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型号：A1221LLHLT-T 编号：C696107

封装：SOT-23

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A1220、A1221、A1222 和 A1223 霍尔效应传感器 IC 是温度稳定性极高且抗应力的器件，特别适合在高达 150°C 的宽温度范围内工作。动态失调消除技术实现了卓越的高温性能，该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单颗硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个具有短路保护功能的开漏输出，可吸收高达 25 mA 的电流

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型号：CT8112DK-IS3 编号：C37297543

封装：SOT-23-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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型号：CT8132BV-HL4 编号：C25321678

封装：LGA-4(1.45x1.45)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

设计用于消费和工业应用。基于Allegro专利的XtremeSenseTM TMR技术与集成CMOS工艺，提供单片解决方案，以实现卓越的传感性能。在工作温度范围内提供稳定的磁操作。功耗低至110nA，适用于对电流消耗要求极低的电池供电产品。支持低至9G的磁场，适用于对气隙要求较大的应用。有4引脚LGA封装，适用于对尺寸和外形要求非常小的应用；也有行业标准的3引脚SOT-23封装，支持工业市场的大批量制造。

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型号：CT100LW-HS6 编号：C24406147

封装：SOT-23-6

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

CT100是一款采用全桥配置的一维线性传感器，基于其获得专利的XtremeSenseTM TMR技术开发。CT100的总磁场范围为 -50 mT至50 mT，在 -20 mT至20 mT的范围内，其线性误差可达 ±0.5%，同时具备XtremeSense性能，可在整个温度范围内实现无与伦比的温度稳定性。该器件支持1.0至5.5 V的宽工作电压范围

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型号：A1212LUA-T 编号：C163286

封装：TO-92S

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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型号：CT8132SK-IL4 编号：C22412920

封装：LGA-4(1.5x1.5)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

CT813x系列的全极隧道磁阻 (TMR) 数字开关专为消费和工业应用而设计。这些设备基于Allegro获得专利的XtremeSense™ TMR技术，并集成了CMOS工艺，为卓越的传感性能提供了单片解决方案。CT813x数字开关在工作温度范围内提供稳定的磁操作。

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型号：A1222LLHLT-T 编号：C2655090

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A1220、A1221、A1222 和 A1223 霍尔效应传感器 IC 是温度稳定性极高且抗应力的器件，特别适合在高达 150°C 的宽温度范围内工作。动态失调消除技术使卓越的高温性能成为可能，该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个短路保护的开漏输出，可吸收高达 25 mA 的电流

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型号：APS11700LLHALT-0PL 编号：C2655012

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

适用于24V汽车应用，符合AEC-Q100标准，符合ISO 26262:2011 ASIL A（待确认）。温度稳定，适用于高达165℃的扩展结温范围。具有微功耗调节器，仅消耗6μA电流，专为恶劣的汽车和工业环境设计，具备板载过压和反接保护。适用于高达24V的汽车和工业应用的直接电池连接

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型号：A1152LLHLX-T 编号：C2152821

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A1150、A1152、A1153、A1155、A1156、A1157 和 A1158 构成了一系列两线式单极霍尔效应开关，这些开关在出厂时经过微调，以优化磁开关点精度。这些器件采用先进的 BiCMOS 晶圆制造工艺生产，该工艺采用了高频四相斩波稳定技术。这种技术可在整个工作温度范围内实现磁稳定性，并消除了在恶劣应用环境中使用单个霍尔元件的器件固有的失调问题

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型号：A1120EUA-T 编号：C1559735

封装：SIP-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A1120、A1121、A1122、A1123和A1125霍尔效应单极开关是具有极高温度稳定性和抗应力能力的传感器IC，特别适合在高达150°C的宽温度范围内工作。动态失调消除技术使卓越的高温性能成为可能，该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个可吸收高达25mA电流的短路保护开漏输出

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型号：A1101ELHLX-T 编号：C2152819

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

Allegro A1101 - A1104 和 A1106 霍尔效应开关是广受欢迎的 Allegro 312x 和 314x 系列单极开关的下一代替代产品。采用 BiCMOS 技术生产的 A110x 系列器件具有上电时间短和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行，通过消除可能由封装应力引起的失调，确保提高开关点精度

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型号：ACS71240KEXBLT-030B5 编号：C3684142

封装：QFN-12(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一种经济且精确的解决方案，适用于工业、汽车、商业和通信应用中的交流或直流电流检测。由一个精确、低失调的线性霍尔传感器电路和位于芯片表面附近的铜传导路径组成。通过该铜路径的电流会产生磁场，由集成霍尔IC感应并转换为成比例的电压。集成导体的电阻远低于典型的感测电阻，可降低功率损耗并提高效率。通过差分感应实现对外部共模磁场的抑制，可在磁场嘈杂的环境中实现高精度。低失调、斩波稳定的霍尔前端可产生与测量电流成比例的精确电压。零安培输出电压和器件灵敏度在工厂进行编程，可在整个汽车温度范围内提供高精度解决方案。集成了故障比较器，可简化过流检测。超快的响应时间使系统有足够的时间检测并防止短路事件。

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型号：A1213LUA-T 编号：C1526841

封装：SIP-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

Allegro A1210 - A1214霍尔效应锁存器是广受欢迎的Allegro 317x和318x系列锁存开关的下一代替代产品。采用BiCMOS技术生产的Al21x系列器件具有上电时间短和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行，通过消除封装应力可能导致的失调，确保提高开关点精度

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型号：CT310LS-ID8 编号：C36458642

封装：DFN-8(2x2)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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型号：CT220BMV-IS5 编号：C26846376

封装：SOT-23

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一款基于专利XtremeSenseTM TMR技术的高线性度和高分辨率非接触式电流传感器。该传感器测量流过母线或印刷电路板 (PCB) 走线的电流的磁场，并将其转换为代表该磁场和电流的模拟输出电压。作为非接触式电流传感器，它具有固有的高隔离性，使其成为因高工作电压与产品的人工交互而需要符合产品安全要求的应用的理想解决方案。在感应低至5mA的磁场（电流）时，典型总输出误差为±0.5%

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型号：ACS71240KEXBLT-010B3-115 编号：C1497623

封装：WFQFN-12(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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型号：A1103LLHLT-T 编号：C2655025

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是下一代替代产品，采用BiCMOS技术生产，具有快速上电时间和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行，可消除封装应力引起的偏移，确保提高开关点精度。独特的霍尔元件几何形状和低失调放大器有助于最小化噪声，并减少通常由器件包封、温度漂移和热应力引起的残余失调电压。集成了电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、施密特触发器和NMOS输出晶体管

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型号：A1205LLHLT-T 编号：C163310

封装：SOT-23W-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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型号：A1214LUA-T 编号：C17519775

封装：SIP-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是下一代替代流行的317x和318x系列锁存开关的产品。采用BiCMOS技术生产，具有快速上电时间和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行，以确保通过消除封装应力可能引起的偏移来提高开关点精度。独特的霍尔元件几何形状和低偏移放大器有助于最小化噪声，并减少通常由器件注塑、温度漂移和热应力引起的残余偏移电压

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型号：ACS71240KEXBLT-050B5 编号：C29650380

封装：WFQFN-12(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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￥13.55
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￥13.31

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型号：A1210LUA-T 编号：C5456633

封装：SIP-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是下一代替代流行的317x和318x系列锁存开关的产品。采用BiCMOS技术生产，具有快速上电时间和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行，以确保通过消除封装应力可能引起的偏移来提高开关点精度。独特的霍尔元件几何形状和低偏移放大器有助于最小化噪声，并减少通常由器件注塑、温度漂移和热应力引起的残余偏移电压

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￥13.69
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型号：A1319LUA-5-T 编号：C2688273

封装：SIP-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

线性输出霍尔效应传感器的新应用，如位移和角位置测量，需要更高的精度和更小的封装尺寸。A1318和A1319线性霍尔效应传感器IC专门设计用于满足这两项要求。这些温度稳定型器件提供表面贴装和通孔封装两种形式

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型号：A1389LLHLX-9-T 编号：C17590275

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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型号：ACS37220LEZATR-100B5 编号：C26191384

封装：LQFN-7(4x4)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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型号：A1330LLETR-P-T 编号：C2153608

封装：TSSOP-8

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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型号：CT426-HSN830DR 编号：C28396968

封装：SOIC-8

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一款高带宽、超低噪声的集成式接触电流传感器，采用专利TMR技术，可实现高精度电流测量，适用于许多工业、消费和汽车应用。支持八种电流范围，集成载流导体（CCC）可处理高达65A的电流，并将电流测量结果作为线性模拟输出电压。总输出误差小于±1.0%满量程（FS）。输出响应时间约为300ns，电流消耗约为6.0mA，且不受共模场影响。具有滤波功能，可降低输出引脚的噪声。采用行业标准的8引脚SOIC封装，环保且符合RoHS标准。

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