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NVE的模拟巨磁阻(GMR)传感器具有高灵敏度、出色的温度稳定性和小尺寸的特点。它们的多功能性和宽感应范围使其成为各种模拟感应应用的理想选择,包括工业和汽车领域的位置、速度和电流传感器。这些传感器采用本质上具有温度补偿功能的惠斯通桥结构
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  • ADLxxx系列传感器是巨磁阻(GMR)数字开关器件,设计用于3伏电源或单节锂电池供电,电源电流极低。这些器件采用NVE公司获得专利的自旋电子GMR技术和低功耗CMOS电路制造,在小型化、灵敏度、精度和低功耗方面表现出色。输出配置为磁性“开关”,施加磁场时输出开启,移除磁场时输出关闭
    数据手册
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  • 角度传感器使用独特的隧道磁阻(TMR)元件,具有大信号和低功耗的特点。传感器提供定义旋转角度的正弦和余弦信号。输出与电源电压成正比,峰峰值输出电压比传统传感器技术大得多。传感器由两个半桥组成。一个型号具有典型的1.25MΩ桥电阻,实现超低功耗,另一个型号具有6MΩ的桥电阻,实现超超低功耗。部件采用2.5mm×2.5mm×0.8mm的TDFN6表面贴装封装。
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  • ADLxxx系列传感器是巨磁阻(GMR)数字开关器件,设计用于3伏电源或单节锂电池供电,电源电流极低。这些器件采用NVE公司获得专利的自旋电子GMR技术和低功耗CMOS电路制造,在小型化、灵敏度、精度和低功耗方面表现出色。输出配置为磁性“开关”,施加磁场时输出开启,移除磁场时输出关闭
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