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TMCS1123是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ± 96A ，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kV_RMS ，加上最小8mm的爬电距离和间隙，可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。固定的灵敏度允许器件使用单个3V至5.5V的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。

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型号：GP2Y0E03 编号：C920270

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品牌：SHARP(夏普)

是一种测距传感器单元，由CMOS图像传感器和红外LED集成组合而成。由于采用三角测量法，物体反射率、环境温度和工作时间不易影响距离检测。该设备输出与检测距离对应的电压和数字（I²C）数据，也可用作接近传感器。

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型号：TDSEMIC-488 编号：C52437617

封装：-

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

智能小车避障碍传感器距离远红外传感器光电开关KY-032

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型号：LLS-MCP61 编号：C41436179

封装：-

品牌：Mysentech(敏源传感)

咖啡机、饮水机、加湿器等智能家电、智能硬件单点液位检测，通过专用的电容型高频感知芯片测量介电常数的变化，传感器穿透性强，可穿透机箱、水箱多层，模组内置温度补偿及嵌入式处理器，可以有效克服容器壁较厚、有空气间隔、液体介质有挂壁等问题。供电电压DC 2V~5.5V，感应距离0mm-5mm非金属介质，电容测量范围2pF~30pF，分辨率0.001pF，工作温度范围-40℃~+85℃，模组尺寸50*50*7.5mm（长*宽*高）。

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型号：VCNL36828P 编号：C19183990

封装：SMD,2x1mm

品牌：VISHAY(威世)

VCNL36828P是一款完全集成的接近传感器。它在单个封装内集成了垂直腔面发射激光器（VCSEL）、光电二极管和专用集成电路（ASIC）。VCNL36828P专为需要双从机地址、低功耗、小封装尺寸、小窗口尺寸和短距离操作的接近检测应用而开发

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型号：HAL835PUT-A 编号：C27019357

封装：TO-92-3

品牌：TDK

这是一款基于霍尔效应的具有线性输出的通用磁场传感器。该IC与旋转或移动磁铁结合使用时，可用于角度或距离测量。其主要特性，如磁场范围、灵敏度、输出静态电压（B = 0mT时的输出电压）和输出电压范围，可在非易失性存储器中编程。传感器具有比例输出特性，即输出电压与磁通量和电源电压成正比

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型号：MT6501GT-ADD 编号：C7431278

封装：TSSOP-16

MT6501是新一代基于先进的各向异性磁阻（AMR）技术的角度位置传感器芯片。该芯片内部集成了互成45°摆放的两对AMR惠斯通电桥组成的敏感元件以及高性能的专用信号处理电路。由于AMR器件在用作角度测量应用的时候工作于饱和区（饱和磁场为300高斯），实际工作时，芯片只对平行于芯片表面的磁场的方向变化做出响应，而与磁场强度无关。因此MT6501在使用过程中，对于磁铁本身的加工误差以及磁铁和芯片的安装距离误差要求相对较低。

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型号：MT6501GT-ADD 编号：C5451786

封装：TSSOP-16

MT6501是新一代基于先进的各向异性磁阻（AMR）技术的角度位置传感器芯片。该芯片内部集成了互成45°摆放的两对AMR惠斯通电桥组成的敏感元件以及高性能的专用信号处理电路。由于AMR器件在用作角度测量应用的时候工作于饱和区（饱和磁场为300高斯），实际工作时，芯片只对平行于芯片表面的磁场的方向变化做出响应，而与磁场强度无关。因此MT6501在使用过程中，对于磁铁本身的加工误差以及磁铁和芯片的安装距离误差要求相对较低。

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型号：MT6501CT-ADD 编号：C5449396

封装：SOP-8

MT6501是新一代基于先进的各向异性磁阻（AMR）技术的角度位置传感器芯片。该芯片内部集成了互成45°摆放的两对AMR惠斯通电桥组成的敏感元件以及高性能的专用信号处理电路。由于AMR器件在用作角度测量应用的时候工作于饱和区（饱和磁场为300高斯），实际工作时，芯片只对平行于芯片表面的磁场的方向变化做出响应，而与磁场强度无关。因此MT6501在使用过程中，对于磁铁本身的加工误差以及磁铁和芯片的安装距离误差要求相对较低。

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型号：TMCS1126A1BQDVGR 编号：C33955534

封装：SOIC-10

TMCS1126 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 1% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至±103A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS，加上最小 8mm 的爬电距离和间隙，可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。

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型号：HDC3120DEFR 编号：C49279758

封装：WSON-8(2.5x2.5)

是一款基于电容的集成式相对湿度(RH)和温度传感器，其相对湿度和温度传感器结果以比例式模拟输出的形式表示。信号到模拟域的转换为需要通过线缆或其他距离用例传输信号的应用提供了稳健设计。该器件能够在宽电源电压范围（1.62V至5.5V）内提供高测量精度并实现低功耗，同时保持小于 0.19% /年的长期漂移。温度传感器和湿度传感器在量产阶段均经过 100% 测试和校准，可通过NIST进行追溯，且使用经ISO/IEC17025标准校准的设备进行了验证。

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型号：AWR2944ABGALTRQ1 编号：C20345233

封装：FCBGA-266(12x12)

AWR294x是一款单芯片毫米波传感器，由能够在76GHz至81GHz频段内工作的FMCW收发器、雷达数据处理元件和车载网络外围器件构成。AWR294x采用低功耗45nm RFCMOS工艺制造，能够在小型封装中以超低BOM数量实现出色的集成度。AWR294x器件设计用于汽车领域中的低功耗、自监控、超精确雷达系统。低功耗45nm RFCMOS工艺可实现具有集成PLL、VCO、混频器和基带ADC的单片实施3-4TX、4RX系统。DSP子系统(DSS)中集成了高性能C66x DSP，可用于处理雷达信号。该器件包含一个无线电处理器子系统(RSS)，该子系统负责雷达前端配置、控制和校准。在主要子系统(MSS)中，该器件实现了一个用户可编程的Arm Cortex-R5F处理器，允许自定义控制和汽车接口应用。硬件加速器块(HWA2.1)通过卸载通用雷达处理（例如FFT、恒定误报率(CFAR)、扩展和压缩）来对DSS和MSS进行补充。这会节省DSS和MSS上的MIPS，为自定义应用和更高级别的算法腾出了资源。器件中还提供了硬件安全模块(HSM)（仅适用于安全器件型号）。HSM由可编程Arm Cortex-M4内核和必要的基础设施组成，用于在器件内提供安全的操作区域。简单编程模型更改可支持各种传感器实施（近距离、中距离和远距离），并且能够进行动态重新配置，从而实现多模式传感器。此外，AWR294x作为完整的平台解决方案进行提供，其中包括硬件和软件参考设计、软件驱动程序、示例配置、API指南以及用户文档。

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型号：CH101-00ABR 编号：C1513115

封装：LGA-8(3.5x3.5)

品牌：TDK InvenSense(应美盛)

CH101是一款微型、超低功耗的超声波飞行时间（ToF）测距传感器。它是一款系统级封装产品，在微型、可再填充的封装中集成了一个压电微加工超声换能器（PMUT）和一个超低功耗片上系统（SoC）。该SoC运行Chirp先进的超声波数字信号处理（DSP）算法，并包含一个集成微控制器，可通过I²C接口提供数字距离读数

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型号：GXHT3WM-T 编号：C7570470

封装：-

品牌：GXCAS(中科银河芯)

单总线温湿度传感器模组@@GXHT3WM-T是一款单总线温湿度测量单元，具有宽范围的温度、湿度测量。该模组温度测量范围是-45℃~125℃，测量精度± 0.3℃，湿度测量范围是 0-100%RH，测量精度为±3%。GXHT3WM-T 采用单总线接口与外部通信，可多颗长距离分布式布网使用，完全适合于粮情测温领域，尤其是筒仓应用，与目前的粮情测控系统完全兼容可以和单总线温度传感器混合使用。ID 为0X2C 开头。

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型号：TMF8806-1AM 编号：C42429585

封装：SMD-12P,3.6x2.2mm

品牌：ams(艾迈斯半导体)

是一款dToF（直接飞行时间）光学距离传感器模块，可实现达10000mm的目标检测距离。可使用新的超低功耗模式以超低功耗运行。允许在非常宽的电压范围（1.2V、1.8V至3.3V）的主机上运行。是一个集成VCSEL的单模块封装。基于SPAD、TDC和直方图技术，实现10000mm的检测范围。

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型号：PM-F45 编号：C5296750

封装：-

品牌：PANASONIC(松下)

特性：所有型号标准配备三种保护电路：① 反向电源极性保护电路；② 反向输出极性保护电路；③ 输出短路保护电路，可减少因错误接线导致的传感器故障。光束发射和接收距离为 6mm，发射和接收部分比传统型号薄 0.5mm，在相同外形尺寸下，发射点和接收点之间的距离增加 1mm，减少传感部分与传感对象碰撞的可能性。具备 IP64 防护等级。采用原创集成成型方法，消除了传感表面和主体上的凹槽和间隙，减少因溅水或灰尘导致的故障

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型号：HAL835UT-A 编号：C1527027

封装：TO-92UA

品牌：TDK

是通用的基于霍尔效应的线性输出磁场传感器。与旋转或移动的磁铁结合使用时，可用于角度或距离测量。主要特性如磁场范围、灵敏度、输出静态电压（B = 0 mT 时的输出电压）和输出电压范围可在非易失性存储器中编程。传感器具有合理的输出特性，即输出电压与磁通量和电源电压成正比

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型号：MLX91220KDF-ABF-050-RE 编号：C3684167

封装：SOIC-16-300mil

是一款隔离式集成电流传感器，可感应流经SOIC封装低阻抗引线框架的电流。通过固定电流导体相对于单片CMOS传感器的位置，可获得工厂校准的全集成霍尔效应电流传感器。在封装内部，由电流流动产生的磁通量密度由两组霍尔板进行差分感应。因此，在快速模拟前端中，外部干扰场的影响被最小化。剩余信号被放大，以提供高速线性模拟输出电压。霍尔板与电流导体的近距离确保了高信噪比和精确的温度信号。即使进行了小型化设计，初级侧和相对的次级侧之间仍保持高电压隔离额定值。

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型号：PM-R25 编号：C5296747

封装：-

品牌：PANASONIC(松下)

特性：所有型号标准配备三种保护电路：① 反向电源极性保护电路；② 反向输出极性保护电路；③ 输出短路保护电路，可减少因错误接线导致的传感器故障。光束发射和接收距离为 6mm，发射和接收部分比传统型号薄 0.5mm，在相同外形尺寸下，发射点和接收点之间的距离增加 1mm，减少传感部分与传感对象碰撞的可能性。具备 IP64 防护等级。采用原创集成成型方法，消除了传感表面和主体上的凹槽和间隙，减少因溅水或灰尘导致的故障

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型号：MT6502CT-ADD 编号：C46867039

封装：SOP-8

MT6502是新一代基于先进的各向异性磁阻（AMR）技术的角度位置传感器芯片。由于AMR器件在用作角度测量应用的时候工作于饱和区（饱和磁场为300高斯），实际工作时，芯片只对平行于芯片表面的磁场的方向变化做出响应，而与磁场强度无关。因此MT6502在使用过程中，对于磁铁本身的加工误差以及磁铁和芯片的安装距离误差要求相对较低。

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型号：MLX91221KDC-ABF-025-RE 编号：C3684260

封装：SOIC-8

集成电流传感器可感应流经 SOIC 封装低阻抗引线框架的电流。通过固定电流导体相对于单片 CMOS 传感器的位置，可获得工厂校准的全集成霍尔效应电流传感器。封装内部，电流产生的磁通量由两组霍尔板差分感应。因此，快速模拟前端可最大程度减少外部干扰场的影响。残余信号被放大，以提供高速线性模拟输出电压。霍尔板与电流导体的近距离确保了高信噪比和随温度变化的精确信号。通过这种小型化设计，封装的初级和次级侧引脚之间仍保持高电压隔离额定值。

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型号：MLX91221KDC-ABF-025-SP 编号：C3684369

封装：SOIC-8

集成电流传感器可感应流经 SOIC 封装低阻抗引线框架的电流。通过固定电流导体相对于单片 CMOS 传感器的位置，可获得工厂校准的全集成霍尔效应电流传感器。封装内部，电流产生的磁通量由两组霍尔板差分感应。因此，快速模拟前端可最大程度减少外部干扰场的影响。残余信号被放大，以提供高速线性模拟输出电压。霍尔板与电流导体的近距离确保了高信噪比和随温度变化的精确信号。通过这种小型化设计，封装的初级和次级侧引脚之间仍保持高电压隔离额定值。

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型号：MLX91220KDF-ABF-075-RE 编号：C3684249

封装：SOIC-16-300mil