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AP0101AT 是一款专用的汽车图像协处理器，能够实现使用安森美半导体百万像素高动态范围 (HDR) 传感器的灵活摄像头平台。传感器和协处理器的双芯片解决方案可实现多种摄像头价格和性能点，能够重用电路板设计，进入市场快，实现设计灵活性。传感器性能由于减少了一个单独协处理器芯片的发热而得以提高，同时可实现高性能功能。AP0101AT 适用于汽车数字环视系统。它结合安森美半导体的 AR0132AT HDR 汽车传感器使用。

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型号：CT430-HSWF20DR 编号：C25938939

封装：SOIC-16W

是一款高带宽、超低噪声的集成接触式电流传感器，采用专利XtremeSense™ TMR技术，可在许多工业、消费和汽车应用中实现高精度电流测量。该设备支持八个电流范围，集成载流导体 (CCC) 可处理高达65 A的电流，并将电流测量结果作为线性模拟输出电压。该设备在电压和整个温度范围内的总输出误差小于±1.0%满量程 (FS)。该设备的输出响应时间约为300 ns，电流消耗约为6.0 mA，并且不受共模场的影响

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型号：HS4001 编号：C20350733

封装：LGA-8(2.5x2.5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是高精度、完全校准的汽车级相对湿度和温度传感器。MEMS传感器具有专有的传感器级保护，确保高可靠性和长期稳定性。集成校准和温度补偿逻辑通过标准I²C输出提供完全校正的相对湿度和温度值，无需用户对输出数据进行校准。高精度、快速测量响应时间和长期稳定性，结合小尺寸封装，使其适用于从便携式设备到恶劣环境产品等广泛应用。超低功耗（微瓦级），是便携式和远程应用的理想选择。

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型号：HS4011 编号：C17458188

封装：LGA-8(2.5x2.5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是高精度、完全校准的汽车级相对湿度和温度传感器，带有疏水膜，该膜使传感器防尘防水。MEMS传感器具有专有的传感器级保护，确保了高可靠性和长期稳定性。集成校准和温度补偿逻辑通过标准输出提供完全校正的相对湿度和温度值，无需用户对输出数据进行校准。高精度、快速测量响应时间和长期稳定性，结合小封装尺寸，使其适用于从便携式设备到恶劣环境设计的产品等广泛应用。超低功耗，微瓦级，使其成为便携式和远程应用的理想选择。

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型号：ACS780LLRTR-050B-T 编号：C459342

封装：PSOF-7

Allegro ACS780xLR 是一款采用新型无磁芯封装的全集成式电流传感器线性 IC，旨在感应高达 100 A 的交流和直流电流。这款汽车级、薄型（厚度为 1.5 mm）的传感器 IC 封装占用空间极小。霍尔传感器技术还具备共模磁场抑制功能，可在附近载流导体产生干扰磁场的情况下优化性能

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型号：55505-00-02-A 编号：C1526587

封装：-

品牌：Littelfuse(美国力特)

是一款坚固的法兰安装霍尔效应传感器，主要用于齿轮齿速度传感。可防止恶劣和汽车环境影响。能够切换高达27Vdc和20mA，有三线（电压输出）版本。外壳设计包含黄铜安装衬套。非常适合用于车轮、变速器和凸轮轴速度传感、齿轮齿传感器、旋转编码器、工业、商业和汽车应用。

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型号：AR0233ATSC17XUEA1-DPBR 编号：C5207388

封装：IBGA-80

引脚对新车评估程序 (NCAP)、高级驾驶辅助系统 (ADAS) 的新增要求需要传感器具有更高的功能，来满足不断出现的汽车安全标准要求。汽车摄像头系统要在更高汽车速度下，新型的挑战性照明条件下执行更复杂的算法。OEM 还希望通过将摄像头同时用于查看和传感应用来为其客户提供更多功能。AR0233AT 图像传感器具有卓越灵敏度，适用于多种汽车应用。该传感器基于 3 毫米背面照明 (BSI) 像素构建，可提供大于 140 dB 的动态范围，在低光度条件下也具有卓越性能。其有效阵列尺寸为 2048 x 1280，以每秒 60 帧的速度提供 1080p 输出。这种新型像素技术包括 LED 闪烁抑制 (LFM)，同时可保持高动态范围输出，限制了 LED 照明和交流电源中闪烁的出现，这对于摄像头监控系统 (CMS) 应用和机器视觉算法尤为重要。AR0233AT 可用于多种汽车合格封装选项，包括 iBGA、CSP 和裸片。它是符合 ISO26262 标准的 ASIL-B 安全设计，并支持 ASIL-B 或更高的摄像头系统安全等级。该传感器可兼容安森美半导体和第三方 ISP 的图像信号处理器 (ISP) 伴生芯片。

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型号：AR0820ATSC18XMEA0-DPBR 编号：C5207416

封装：IBGA-95

是一款1/2英寸CMOS数字图像传感器，具有3848H×2168V有源像素阵列。该先进的汽车传感器可通过滚动快门读出，以线性或高动态范围捕获图像。针对弱光和具有挑战性的高动态范围场景性能进行了优化，拥有2.1μm DRPix BSI像素和片上140dB HDR捕获能力。传感器包括像素内合并、开窗以及视频和单帧模式等高级功能，以提供灵活的感兴趣区域（ROI）或特定分辨率，从而在极低光照条件下增强性能。先进的传感器故障检测功能和嵌入式数据旨在使相机符合ASIL B标准。该设备可通过简单的两线串行接口进行编程，并支持MIPI输出接口。

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型号：US1881EUA-AAA-000-BU 编号：C1526856

封装：TO-92S

基于混合信号CMOS技术设计的霍尔效应锁存器，集成了稳压器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器，宽工作电压范围和多种温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用，提供TSOT表面贴装和TO-92扁平通孔安装两种3引脚封装，且均符合RoHS标准，基于混合信号CMOS技术的霍尔效应器件，具有高磁灵敏度，适用于大多数应用需求，斩波稳定放大器采用开关电容技术抑制霍尔传感器和放大器的失调，CMOS技术使芯片尺寸更小、电流消耗更低，有助于减少物理应力影响，具有更稳定的磁特性，可实现更快、更精确的设计，宽工作电压3.5V至24V、低电流消耗和多种工作温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用 -输出信号为开漏类型，可通过上拉电阻与TTL或CMOS逻辑简单连接

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型号：MLX90381GLW-ACA-100-SP 编号：C17518136

封装：DFN-6(2x2.5)

MLX90381是一款Triaxis pico-resolver单片无接触传感器IC，对施加在三个维度（X、Y、Z）的磁通密度敏感。可以选择两个轴映射到两个高速模拟输出，使得MLX90381可以用于轴上和轴外（通过轴）的位置感应，当与移动永磁体配对时。凭借其3.3V供电、高速度、小尺寸和灵活配置，MLX90381非常适合与合适的微控制器配合使用于电机控制应用中。该传感器具有宽广的操作温度范围和磁场密度范围，可以在许多工业和汽车应用中解析旋转轴的绝对角度位置。通过I2C协议直接在板上编程每个轴的灵敏度和滤波带宽，以适应配套MCU的ADC输入范围，无需外部编程工具。DFN-6封装（2.0mm x 2.5mm x 1.0mm），仅需三个外部电容器，最小化PCB面积，支持紧凑设计，并符合RoHS标准，采用镀锡表面处理和可焊侧壁。

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型号：MLX90395KDC-BBA-101-RE 编号：C1880490

封装：SOIC-8

MLX90395三轴磁传感器节点是一款微型单片传感器IC，对施加于该IC的磁通密度的三个正交分量（即BX、BY和BZ）以及温度敏感。这使得MLX90395配合合适的磁路，能够解码任何移动磁体的绝对位置。它可用于设计新一代非接触式位置传感器，这类传感器在汽车和工业应用中经常被需要

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型号：CT417-HSN830MR 编号：C26583416

封装：-

是一款高带宽、超低噪声的集成式接触电流传感器，采用Allegro专利的XtremeSense™ TMR技术，可实现高精度电流测量，适用于多种工业、消费和汽车应用。该设备支持八种电流范围，集成载流导体（CCC）可处理高达65A的电流，并将电流测量值转换为线性模拟输出电压。该设备的总输出误差小于±1.0%满量程（FS）。该设备的输出响应时间为300 ns，电流消耗约为6.0 mA，并且不受共模场的影响

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型号：ZSSC4161BE2W 编号：C22407212

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

用于高精度放大和特定传感器校正差分桥传感器信号的CMOS集成电路。该产品具有150至200的最大模拟预放大倍数，可调节以适应几乎所有电阻桥以及电压源传感器类型，如热电偶。通过16位RISC微控制器实现偏移、灵敏度、温度漂移和非线性的数字补偿。校准系数和配置数据存储在非易失性存储器（NVM）中，适用于汽车应用

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型号：CT426-HSN830MR 编号：C29129395

封装：SOIC-8

是一款高带宽、超低噪声的集成式接触电流传感器，采用专利XtremeSense™ TMR技术，可实现高精度电流测量，适用于许多工业、消费和汽车应用。支持八种电流范围，集成载流导体（CCC）可处理高达65A的电流，并将电流测量结果作为线性模拟输出电压。总输出误差小于±1.0%满量程（FS）。输出响应时间约为300 ns，电流消耗约为6.0 mA，并且抗共模场干扰。具有滤波功能，可降低输出引脚的噪声。采用行业标准的8引脚SOIC封装，环保且符合RoHS标准。

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型号：CT427-HSN850DR 编号：C29129396

封装：SOIC-8

是一款高带宽、超低噪声的集成式接触电流传感器，采用专利TMR技术，可实现高精度电流测量，适用于许多工业、消费和汽车应用。支持八个电流范围，集成载流导体（CCC）可处理高达65A的电流，并将电流测量结果生成为线性模拟输出电压。总输出误差小于±1.0%满量程（FS）。输出响应时间为300ns，电流消耗约为6.0mA，且不受共模场影响。具有集成过流检测（OCD）电路，可识别超出范围的电流（OCD），结果输出到故障标志（FLT）引脚。FLT是一个开漏、低电平有效数字信号，由器件激活，以提醒微控制器发生故障。采用行业标准的8引脚SOIC封装，环保且符合RoHS标准。

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型号：CT426-HSN850MR 编号：C27454597

封装：SOIC-8

是一款高带宽、超低噪声的集成式接触电流传感器，采用专利XtremeSense™ TMR技术，可实现高精度电流测量，适用于许多工业、消费和汽车应用。支持八种电流范围，集成载流导体（CCC）可处理高达65A的电流，并将电流测量结果作为线性模拟输出电压。总输出误差小于±1.0%满量程（FS）。输出响应时间约为300 ns，电流消耗约为6.0 mA，并且抗共模场干扰。具有滤波功能，可降低输出引脚的噪声。采用行业标准的8引脚SOIC封装，环保且符合RoHS标准。

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型号：CT426-HSN820MR 编号：C23184728

封装：SOIC-8

是一款高带宽、超低噪声的集成式接触电流传感器，采用专利XtremeSense™ TMR技术，可实现高精度电流测量，适用于许多工业、消费和汽车应用。支持八种电流范围，集成载流导体（CCC）可处理高达65A的电流，并将电流测量结果作为线性模拟输出电压。总输出误差小于±1.0%满量程（FS）。输出响应时间约为300 ns，电流消耗约为6.0 mA，并且抗共模场干扰。具有滤波功能，可降低输出引脚的噪声。采用行业标准的8引脚SOIC封装，环保且符合RoHS标准。

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型号：CT432-HSWF30MR 编号：C25624930

封装：SOIC-16W

是一款高带宽、超低噪声的集成式接触电流传感器，采用专利TMR技术，可实现高精度电流测量，适用于工业、消费和汽车应用。支持多个电流范围，集成载流导体可处理高达70A的电流，并将电流测量结果作为线性模拟输出电压。在电压和全温度范围内，总输出误差小于±1.0%满量程（FS）。输出响应时间约为300ns，电流消耗约为6.0mA，对共模场免疫。针对高dV/dt应用进行了优化，可最大程度减少与Vₒᵤₜ的电容耦合，适用于开关应用。采用行业标准的16引脚SOIC宽体封装，符合环保和RoHS标准。

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￥31.1

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型号：CT416-HSN820DR 编号：C29129392

封装：SOIC-8

是一种高带宽、超低噪声的集成式接触电流传感器，采用专利XtremeSense™ TMR技术，可在许多工业、消费和汽车应用中实现高精度电流测量。支持八个电流范围，集成载流导体（CCC）可处理高达65A的电流，并将电流测量结果作为线性模拟输出电压。总输出误差约为±1.0%满量程（FS）。输出响应时间约为300 ns，电流消耗约为6.0 mA，且不受共模场影响。具有过滤功能，可降低输出引脚上的噪声。采用行业标准的8引脚SOIC封装，环保且符合RoHS标准。

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型号：CT431-HSWF65MR 编号：C23311366

封装：SOIC-16

是一款高带宽、超低噪声的集成式接触电流传感器，采用专利 XtremeSense™ TMR 技术，可实现高精度电流测量，适用于工业、消费和汽车等多种应用。该器件支持九种电流范围，集成载流导体 (CCC) 可处理高达 65 A 的电流，并将电流测量结果作为线性模拟输出电压。该器件在电压和整个温度范围内的总输出误差小于 ±1.0% 满量程 (FS)。该器件的输出响应时间约为 300 ns，电流消耗约为 6.0 mA，并且不受共模场的影响

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￥33.88
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￥32.44

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型号：CT431-HSWF20DR 编号：C22463582

封装：SOICW-16

是一款高带宽、超低噪声的集成式接触电流传感器，采用专利XtremeSense™ TMR技术，可实现高精度电流测量，适用于工业、消费和汽车等多种应用。支持九种电流范围，集成载流导体（CCC）可处理高达65A的电流，并将电流测量结果以线性模拟输出电压的形式呈现。在电压和全温度范围内，总输出误差小于±1.0%满量程（FS）。输出响应时间约为300ns，电流消耗约为6.0mA，且抗共模场干扰

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￥34.11
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型号：CT430-HSWF20MR 编号：C22442739

封装：SOIC-16W

是一款高带宽、超低噪声的集成接触式电流传感器，采用专利XtremeSense™ TMR技术，可在许多工业、消费和汽车应用中实现高精度电流测量。该设备支持八个电流范围，集成载流导体 (CCC) 可处理高达65 A的电流，并将电流测量结果作为线性模拟输出电压。该设备在电压和整个温度范围内的总输出误差小于±1.0%满量程 (FS)。该设备的输出响应时间约为300 ns，电流消耗约为6.0 mA，并且不受共模场的影响

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￥35.29
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￥34.39
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￥33.79

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型号：ACS780KLRTR-150B-T 编号：C2654900

封装：PSOF-7

是一款全新无芯封装的全集成电流传感器线性IC，用于感应高达100 A的交流和直流电流。这种汽车级、薄型（1.5 mm厚）传感器IC封装占用空间非常小。霍尔传感器技术还采用了共模磁场抑制功能，以优化在附近载流导体产生的干扰磁场存在时的性能。该器件由一个精密、低失调的线性霍尔电路和位于芯片附近的铜传导路径组成。流经该铜传导路径的电流会产生一个磁场，霍尔IC将其转换为成比例的电压。通过将初级导体靠近霍尔传感器以及在工厂对灵敏度和静态输出电压进行编程，优化了器件的精度

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￥39.05
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型号：MLX90513GGO-CAA-180-SP 编号：C22444463

封装：TSSOP-16

感应式位置传感器用于汽车和工业应用中的绝对旋转和线性运动/位置传感。设计用于控制感应式传感器，处理捕获的模拟传感器信号，并提供3种输出模式。支持根据SAE J2716 APR2016标准的所有格式编码的（快速）SENT帧，包括安全传感器格式，以及SPC帧。对于SENT/SPC，电路提供增强的串行消息，提供错误代码和用户定义的值

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￥43.19
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型号：AAL002-02E 编号：C236487

封装：SOIC-8

品牌：NVE

NVE的模拟巨磁阻（GMR）传感器具有高灵敏度、出色的温度稳定性和小尺寸的特点。它们的多功能性和宽感应范围使其成为各种模拟感应应用的理想选择，包括工业和汽车领域的位置、速度和电流传感器。这些传感器采用本质上具有温度补偿功能的惠斯通桥结构

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￥64.59
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￥50.03

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型号：AR0220AT4B00XUEA2-DPBR 编号：C5207370

封装：IBGA-87

安森美半导体的 AR0220AT 是一款 1/1.8 英寸 CMOS 数字图像传感器，带有 1828 H x 948 V 有效像素阵列。此先进汽车传感器能在线性或高动态模式下捕捉图像，且带有卷帘快门读取。AR0220AT 适用于低光度和具有挑战性的高动态范围场景性能，带有 4.2 ?m BSI 像素和传感器上 120 dB HDR 捕捉功能。该传感器包含了多种复杂的摄像功能，如像素内装仓、开窗，以及视频和单帧模式。AR0220AT 上的复杂传感器故障检测功能和嵌入式数据实现了摄像头 ASIL B 合规性。此器件可通过一个简单的两线串行接口进行编程，支持 MPI 输出接口。

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￥252.04

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型号：US1881LSE-AAA-000-RE 编号：C17526271

封装：TSOT-23-3

基于混合信号CMOS技术设计的霍尔效应锁存器，集成了稳压器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器，宽工作电压范围和多种温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用，提供TSOT表面贴装和TO-92扁平通孔安装两种3引脚封装，且均符合RoHS标准，基于混合信号CMOS技术的霍尔效应器件，具有高磁灵敏度，适用于大多数应用需求，斩波稳定放大器采用开关电容技术抑制霍尔传感器和放大器的失调，CMOS技术使芯片尺寸更小、电流消耗更低，有助于减少物理应力影响，具有更稳定的磁特性，可实现更快、更精确的设计，宽工作电压3.5V至24V、低电流消耗和多种工作温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用 -输出信号为开漏类型，可通过上拉电阻与TTL或CMOS逻辑简单连接

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￥4.5
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￥4.39
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￥4.31

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型号：US2882LSE-AAA-000-RE 编号：C2655016

封装：TSOT-23-3

采用混合信号CMOS技术设计的双极霍尔效应开关。该器件在单个封装中集成了稳压器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器。由于其较宽的工作电压范围和较宽的温度范围选择，适用于汽车和消费类应用。该器件采用用于表面贴装工艺的薄小外形晶体管（TSOT）封装和用于通孔安装的塑料单列直插式（TO-92扁平）封装。两种3引脚封装均符合RoHS标准。

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￥5.45
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型号：US3881LSE-AAA-000-RE 编号：C2655026

封装：TSOT-23-3