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新的线性输出霍尔效应传感器应用,例如位移和角度位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。Allegro A1308 和 A1309 线性霍尔效应传感器 IC 专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件提供表面贴装和通孔封装两种选择。每个器件的精度通过生产线末端优化得以增强。每个器件具有非易失性存储器,用于优化器件灵敏度和静态电压输出(QVO:无磁场时的输出),以适应给定的应用或电路。这种 A1308 和 A1309 优化的性能通过在 Allegro 生产线末端测试中编程灵敏度和 QVO 的温度系数,在整个工作温度范围内得以保持。这些比例霍尔效应传感器 IC 提供与施加的磁场成比例的电压输出。静态电压输出调整至电源电压的 50% 左右。这些线性器件的特性使其非常适合用于汽车和工业应用,这些应用需要高精度,并且它们的工作温度范围为 -40°C 至 150°C(SOT-23W 和 SIP -L 温度范围)或 -40°C 至 125°C(SIP -K 温度范围)。每个 BiCMOS 单片电路集成了霍尔元件、用于减少霍尔元件固有灵敏度漂移的温度补偿电路、小信号高增益放大器、钳位低阻抗输出级以及专有的动态偏移消除技术。A1308 和 A1309 传感器 IC 提供两种封装样式。LH 是一种 SOT-23W 样式,适用于表面贴装应用的微型低轮廓封装。UA 是一种 3 针,超小型,单列封装 (SIP),用于通孔安装。两种封装均无铅 (Pb),采用 100% 哑光锡引脚镀层。
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  • 线性输出霍尔效应传感器的新应用,如位移和角位置测量,需要更高的精度和更小的封装尺寸。A1318和A1319线性霍尔效应传感器IC专门设计用于满足这两项要求。这些温度稳定型器件提供表面贴装和通孔封装两种形式
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  • 是一种对施加到IC的磁通密度的三个分量(即 BX、BY 和 BZ)敏感的单片传感器。这使得该传感器配合正确的磁路,能够解码附近任何磁铁的绝对位置(例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移)。报告与任何电阻式电位计或可编程线性霍尔传感器兼容的可编程比例模拟输出信号。通过编程,可提供数字 PWM(脉冲宽度调制)输出特性。
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  • 是一款单片磁性位置处理IC。它由一个Triaxis霍尔磁性前端、一个模数信号调节器、一个用于高级信号处理的DSP和一个输出级驱动器组成。对施加到IC的磁通量密度的三个分量(即Bx、By和Bz)敏感。这使得该IC与正确的磁路配合使用时,能够解码任何移动磁体的绝对位置(例如0至360度的旋转位置或线性位移)。它能够设计出非接触式位置传感器,这是汽车和工业应用中经常需要的。提供根据安全传感器格式编码的SENT帧。该电路提供增强的串行消息,提供错误代码和用户定义的值。通过编程,也可以配置为输出PWM(脉冲宽度调制)信号。
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  • 新的线性输出霍尔效应传感器应用,如位移和角位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。线性霍尔效应传感器IC专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件有表面贴装和通孔封装两种形式。每个器件的精度通过生产线末端优化得到提高
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  • 线性输出霍尔效应传感器的新应用,如位移和角位置测量,需要更高的精度和更小的封装尺寸。A1318和A1319线性霍尔效应传感器IC专门设计用于满足这两项要求。这些温度稳定型器件提供表面贴装和通孔封装两种形式
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  • 是一种对施加到IC的磁通密度的三个分量(即 BX、BY 和 BZ)敏感的单片传感器。这使得该传感器配合正确的磁路,能够解码附近任何磁铁的绝对位置(例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移)。报告与任何电阻式电位计或可编程线性霍尔传感器兼容的可编程比例模拟输出信号。通过编程,可提供数字 PWM(脉冲宽度调制)输出特性。
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  • 新的线性输出霍尔效应传感器应用,如位移和角位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。线性霍尔效应传感器IC专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件有表面贴装和通孔封装两种形式。每个器件的精度通过生产线末端优化得到提高
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  • 新的线性输出霍尔效应传感器应用,例如位移和角度位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。Allegro A1308 和 A1309 线性霍尔效应传感器 IC 专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件提供表面贴装和通孔封装两种选择。每个器件的精度通过生产线末端优化得以增强。每个器件具有非易失性存储器,用于优化器件灵敏度和静态电压输出(QVO:无磁场时的输出),以适应给定的应用或电路。这种 A1308 和 A1309 优化的性能通过在 Allegro 生产线末端测试中编程灵敏度和 QVO 的温度系数,在整个工作温度范围内得以保持。这些比例霍尔效应传感器 IC 提供与施加的磁场成比例的电压输出。静态电压输出调整至电源电压的 50% 左右。这些线性器件的特性使其非常适合用于汽车和工业应用,这些应用需要高精度,并且它们的工作温度范围为 -40°C 至 150°C(SOT-23W 和 SIP -L 温度范围)或 -40°C 至 125°C(SIP -K 温度范围)。每个 BiCMOS 单片电路集成了霍尔元件、用于减少霍尔元件固有灵敏度漂移的温度补偿电路、小信号高增益放大器、钳位低阻抗输出级以及专有的动态偏移消除技术。A1308 和 A1309 传感器 IC 提供两种封装样式。LH 是一种 SOT-23W 样式,适用于表面贴装应用的微型低轮廓封装。UA 是一种 3 针,超小型,单列封装 (SIP),用于通孔安装。两种封装均无铅 (Pb),采用 100% 哑光锡引脚镀层。
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  • 新的线性输出霍尔效应传感器应用,例如位移和角度位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。Allegro A1308 和 A1309 线性霍尔效应传感器 IC 专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件提供表面贴装和通孔封装两种选择。每个器件的精度通过生产线末端优化得以增强。每个器件具有非易失性存储器,用于优化器件灵敏度和静态电压输出(QVO:无磁场时的输出),以适应给定的应用或电路。这种 A1308 和 A1309 优化的性能通过在 Allegro 生产线末端测试中编程灵敏度和 QVO 的温度系数,在整个工作温度范围内得以保持。这些比例霍尔效应传感器 IC 提供与施加的磁场成比例的电压输出。静态电压输出调整至电源电压的 50% 左右。这些线性器件的特性使其非常适合用于汽车和工业应用,这些应用需要高精度,并且它们的工作温度范围为 -40°C 至 150°C(SOT-23W 和 SIP -L 温度范围)或 -40°C 至 125°C(SIP -K 温度范围)。每个 BiCMOS 单片电路集成了霍尔元件、用于减少霍尔元件固有灵敏度漂移的温度补偿电路、小信号高增益放大器、钳位低阻抗输出级以及专有的动态偏移消除技术。A1308 和 A1309 传感器 IC 提供两种封装样式。LH 是一种 SOT-23W 样式,适用于表面贴装应用的微型低轮廓封装。UA 是一种 3 针,超小型,单列封装 (SIP),用于通孔安装。两种封装均无铅 (Pb),采用 100% 哑光锡引脚镀层。
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  • 新的线性输出霍尔效应传感器应用,如位移和角位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。该传感器专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的设备有表面贴装和通孔封装两种类型。每个设备的精度通过生产线末端优化得到提高。每个设备都具有非易失性存储器,可针对给定应用或电路优化设备灵敏度和静态电压输出(QVO:无磁场时的输出)。通过在生产线末端测试时对灵敏度和 QVO 的温度系数进行编程,可在整个工作温度范围内保持优化性能
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  • 是一种对施加到IC的磁通密度的三个分量(即 BX、BY 和 BZ)敏感的单片传感器。这使得该传感器配合正确的磁路,能够解码附近任何磁铁的绝对位置(例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移)。报告与任何电阻式电位计或可编程线性霍尔传感器兼容的可编程比例模拟输出信号。通过编程,可提供数字 PWM(脉冲宽度调制)输出特性。
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  • 是一款单片磁性位置处理IC。它由一个Triaxis霍尔磁性前端、一个模数信号调节器、一个用于高级信号处理的DSP和一个输出级驱动器组成。对施加到IC的磁通量密度的三个分量(即Bx、By和Bz)敏感。这使得该IC与正确的磁路配合使用时,能够解码任何移动磁体的绝对位置(例如0至360度的旋转位置或线性位移)。它能够设计出非接触式位置传感器,这是汽车和工业应用中经常需要的。提供根据安全传感器格式编码的SENT帧。该电路提供增强的串行消息,提供错误代码和用户定义的值。通过编程,也可以配置为输出PWM(脉冲宽度调制)信号。
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  • 是一款单片磁性位置处理IC,由Triaxis霍尔磁性前端、模数信号调节器、用于高级信号处理的DSP和双输出级驱动器组成。对施加到IC的磁通量密度的三个分量(即Bx、By和Bz)敏感,配合正确的磁路,可解码任何移动磁体的绝对位置(例如0至360度的旋转位置或线性位移),能够设计出汽车和工业应用中常用的非接触式位置传感器。提供双PWM输出或SENT与可编程开关功能的组合。在双PWM输出模式下,电路提供从完全冗余信号到可单独配置输出的广泛配置选项,包括多种错误报告模式;在SENT模式下,电路提供包含错误代码和用户定义值的增强型串行消息。
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  • 是一款单片传感器IC,对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感,对施加到IC的磁通密度的三个分量(即 BX、BY 和 BZ)敏感。这使得其配合正确的磁路能够解码任何移动磁体的绝对位置(例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移)。它能够设计新一代非接触式位置传感器,常用于汽车和工业应用。可报告与任何电阻式电位计或可编程线性霍尔传感器兼容的可编程比例式模拟输出信号。通过编程,还可提供数字 PWM(脉冲宽度调制)输出特性。
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  • 高精度激光测距传感器模块,工业测距模块,可用于生产线料位检测,物流位移机器人,RS485输出,可编程组网,54.35*36.61*14.3mm,供电电压DC 9-36V,量程0.03-40/80m,速率20hz,精度±1mm,工作温度-10℃~50℃,寿命大约2万小时。
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  • 订货
  • 高精度激光测距传感器模块,工业测距模块,可用于生产线料位检测,物流位移机器人,RS485输出,54.35*36.61*14.3mm,供电电源9-36V,量程0.03-40m,速率20hz,精度±1mm,工作温度-10℃~50℃,寿命大约2万小时,防护级别IP67,适用震动环境。
    • 1+

      ¥741.97
    • 30+

      ¥704.67
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  • 新的线性输出霍尔效应传感器应用,如位移和角位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。该传感器专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的设备有表面贴装和通孔封装两种形式。通过生产线末端优化提高了每个设备的精度。每个设备都具有非易失性存储器,可针对特定应用或电路优化设备灵敏度和静态电压输出(QVO:无磁场时的输出)。通过在生产线末端测试时对灵敏度和 QVO 的温度系数进行编程,可在整个工作温度范围内保持优化性能
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  • 线性输出霍尔效应器件的新应用,如位移、角位置和电流测量,需要高精度和小封装尺寸。该温度稳定的器件有微型表面贴装封装(SOT23w)和超小型通孔单列直插式封装。这些比例式霍尔效应传感器IC提供与施加磁场成正比的电压输出,静态电压输出为电源电压的50%,分别具有5.0mV/G、3.125mV/G和2.5mV/G的工厂编程灵敏度。这些线性器件的特性使其非常适合在要求高精度的汽车和工业应用中使用,并能在-40°C至150°C的宽温度范围内工作
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      ¥27.122689
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      ¥23.399968
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      ¥21.538606
    线性输出霍尔效应器件的新应用,如位移、角位置和电流测量,需要在实现高精度的同时保持小封装尺寸。Allegro A1324、A1325 和 A1326 线性霍尔效应传感器 IC 专门设计用于实现这两个目标。这种温度稳定的器件有微型表面贴装封装(SOT23W)和超小型通孔单列直插式封装可供选择
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  • 新的线性输出霍尔效应传感器应用,如位移和角位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。线性输出霍尔效应传感器可提供表面贴装和通孔封装。 通过生产线末端优化提高了每个设备的精度。每个设备都具有非易失性存储器,可针对给定应用或电路优化设备的灵敏度和静态电压输出(QVO:无磁场时的输出)。通过在生产线末端测试时对灵敏度和QVO的温度系数进行编程,可在整个工作温度范围内保持优化性能。 这些比例式霍尔效应传感器IC提供与施加磁场成比例的电压输出
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  • 是一款单片传感器IC,对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感,对施加到IC的磁通密度的三个分量(即 BX、BY 和 BZ)敏感。这使得其配合正确的磁路能够解码任何移动磁体的绝对位置(例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移)。它能够设计新一代非接触式位置传感器,常用于汽车和工业应用。可报告与任何电阻式电位计或可编程线性霍尔传感器兼容的可编程比例式模拟输出信号。通过编程,还可提供数字 PWM(脉冲宽度调制)输出特性。
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  • 位移,测角度,测磁场变化,测电流
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      ¥1.85
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  • 高频数字双端互电容处理器芯片,集成Arm®Cortex®-M0内核微处理器,可实现各种嵌入式感知处理算法,将原始振荡频率数值转换成电容值及液位、含水率、位移距离等物理量。电容测量范围1pF~1000pF,频率范围0.1MHz~20MHz,供电电压2.5V~5.5V,工作温度范围-40℃~+85℃,平均功耗12uA@1Hz,QFN24封装,广泛用于连续液位检测、水浸检测、物质介电检测等场景。
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      ¥2.8
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  • 甚高频数字单端电容处理器芯片,集成Arm®Cortex®-M0内核微处理器,可实现各种嵌入式感知处理算法,将原始振荡频率数值转换成电容值及液位、含水率、位移距离等物理量。电容测量范围0pF~150pF,频率范围10MHz~100MHz,供电电压2.5V~5.5V,工作温度范围-40℃~+85℃,平均功耗15uA@1Hz,QSOP24封装,广泛用于连续液位检测、含水率检测、水浸检测、物质介电检测及接近感知等场景。
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  • 甚高频数字单端电容处理器芯片,集成Arm®Cortex®-M0内核微处理器,可实现各种嵌入式感知处理算法,将原始振荡频率数值转换成电容值及液位、含水率、位移距离等物理量。电容测量范围0pF~150pF,频率范围10MHz~100MHz,供电电压2.5V~5.5V,工作温度范围-40℃~+85℃,平均功耗15uA@1Hz,QSOP24封装,广泛用于连续液位检测、含水率检测、水浸检测、物质介电检测及接近感知等场景。
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