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非数显型,气动式,行程:0~25.4mm,全程精度:≤1.4μm,分辨率0.2μm,通讯协议:ModbusRTU,响应时间:50ms
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  • 漫反射,线缆2m,检测距离:65-105mm,模拟电流输出,光点尺寸:0.75*1.25mm,重复精度:10μm
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  • 漫反射,线缆2m,检测距离:100-400mm,NPN,光点尺寸:1.75*3.5mm,重复精度:75μm
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  • 漫反射,线缆2m,检测距离:40-60mm,NPN,光点尺寸:0.5*1mm,重复精度:5μm
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      ¥4265.87 / 个
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  • 漫反射,线缆2m,检测距离:26-34mm,NPN,光点尺寸:0.1*0.1mm,重复精度:2μm
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      ¥4265.87 / 个
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  • 漫反射,线缆2m,检测距离:26-34mm,模拟电流输出,光点尺寸:0.1*0.1mm,重复精度:2μm
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  • 漫反射,线缆2m,检测距离:26-34mm,模拟电压输出,光点尺寸:0.1*0.1mm,重复精度:2μm
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      ¥4265.87 / 个
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  • 非数显型,回弹式,行程:0~25.4mm,全程精度:≤1.8μm,分辨率0.2μm,通讯协议:ModbusRTU,响应时间:50ms
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  • 漫反射,线缆2m,检测距离:60-180mm,NPN、RS422通讯输出,光点尺寸:1*1.5mm,重复精度:30μm
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      ¥4325.12 / 个
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  • 漫反射,线缆2m,检测距离:100-400mm,模拟电压输出,光点尺寸:1.75*3.5mm,重复精度:75μm
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  • 新的线性输出霍尔效应设备应用,如位移、角位置和电流测量,需要高精度和小尺寸封装。该温度稳定型设备有微型表面贴装封装(SOT23w)和超小型直插式单列封装。这些比例式霍尔效应传感器IC提供与施加磁场成比例的电压输出,静态电压输出为电源电压的50%,分别具有5.0mV/G、3.125mV/G和2.5mV/G的工厂编程灵敏度。这些线性设备的特性使其非常适合在需要高精度的汽车和工业应用中使用,工作温度范围为 -40°C至150°C
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  • 是一款单片传感器IC,对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感。对施加到IC的磁通密度的三个分量(即 BX、BY 和 BZ)敏感。这使得该IC与正确的磁路配合,能够解码任何移动磁体的绝对位置(例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移、行程)。它能够设计出新一代非接触式位置传感器,这在汽车和工业应用中经常需要。报告一个可编程的比例式模拟输出信号,与任何电阻式电位器或可编程线性霍尔传感器兼容。通过编程,还可提供数字PWM(脉冲宽度调制)输出特性。
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  • 是一款单片传感器IC,对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感。对施加到IC的磁通密度的三个分量(即 BX、BY 和 BZ)敏感。这使得该IC与正确的磁路配合,能够解码任何移动磁体的绝对位置(例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移、行程)。它能够设计出新一代非接触式位置传感器,这在汽车和工业应用中经常需要。报告一个可编程的比例式模拟输出信号,与任何电阻式电位器或可编程线性霍尔传感器兼容。通过编程,还可提供数字PWM(脉冲宽度调制)输出特性。
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  • 是一款单片传感器IC,对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感。对施加到IC的磁通密度的三个分量(即 BX、BY 和 BZ)敏感。这使得该IC与正确的磁路配合,能够解码任何移动磁体的绝对位置(例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移、行程)。它能够设计出新一代非接触式位置传感器,这在汽车和工业应用中经常需要。报告一个可编程的比例式模拟输出信号,与任何电阻式电位器或可编程线性霍尔传感器兼容。通过编程,还可提供数字PWM(脉冲宽度调制)输出特性。
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      ¥10.89
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  • 新的线性输出霍尔效应传感器应用,例如位移和角度位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。Allegro A1308 和 A1309 线性霍尔效应传感器 IC 专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件提供表面贴装和通孔封装两种选择。每个器件的精度通过生产线末端优化得以增强。每个器件具有非易失性存储器,用于优化器件灵敏度和静态电压输出(QVO:无磁场时的输出),以适应给定的应用或电路。这种 A1308 和 A1309 优化的性能通过在 Allegro 生产线末端测试中编程灵敏度和 QVO 的温度系数,在整个工作温度范围内得以保持。这些比例霍尔效应传感器 IC 提供与施加的磁场成比例的电压输出。静态电压输出调整至电源电压的 50% 左右。这些线性器件的特性使其非常适合用于汽车和工业应用,这些应用需要高精度,并且它们的工作温度范围为 -40°C 至 150°C(SOT-23W 和 SIP -L 温度范围)或 -40°C 至 125°C(SIP -K 温度范围)。每个 BiCMOS 单片电路集成了霍尔元件、用于减少霍尔元件固有灵敏度漂移的温度补偿电路、小信号高增益放大器、钳位低阻抗输出级以及专有的动态偏移消除技术。A1308 和 A1309 传感器 IC 提供两种封装样式。LH 是一种 SOT-23W 样式,适用于表面贴装应用的微型低轮廓封装。UA 是一种 3 针,超小型,单列封装 (SIP),用于通孔安装。两种封装均无铅 (Pb),采用 100% 哑光锡引脚镀层。
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  • 是一款单片传感器IC,对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感,对施加到IC的磁通密度的三个分量(即 BX、BY 和 BZ)敏感。这使得其配合正确的磁路能够解码任何移动磁体的绝对位置(例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移)。它能够设计新一代非接触式位置传感器,常用于汽车和工业应用。可报告与任何电阻式电位计或可编程线性霍尔传感器兼容的可编程比例式模拟输出信号。通过编程,还可提供数字 PWM(脉冲宽度调制)输出特性。
    • 1+

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      ¥13.7
  • 有货
  • 新的线性输出霍尔效应传感器应用,例如位移和角度位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。Allegro A1308 和 A1309 线性霍尔效应传感器 IC 专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件提供表面贴装和通孔封装两种选择。每个器件的精度通过生产线末端优化得以增强。每个器件具有非易失性存储器,用于优化器件灵敏度和静态电压输出(QVO:无磁场时的输出),以适应给定的应用或电路。这种 A1308 和 A1309 优化的性能通过在 Allegro 生产线末端测试中编程灵敏度和 QVO 的温度系数,在整个工作温度范围内得以保持。这些比例霍尔效应传感器 IC 提供与施加的磁场成比例的电压输出。静态电压输出调整至电源电压的 50% 左右。这些线性器件的特性使其非常适合用于汽车和工业应用,这些应用需要高精度,并且它们的工作温度范围为 -40°C 至 150°C(SOT-23W 和 SIP -L 温度范围)或 -40°C 至 125°C(SIP -K 温度范围)。每个 BiCMOS 单片电路集成了霍尔元件、用于减少霍尔元件固有灵敏度漂移的温度补偿电路、小信号高增益放大器、钳位低阻抗输出级以及专有的动态偏移消除技术。A1308 和 A1309 传感器 IC 提供两种封装样式。LH 是一种 SOT-23W 样式,适用于表面贴装应用的微型低轮廓封装。UA 是一种 3 针,超小型,单列封装 (SIP),用于通孔安装。两种封装均无铅 (Pb),采用 100% 哑光锡引脚镀层。
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    • 1+

      ¥13.29
    • 10+

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    • 30+

      ¥10.5
    • 100+

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  • 是一款位置传感器,能够通过测量和处理磁通量密度矢量的 3 个空间分量(即 BX、BY 和 BZ)来感应周围任何磁铁的移动。水平分量(BX 和 BY)通过集成磁集中器(IMC)感应,而垂直分量(BZ)通过传统霍尔板感应。具有适用于旋转位置传感器(通轴磁铁)、线性行程位置传感器(磁铁位移平行于设备表面)和 3D/“操纵杆”位置传感器的非接触式位置传感器模式。处理后的位置信息最终以比例模拟输出或 PWM(脉冲宽度调制)信号的形式报告
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      ¥22.42
    • 100+

      ¥20.01
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