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线性霍尔效应传感器IC提供与施加的磁场成比例的电压输出。用户控制的睡眠引脚和快速唤醒时间使传感器在唤醒后能消耗最小功率并快速提供磁数据。低电源电压额定值2.5V和非比例输出,使其适用于电池供电应用。许多人机界面(HMI)应用,如游戏控制器操纵杆、扳机和键盘,将受益于传感器的单向输出。这些设备采用小型2mm×3mm、标称高度0.75mm的微引脚封装(MLP/DFN),无铅,引脚框架采用100%雾锡电镀。
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  • 斩波稳定, 精确霍尔门闩锁存器
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  • Hall-effect传感器IC是温度稳定、抗应力的双极开关。该器件是双极开关系列中最灵敏的霍尔效应器件,适用于环形磁铁感应。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除专利技术,实现了卓越的高温性能。这种方法可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的失调电压。Hall-effect双极开关在足够强度的南极磁场中开启,在足够强度的北极磁场中关闭。由于如果磁场减弱或移除,输出状态不确定,为确保器件切换,建议在应用中使用两种极性且强度足够的磁铁。工作环境温度范围为-40℃至150℃。两种封装样式为大多数应用提供了磁优化解决方案。每个封装都是无铅版本,具有100%雾锡电镀引线框架。
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  • 新的线性输出霍尔效应传感器应用,如位移和角位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。线性霍尔效应传感器IC专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件有表面贴装和通孔封装两种形式。每个器件的精度通过生产线末端优化得到提高
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  • Hall 效应传感器 IC 是极其温度稳定和抗应力的设备,特别适合在高达 150°C 的扩展温度范围内运行。通过动态失调消除实现了卓越的高温性能,该技术可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上包括一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定器、施密特触发器和一个短路保护的开漏输出,可吸收高达 25 mA 的电流。足够强度的南极会使输出开启,足够强度的北极则需要使输出关闭
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  • A1150、A1152、A1153、A1155、A1156、A1157 和 A1158 构成了一系列两线式单极霍尔效应开关,这些开关在出厂时经过微调,以优化磁开关点精度。这些器件采用先进的 BiCMOS 晶圆制造工艺生产,该工艺采用了高频四相斩波稳定技术。这种技术可在整个工作温度范围内实现磁稳定性,并消除了在恶劣应用环境中使用单个霍尔元件的器件固有的失调问题
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  • 低噪音,带模拟输出的线性霍尔传感器
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  • Hall-effect传感器IC是温度稳定、抗应力的双极开关。该器件是双极开关系列中最灵敏的霍尔效应器件,适用于环形磁铁感应。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除专利技术,实现了卓越的高温性能。这种方法可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的失调电压。Hall-effect双极开关在足够强度的南极磁场中开启,在足够强度的北极磁场中关闭。由于如果磁场减弱或移除,输出状态不确定,为确保器件切换,建议在应用中使用两种极性且强度足够的磁铁。工作环境温度范围为-40℃至150℃。两种封装样式为大多数应用提供了磁优化解决方案。每个封装都是无铅版本,具有100%雾锡电镀引线框架。
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  • Allegro A1101 - A1104 和 A1106 霍尔效应开关是广受欢迎的 Allegro 312x 和 314x 系列单极开关的下一代替代产品。采用 BiCMOS 技术生产的 A110x 系列器件具有上电时间短和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行,通过消除可能由封装应力引起的失调,确保提高开关点精度
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  • Allegro A1210 - A1214霍尔效应锁存器是广受欢迎的Allegro 317x和318x系列锁存开关的下一代替代产品。采用BiCMOS技术生产的Al21x系列器件具有上电时间短和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行,通过消除封装应力可能导致的失调,确保提高开关点精度
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  • 新的线性输出霍尔效应传感器应用,如位移和角位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。线性霍尔效应传感器IC专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件有表面贴装和通孔封装两种形式。每个器件的精度通过生产线末端优化得到提高
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  • 微功耗,全极性霍尔开关
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  • 新的线性输出霍尔效应传感器应用,例如位移和角度位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。Allegro A1308 和 A1309 线性霍尔效应传感器 IC 专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件提供表面贴装和通孔封装两种选择。每个器件的精度通过生产线末端优化得以增强。每个器件具有非易失性存储器,用于优化器件灵敏度和静态电压输出(QVO:无磁场时的输出),以适应给定的应用或电路。这种 A1308 和 A1309 优化的性能通过在 Allegro 生产线末端测试中编程灵敏度和 QVO 的温度系数,在整个工作温度范围内得以保持。这些比例霍尔效应传感器 IC 提供与施加的磁场成比例的电压输出。静态电压输出调整至电源电压的 50% 左右。这些线性器件的特性使其非常适合用于汽车和工业应用,这些应用需要高精度,并且它们的工作温度范围为 -40°C 至 150°C(SOT-23W 和 SIP -L 温度范围)或 -40°C 至 125°C(SIP -K 温度范围)。每个 BiCMOS 单片电路集成了霍尔元件、用于减少霍尔元件固有灵敏度漂移的温度补偿电路、小信号高增益放大器、钳位低阻抗输出级以及专有的动态偏移消除技术。A1308 和 A1309 传感器 IC 提供两种封装样式。LH 是一种 SOT-23W 样式,适用于表面贴装应用的微型低轮廓封装。UA 是一种 3 针,超小型,单列封装 (SIP),用于通孔安装。两种封装均无铅 (Pb),采用 100% 哑光锡引脚镀层。
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  • 有货
  • 线性霍尔效应传感器IC提供一个12位数字输出字,该输出字与存在的磁场强度成正比。其静态输出值处于中间刻度,有两种不同的工厂编程灵敏度范围:2 LSB/G和4 LSB/G。灵敏度温度系数也经过工厂编程,以支持钕磁铁或铁氧体磁铁。该传感器集成了I²C接口,便于集成到各种应用中
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  • 斩波稳定二线制霍尔开关
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      ¥12.04
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  • 该传感器提供对应X、Y和Z轴测量磁场的12位数字值,预配置用于3D传感应用,如正面直线运动、滑动位置传感和旋转角度测量。还提供操纵杆模式,Z轴通道有低增益选项,可使用背偏磁体提供回零力。有三种工厂编程的灵敏度范围:±500G、±1000G和±2000G。I2C地址可通过外部电阻设置(16个唯一地址)或通过I2C编程到EEPROM(127个唯一地址),允许同一总线上有多个设备。还包括78位用户EEPROM。电源管理高度可配置,睡眠模式仅消耗14nA(典型值),适用于便携式电池供电应用。采用3mm×3mm×0.8mm的10引脚DFN封装,无铅,引脚框架采用100%雾锡电镀。
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  • 由InAs量子阱霍尔元件和信号处理IC芯片封装组成。
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      ¥12.99
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  • 新的线性输出霍尔效应传感器应用,如位移和角位置,需要更高的精度和更小的封装尺寸。该传感器专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的设备有表面贴装和通孔封装两种类型。每个设备的精度通过生产线末端优化得到提高。每个设备都具有非易失性存储器,可针对给定应用或电路优化设备灵敏度和静态电压输出(QVO:无磁场时的输出)。通过在生产线末端测试时对灵敏度和 QVO 的温度系数进行编程,可在整个工作温度范围内保持优化性能
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      ¥17.09
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  • 可编程线性霍尔效应电流传感器IC旨在实现高精度和高分辨率,同时不影响带宽。通过新的专有线性插值温度补偿技术,在整个工作温度范围内提供几乎恒定的灵敏度和失调。温度补偿在数字域中使用集成EEPROM技术完成,不牺牲120kHz带宽的模拟信号路径,适用于HEV逆变器、DC-DC转换器和电动助力转向(EPS)应用。该比例式霍尔效应传感器IC提供与施加磁场成比例的电压输出。用户可以通过在VCC和输出引脚上进行编程来配置灵敏度和静态(零场)输出电压,以优化最终应用中的性能。静态输出电压可在电源电压VCC的50%左右进行调节,输出灵敏度可在0.6至14mV/G的范围内调节
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