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首页 > 热门关键词 > 线性霍尔传感器
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全极性检测霍尔IC（用于S极和N极极性检测的双输出）
型号：BU52737GWZ-E2 编号：C17326176
封装：XFBGA-4
品牌：ROHM(罗姆)
集成了极性判定电路的全极检测霍尔IC可实现南极和北极的分别操作（输出）。使用磁铁和霍尔IC，可在智能手机和平板电脑中检测盖子的开合，在无线耳机充电盒中检测耳机是否放入，还可在数码相机及其他涉及显示屏的应用中检测正面/背面或旋转方向。

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    霍尔效应锁存
    型号：APS12215LLHALT 编号：C2655046
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
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    停产 霍尔效应开关
    型号：AH182-WG-7 编号：C842196
    封装：SC-59-3
    品牌：DIODES(美台)
    DIODES AH182/DIODES AH183是一款带输出驱动器的三端霍尔效应传感器器件，主要为电池供电的手持设备（如手机、无绳电话和个人数字助理）而设计。在2.75V电源供电时，总工作功耗低至15μW。对于SIP - 3L封装，足够强度的南极磁场会使输出开启；而对于SC59封装，足够强度的北极磁场会使输出开启
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    霍尔效应锁存器
    型号：US1881EUA-AAA-000-BU 编号：C1526856
    封装：TO-92S
    品牌：Melexis(比利时迈来芯)
    基于混合信号CMOS技术设计的霍尔效应锁存器 ，集成了稳压器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器 ，宽工作电压范围和多种温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用 ，提供TSOT表面贴装和TO-92扁平通孔安装两种3引脚封装，且均符合RoHS标准，基于混合信号CMOS技术的霍尔效应器件，具有高磁灵敏度，适用于大多数应用需求，斩波稳定放大器采用开关电容技术抑制霍尔传感器和放大器的失调，CMOS技术使芯片尺寸更小、电流消耗更低，有助于减少物理应力影响 ，具有更稳定的磁特性，可实现更快、更精确的设计，宽工作电压3.5V至24V、低电流消耗和多种工作温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用 -输出信号为开漏类型，可通过上拉电阻与TTL或CMOS逻辑简单连接
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    A3212LLHLT-T
    型号：A3212LLHLT-T 编号：C17693154
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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    霍尔效应开关
    型号：A1266ELHLT-T 编号：C2655034
    封装：SOT-23W-5
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    是超灵敏的 3D 霍尔效应开关，具有 3D 全极磁驱动功能。单硅芯片包含三个霍尔板、多路复用器、小信号放大器、斩波稳定器、施密特触发器和 NMOS 输出晶体管。当足够强度的磁场以任何方向施加到传感器时，设备输出开启；移除磁场，输出关闭。有两种版本可供选择输出格式：独立的 X、Y 和 Z 输出，或组合的 (X + Y + Z) 输出
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    霍尔效应锁存
    型号：APS12200LLHALT 编号：C2152630
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    APS12200、APS12210和APS12230是三线式平面霍尔效应传感器集成电路（IC）。这些器件是根据ISO 26262:2011标准开发的，支持ASIL A功能安全等级。这一系列精密霍尔效应锁存器IC具备扩展的AEC-Q100认证，非常适合在高达175°C结温的高温环境下工作
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    霍尔效应开关
    型号：APS11060LUAA-0SL 编号：C2152801
    封装：SIP-3
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
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    BU52053NVX-TR
    型号：BU52053NVX-TR 编号：C17296766
    封装：UDFN-4-EP
    品牌：ROHM(罗姆)

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    斩波稳零式精密霍尔效应开关，适用于汽车、消费电子和工业应用
    型号：APS11202LLHALT 编号：C19762025
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    APS11202霍尔效应开关是一款温度稳定性极高且抗应力的传感器IC，特别适合在宽温度范围（最高可达150°C）内工作。动态失调消除技术使该器件具备卓越的高温性能，这种技术可降低通常由器件封装塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。该器件在单颗硅芯片上集成了稳压器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个短路保护的开漏输出，可吸收高达25 mA的电流
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    霍尔效应开关
    型号：A3213ELHLX-T 编号：C2152725
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
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    霍尔效应开关
    型号：A3211ELHLT-T 编号：C2655015
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    超灵敏、磁极独立的霍尔效应开关，具有锁存数字输出。特别适合在电池供电的手持设备中运行，如移动电话、寻呼机和平板电脑。2.5至3.5V的工作电压和独特的时钟方案，在2.75V电源下将平均工作功率要求降低至小于15μW。与其他霍尔效应开关不同，A3212中足够强度的北极或南极都会使输出开启，在没有磁场的情况下，输出关闭
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    斩波稳零式精密霍尔效应锁存器
    型号：A1221LLHLT-T 编号：C696107
    封装：SOT-23
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    A1220、A1221、A1222 和 A1223 霍尔效应传感器 IC 是温度稳定性极高且抗应力的器件，特别适合在高达 150°C 的宽温度范围内工作。动态失调消除技术实现了卓越的高温性能，该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单颗硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个具有短路保护功能的开漏输出，可吸收高达 25 mA 的电流

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    霍尔效应锁存
    型号：APS12230LLHALT 编号：C2152635
    封装：SOT-23
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
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    霍尔效应锁存
    型号：A1220ELHLT-T 编号：C2152446
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
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    两线霍尔效应开关，具备高级诊断功能
    型号：APS11800LLHALT-0SH1A 编号：C19762030
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    是一款两线平面霍尔效应传感器集成电路，按照ISO 26262:2011开发。包含内部诊断和故障状态，与适当的系统级控制集成使用时，支持ASIL B功能安全级别。两线接口提供互连开路/短路诊断和故障状态，可在保持与传统两线系统兼容性的同时传达诊断信息。连续的背景诊断对主机系统透明，减少了容错时间
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    霍尔效应磁位置和温度传感器
    型号：SI7210-B-03-IV 编号：C1559856
    封装：SOT-23-5
    品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)
    Si7210系列霍尔效应磁传感器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和I²C接口集成在一起。该系列产品采用成熟的CMOS设计技术，内置数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有的霍尔效应传感器相比，Si7210系列具备业界领先的灵敏度，可支持更大的气隙和更小的磁铁
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    霍尔效应锁存
    型号：A1221LLHLX-T 编号：C2152798
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
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    APS12450LLHALT-0SLA
    型号：APS12450LLHALT-0SLA 编号：C5456637
    封装：ZLH-3
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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    A1120ELHLX-T
    型号：A1120ELHLX-T 编号：C17229673
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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    用于消费和工业应用的斩波稳零式精密霍尔效应锁存器
    型号：A3290KUA-T 编号：C3715833
    封装：SIP-3
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    A3290和A3291霍尔效应锁存器是具有极高温度稳定性和抗应力能力的传感器IC，特别适合在较宽的温度范围（最高可达125°C）内工作。动态失调消除技术使卓越的高温性能成为可能，该技术可减少通常由器件封装注塑、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。除磁开关点不同外，这两款器件完全相同

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    霍尔效应锁存
    型号：A1222LLHLT-T 编号：C2655090
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    A1220、A1221、A1222 和 A1223 霍尔效应传感器 IC 是温度稳定性极高且抗应力的器件，特别适合在高达 150°C 的宽温度范围内工作。动态失调消除技术使卓越的高温性能成为可能，该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个短路保护的开漏输出，可吸收高达 25 mA 的电流
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    霍尔效应锁存
    型号：APS12626LLHALT-AAP 编号：C2152443
    封装：SOT-23W-5
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
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      ￥7.63

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    霍尔效应开关
    型号：APS11700LLHALT-0PL 编号：C2655012
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    适用于24V汽车应用，符合AEC-Q100标准，符合ISO 26262:2011 ASIL A（待确认）。温度稳定，适用于高达165℃的扩展结温范围。具有微功耗调节器，仅消耗6μA电流，专为恶劣的汽车和工业环境设计，具备板载过压和反接保护。适用于高达24V的汽车和工业应用的直接电池连接
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    高压、高灵敏度霍尔效应锁存器
    型号：AH3772-P-B 编号：C842117
    封装：SIP-3
    品牌：DIODES(美台)
    AH3772 是一款高压、高灵敏度霍尔效应锁存 IC，专为工业和消费类家用电器及个人护理应用中的无刷直流电机换向、流量计、线性编码器和位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求，该设计经过优化，可在 3.0V 至 28V 的电源电压范围内工作。AH3772 采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，可在整个工作范围内提供可靠的解决方案
    数据手册

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    霍尔效应锁存
    型号：A1250LLHLX-T 编号：C2655018
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    Hall-effect传感器IC是温度稳定、抗应力的双极开关。该器件是双极开关系列中最灵敏的霍尔效应器件，适用于环形磁铁感应。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除专利技术，实现了卓越的高温性能。这种方法可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的失调电压。Hall-effect双极开关在足够强度的南极磁场中开启，在足够强度的北极磁场中关闭。由于如果磁场减弱或移除，输出状态不确定，为确保器件切换，建议在应用中使用两种极性且强度足够的磁铁。工作环境温度范围为-40℃至150℃。两种封装样式为大多数应用提供了磁优化解决方案。每个封装都是无铅版本，具有100%雾锡电镀引线框架。
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    线性霍尔效应模拟输出传感器IC
    型号：A1315LLHLX-5-T 编号：C17534652
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    新的线性输出霍尔效应传感器应用，如位移和角位置，需要更高的精度和更小的封装尺寸。线性霍尔效应传感器IC专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件有表面贴装和通孔封装两种形式。每个器件的精度通过生产线末端优化得到提高

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    霍尔效应开关磁位置传感器
    型号：SI7201-B-32-IVR 编号：C2152536
    封装：SOT-23
    品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)
    霍尔效应磁传感器开关和锁存器结合了斩波稳定霍尔元件、低噪声模拟放大器、13位模数转换器和灵活的比较器电路。采用CMOS设计技术，集成数字信号处理，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有霍尔效应传感器相比，具有行业领先的灵敏度，可使用更大的气隙和更小的磁体。对于电池供电应用，具有极低的功耗，可延长使用寿命。提供3引脚SOT23、5引脚SOT23和TO-92封装，有电源、地、单个输出引脚，5引脚器件还有禁用（睡眠）引脚和防篡改输出引脚。
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    霍尔效应开关
    型号：A1153LLHLT-T 编号：C2152540
    封装：SOT-23
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)
    A1150、A1152、A1153、A1155、A1156、A1157 和 A1158 构成了一系列两线式单极霍尔效应开关，这些开关在出厂时经过微调，以优化磁开关点精度。这些器件采用先进的 BiCMOS 晶圆制造工艺生产，该工艺采用了高频四相斩波稳定技术。这种技术可在整个工作温度范围内实现磁稳定性，并消除了在恶劣应用环境中使用单个霍尔元件的器件固有的失调问题
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    适用于消费和工业应用的精密霍尔效应锁存器
    型号：APS13290KLHALT 编号：C17293336
    封装：SOT-23W
    品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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