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首页 > 热门关键词 > 线性霍尔传感器
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是一款采用混合信号CMOS技术设计的霍尔效应锁存器。该器件在单个封装中集成了电压调节器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器。由于其较宽的工作电压范围和较广的温度范围选择,非常适合用于汽车、工业和消费应用。该器件有适用于表面贴装工艺的薄型小外形晶体管(TSOT)封装和适用于通孔安装的塑料单列直插(TO-92扁平)封装。两种3引脚封装均符合RoHS标准。
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  • 1+

    ¥4.36
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    ¥4.11
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  • APS12200、APS12210和APS12230是三线式平面霍尔效应传感器集成电路(IC)。这些器件是根据ISO 26262:2011标准开发的,支持ASIL A功能安全等级。这一系列精密霍尔效应锁存器IC具备扩展的AEC-Q100认证,非常适合在高达175°C结温的高温环境下工作
    数据手册
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      ¥5.49
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  • 霍尔效应单极开关是极其温度稳定和抗应力的传感器IC,特别适合在高达150°C的扩展温度范围内工作。卓越的高温性能通过动态失调消除实现,该技术可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定器、施密特触发器和一个短路保护的开漏输出,可吸收高达25mA的电流。板载调节器允许在3至24V的电源电压下工作
    数据手册
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  • APS11202霍尔效应开关是一款温度稳定性极高且抗应力的传感器IC,特别适合在宽温度范围(最高可达150°C)内工作。动态失调消除技术使该器件具备卓越的高温性能,这种技术可降低通常由器件封装塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。该器件在单颗硅芯片上集成了稳压器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个短路保护的开漏输出,可吸收高达25 mA的电流
    数据手册
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      ¥4.11
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  • A1220、A1221、A1222 和 A1223 霍尔效应传感器 IC 是温度稳定性极高且抗应力的器件,特别适合在高达 150°C 的宽温度范围内工作。动态失调消除技术实现了卓越的高温性能,该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单颗硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个具有短路保护功能的开漏输出,可吸收高达 25 mA 的电流
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  • CT100是一款采用全桥配置的一维线性传感器,基于其获得专利的XtremeSenseTM TMR技术开发。CT100的总磁场范围为 -50 mT至50 mT,在 -20 mT至20 mT的范围内,其线性误差可达 ±0.5%,同时具备XtremeSense性能,可在整个温度范围内实现无与伦比的温度稳定性。该器件支持1.0至5.5 V的宽工作电压范围
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      ¥6.68
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      ¥6.51
    • 30+

      ¥6.4
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  • Si7210系列霍尔效应磁传感器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和I²C接口集成在一起。该系列产品采用成熟的CMOS设计技术,内置数字信号处理功能,可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有的霍尔效应传感器相比,Si7210系列具备业界领先的灵敏度,可支持更大的气隙和更小的磁铁
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  • A1220、A1221、A1222 和 A1223 霍尔效应传感器 IC 是温度稳定性极高且抗应力的器件,特别适合在高达 150°C 的宽温度范围内工作。动态失调消除技术使卓越的高温性能成为可能,该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个短路保护的开漏输出,可吸收高达 25 mA 的电流
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  • AH3772 是一款高压、高灵敏度霍尔效应锁存 IC,专为工业和消费类家用电器及个人护理应用中的无刷直流电机换向、流量计、线性编码器和位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求,该设计经过优化,可在 3.0V 至 28V 的电源电压范围内工作。AH3772 采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器,为内部电路提供温度补偿电源,可在整个工作范围内提供可靠的解决方案
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    • 1+

      ¥7.55
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      ¥6.27
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  • 适用于24V汽车应用,符合AEC-Q100标准,符合ISO 26262:2011 ASIL A(待确认)。温度稳定,适用于高达165℃的扩展结温范围。具有微功耗调节器,仅消耗6μA电流,专为恶劣的汽车和工业环境设计,具备板载过压和反接保护。适用于高达24V的汽车和工业应用的直接电池连接
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      ¥7.7
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  • A1150、A1152、A1153、A1155、A1156、A1157 和 A1158 构成了一系列两线式单极霍尔效应开关,这些开关在出厂时经过微调,以优化磁开关点精度。这些器件采用先进的 BiCMOS 晶圆制造工艺生产,该工艺采用了高频四相斩波稳定技术。这种技术可在整个工作温度范围内实现磁稳定性,并消除了在恶劣应用环境中使用单个霍尔元件的器件固有的失调问题
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    • 1+

      ¥7.73
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      ¥7.53
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      ¥7.4
  • 有货
  • 霍尔效应磁传感器开关和锁存器结合了斩波稳定霍尔元件、低噪声模拟放大器、13位模数转换器和灵活的比较器电路。采用CMOS设计技术,集成数字信号处理,可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有霍尔效应传感器相比,具有行业领先的灵敏度,可使用更大的气隙和更小的磁体。对于电池供电应用,具有极低的功耗,可延长使用寿命。提供3引脚SOT23、5引脚SOT23和TO-92封装,有电源、地、单个输出引脚,5引脚器件还有禁用(睡眠)引脚和防篡改输出引脚。
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    • 1+

      ¥8.52
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      ¥8.19
  • 有货
  • A1120、A1121、A1122、A1123和A1125霍尔效应单极开关是具有极高温度稳定性和抗应力能力的传感器IC,特别适合在高达150°C的宽温度范围内工作。动态失调消除技术使卓越的高温性能成为可能,该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个可吸收高达25mA电流的短路保护开漏输出
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    • 1+

      ¥9.02
    • 10+

      ¥7.39
    • 30+

      ¥6.49
  • 有货
  • 线性可编程霍尔,应用于线性位置测量,角度传感器,距离测量,磁场和电流测量 ;工作电流10mA ;带宽:10kHz
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    • 1+

      ¥9.61
    • 10+

      ¥7.99
    • 30+

      ¥7.1
  • 有货
  • Allegro A1101 - A1104 和 A1106 霍尔效应开关是广受欢迎的 Allegro 312x 和 314x 系列单极开关的下一代替代产品。采用 BiCMOS 技术生产的 A110x 系列器件具有上电时间短和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行,通过消除可能由封装应力引起的失调,确保提高开关点精度
    数据手册
    • 1+

      ¥10.28
    • 10+

      ¥8.62
    • 30+

      ¥7.58
  • 有货
  • Si7201/2/3/4/5/6系列霍尔效应磁传感器开关和锁存器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和灵活的比较器电路相结合。Si720x系列采用成熟的CMOS设计技术,集成了数字信号处理功能,可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有霍尔效应传感器相比,Si720x系列具有业界领先的灵敏度,可用于更大的气隙和更小的磁体
    数据手册
    • 1+

      ¥10.73
    • 10+

      ¥10.5
    • 30+

      ¥10.34
    • 100+

      ¥10.18
  • 有货
  • 是下一代替代产品,采用BiCMOS技术生产,具有快速上电时间和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行,可消除封装应力引起的偏移,确保提高开关点精度。独特的霍尔元件几何形状和低失调放大器有助于最小化噪声,并减少通常由器件包封、温度漂移和热应力引起的残余失调电压。集成了电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、施密特触发器和NMOS输出晶体管
    数据手册
    • 1+

      ¥11.55
    • 10+

      ¥11.26
    • 30+

      ¥11.07
  • 有货
  • 是一款采用全桥配置的一维线性传感器,基于其获得专利的XtremeSenseTM TMR技术开发。总磁场范围为 -50 mT至50 mT,在 -20 mT至20 mT的范围内实现了±0.5%的线性误差,同时提供XtremeSense性能,以在整个温度范围内实现无与伦比的温度稳定性。该器件支持1.0至5.5 V的宽工作电压范围。有6引脚SOT23封装可供选择,对于空间要求严格的应用,还有尺寸为1.50 mm × 1.50 mm × 0.45 mm的薄型小尺寸6引脚DFN封装。
    • 1+

      ¥11.88
    • 10+

      ¥9.98
    • 30+

      ¥8.8
    • 100+

      ¥7.58
  • 有货
  • 是双通道双极开关,带有两个霍尔效应传感元件,每个元件提供单独的数字输出,用于速度和方向信号处理。霍尔元件光刻对准精度优于1μm,保持两个有源霍尔元件之间的精确机械位置,消除了细间距检测应用中遇到的主要制造障碍。是高灵敏度、温度稳定的磁传感设备,适用于恶劣汽车和工业环境中基于环形磁铁的速度和方向系统。单片集成电路包含两个相距1mm的独立霍尔效应双极开关,数字输出异相,与适当的环形磁铁设计接口时输出正交,便于处理速度和方向信号
    数据手册
    • 1+

      ¥12.26
    • 10+

      ¥10.46
    • 30+

      ¥9.34
    • 100+

      ¥8.19
  • 有货
  • 是下一代替代流行的317x和318x系列锁存开关的产品。采用BiCMOS技术生产,具有快速上电时间和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行,以确保通过消除封装应力可能引起的偏移来提高开关点精度。独特的霍尔元件几何形状和低偏移放大器有助于最小化噪声,并减少通常由器件注塑、温度漂移和热应力引起的残余偏移电压
    • 1+

      ¥12.32
    • 10+

      ¥12.01
    • 30+

      ¥11.8
  • 有货
  • 特性:3.0 V 至 32 V 工作电源电压。 可由非稳压电源供电。 反极性保护(-18 V)。 无需外部电阻,过压能力高达 42 V。 输出过流和过温保护。 主动误差补偿。应用:所有需要高精度霍尔锁存器且工作温度范围为 -40°C 至 170°C 的应用。 汽车和工业应用
    • 1+

      ¥12.7
    • 10+

      ¥10.84
    • 30+

      ¥9.67
  • 有货
  • TLE4966K是一款专门为高精度应用设计的集成电路双霍尔效应传感器。通过片上的有源补偿电路和斩波技术,可实现精确的磁开关点和高温度稳定性。它们为每对磁极在Q2端提供一个速度信号,并在Q1端提供方向信息,该方向信息在速度信号之前给出
    • 1+

      ¥13.12
    • 10+

      ¥11.19
    • 30+

      ¥9.99
  • 有货
  • 是下一代替代流行的317x和318x系列锁存开关的产品。采用BiCMOS技术生产,具有快速上电时间和低噪声运行的特点。器件编程在封装后进行,以确保通过消除封装应力可能引起的偏移来提高开关点精度。独特的霍尔元件几何形状和低偏移放大器有助于最小化噪声,并减少通常由器件注塑、温度漂移和热应力引起的残余偏移电压
    • 1+

      ¥14.05
    • 10+

      ¥13.69
    • 30+

      ¥13.45
  • 有货
  • 线性输出霍尔效应传感器的新应用,如位移和角位置测量,需要更高的精度和更小的封装尺寸。A1318和A1319线性霍尔效应传感器IC专门设计用于满足这两项要求。这些温度稳定型器件提供表面贴装和通孔封装两种形式
    • 1+

      ¥14.49
    • 10+

      ¥14.13
    • 30+

      ¥13.89
  • 有货
    • 1+

      ¥14.59
    • 10+

      ¥14.26
    • 30+

      ¥14.05
  • 有货
    • 1+

      ¥17.27
    • 10+

      ¥16.84
    • 30+

      ¥16.55
  • 有货
  • TLE4906是一款高精度霍尔效应开关,针对高达150°C的工作温度具备高精度的开关阈值。TLE4906K和TLE4906L是专门为高精度应用设计的集成电路霍尔效应传感器。通过片上有源补偿电路和斩波技术,可实现精确的磁性开关点和高温稳定性
    • 1+

      ¥18.36
    • 10+

      ¥15.67
    • 30+

      ¥13.98
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