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首页 > 热门关键词 > 威世ESD二极管
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特性:硅平面齐纳二极管,超小型、低轮廓MicroSMF (DO-219AC)封装。 低漏电流。 出色的稳定性。 高温焊接:端子处260℃ / 10 s。 波峰焊和回流焊(根据JPC / JEDEC J-STD 020进行回流焊,根据IEC 61760-1进行双波峰焊)。 可提供AEC-Q101认证。 RoHS合规、环保、工业级。 RoHS合规、环保、AEC-Q101认证。 符合IEC 61000-4-2的ESD抗扰度(根据零件表)。 符合零件表的浪涌性能
数据手册
  • 10+

    ¥0.373
  • 100+

    ¥0.2985
  • 300+

    ¥0.2612
  • 有货
  • 特性:采用微小的SOD-523塑料封装。 齐纳电压容差为 ±5%。 有符合AEC-Q101标准的产品。 符合RoHS标准,无卤环保。 有商用级和符合AEC-Q101标准的不同版本
    • 5+

      ¥0.379
    • 50+

      ¥0.3694
    • 150+

      ¥0.3631
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 提供AEC-Q101认证。 ESD能力符合AEC-Q101:人体模型> 8kV,机器模型> 800V。 基础型号-E3,符合RoHS标准,商业级。 基础型号-HE3_A,符合RoHS标准,通过AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.3803
    • 50+

      ¥0.3719
    • 150+

      ¥0.3663
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。应用:电压稳定
    • 30+

      ¥0.249665
    • 2500+

      ¥0.189336
    • 5+

      ¥0.4211
    • 50+

      ¥0.4117
    • 150+

      ¥0.4054
    • 500+

      ¥0.3992
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 薄型封装。 适合自动贴装。 低正向压降,低功耗。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。 可波峰焊和回流焊。应用:用于商业、工业和汽车应用中的高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护
    • 5+

      ¥0.447
    • 50+

      ¥0.4375
    • 150+

      ¥0.4311
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 提供AEC-Q101认证。 ESD能力符合AEC-Q101:人体模型> 8kV,机器模型> 800V。 基础型号-E3,符合RoHS标准,商业级。 基础型号-HE3_A,符合RoHS标准,通过AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.4575
    • 50+

      ¥0.4473
    • 150+

      ¥0.4404
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%;将“C”替换为“B”可实现±2%公差。AEC-Q101认证可用。符合AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。RoHS合规,商业级。RoHS合规,AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.4921
    • 50+

      ¥0.3915
    • 150+

      ¥0.3411
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 标准齐纳电压公差为±5%(后缀为“B”),后缀“C”的公差为±2%。 符合AEC-Q101标准。 ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。 基础型号E3:符合RoHS标准,商业级。 基础型号HE3:符合RoHS标准,符合AEC-Q101标准
    数据手册
    • 3000+

      ¥0.24
    • 9000+

      ¥0.2156
    • 24000+

      ¥0.2112
    • 99000+

      ¥0.2068
    特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化颗粒芯片结。 低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。应用:用于电源、逆变器、转换器的通用整流。 用于消费和电信领域的续流二极管
    • 9000+

      ¥0.288
    • 18000+

      ¥0.2832
    • 36000+

      ¥0.276
    • 72000+

      ¥0.264
    18V,1.3W
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5519
    • 50+

      ¥0.4415
    • 150+

      ¥0.3863
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。应用:用于电源、逆变器、转换器的通用整流。 用于消费、汽车和电信领域的续流二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5592
    • 50+

      ¥0.5485
    • 150+

      ¥0.5414
  • 有货
  • 特性:极低的导通电压。 快速开关。 采用PN结保护环,防止过电压,如静电放电。 符合AEC-Q101标准。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,AEC-Q101合格
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.712054 / 个
    • 5+

      ¥0.5741
    • 50+

      ¥0.5619
    • 150+

      ¥0.5537
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5837
    • 50+

      ¥0.5707
    • 150+

      ¥0.562
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳压和限幅电路。 齐纳电压根据国际E 24标准分级;将后缀“C”替换为“B”可实现±2%的公差。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6016
    • 50+

      ¥0.4844
    • 150+

      ¥0.4258
  • 有货
  • 特性:采用微小的SOD-523塑料封装。 齐纳电压容差为 ±5%。 有符合AEC-Q101标准的产品。 符合RoHS标准,无卤环保。 有商用级和符合AEC-Q101标准的不同版本
    • 5+

      ¥0.608
    • 50+

      ¥0.5945
    • 150+

      ¥0.5854
  • 有货
  • 特性:这些二极管具有极低的导通电压和快速开关特性。 这些器件采用PN结保护环,可防止过电压,如静电放电。 可提供符合AEC-Q101标准的产品。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,AEC-Q101合格
    数据手册
    • 1+

      ¥0.6346
    • 10+

      ¥0.4907
    • 30+

      ¥0.4188
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压按国际E24标准分级。 标准齐纳电压公差为±5%;用“B”代替“C”可实现±2%的公差。 有AEC-Q101认证版本。 根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。 基础型号E3为符合RoHS标准的商业级产品。 基础型号HE3为符合RoHS标准且通过AEC-Q101认证的产品
    数据手册
    • 5+

      ¥0.638
    • 50+

      ¥0.5213
    • 150+

      ¥0.4629
    • 500+

      ¥0.4191
    • 3000+

      ¥0.3841
    • 6000+

      ¥0.3665
  • 订货
  • 特性:低剖面封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 快速开关,效率高。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。 可提供AEC-Q101认证。应用:用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流,以及消费、汽车和电信领域的续流二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6671
    • 50+

      ¥0.5283
    • 150+

      ¥0.4589
  • 有货
  • 特性:金属硅肖特基势垒器件,由PN结保护环保护。 低正向压降和快速开关特性。 适用于MOS器件保护、转向、偏置和耦合二极管,用于快速开关和低逻辑电平应用。 适用于通用应用。 可提供符合AEC-Q101标准的产品。 符合RoHS标准,商业级
    • 5+

      ¥0.6811
    • 50+

      ¥0.6649
    • 150+

      ¥0.654
  • 有货
  • 特性:非常低的外形。 典型高度为0.65mm。 适用于自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降。 低功耗,高效率。应用:用于低压高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护应用。 应用于商业、工业和汽车领域
    • 5+

      ¥0.686
    • 50+

      ¥0.6711
    • 150+

      ¥0.6612
  • 有货
  • 特性:极低的外形:典型高度为1.0mm。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 低正向压降。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃。应用:消费和汽车应用中的通用、极性保护和轨到轨保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6895
    • 50+

      ¥0.5479
    • 150+

      ¥0.4771
  • 有货
    • 5500+

      ¥0.156
    • 11000+

      ¥0.1534
    • 22000+

      ¥0.1495
    • 44000+

      ¥0.143
    特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压容差为 ±5%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

      ¥0.812
    • 50+

      ¥0.6496
    • 150+

      ¥0.5684
  • 有货
  • 特性:UL认证,文件编号E54214。 适合自动贴装。 中等浪涌电流能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值260℃。 材料分类:有关合规性定义请见相关文档。应用:用于开关电源、照明镇流器、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的AC/DC桥式全波整流的通用用途
    • 5+

      ¥0.8188
    • 50+

      ¥0.7981
    • 150+

      ¥0.7843
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化颗粒芯片结。 快速开关,高效能。 高正向浪涌能力。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。 可提供 AEC-Q101 认证。应用:用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流,以及消费、汽车和电信领域的续流二极管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.404064
    • 40+

      ¥0.390816
    • 80+

      ¥0.384192
    • 160+

      ¥0.36432
    特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%;将“C”替换为“B”可实现±2%公差。AEC-Q101认证可用。符合AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。RoHS合规,商业级。RoHS合规,AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.8816
    • 50+

      ¥0.7009
    • 150+

      ¥0.6106
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳定和限幅电路。 标准齐纳电压容差为±5%。 通过AEC-Q101认证。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8959
    • 50+

      ¥0.8788
    • 150+

      ¥0.8674
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。低外形表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型 >8kV,机器模型 >800V。波峰焊和回流焊。可提供AEC-Q101认证。基础产品编号-E3-符合RoHS标准,商业级。基础产品编号-HE3-符合RoHS标准,且通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形或SOD-123F和SOD-123FL兼容
    • 5+

      ¥0.9266
    • 50+

      ¥0.9015
    • 150+

      ¥0.8848
  • 有货
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