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首页 > 热门关键词 > 威世ESD二极管
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特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。应用:电压稳定
  • 5+

    ¥0.2848
  • 50+

    ¥0.2787
  • 150+

    ¥0.2747
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%,订货代码中用“C”表示;若公差为±2%,则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。符合RoHS标准,商业级。符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2848
    • 100+

      ¥0.2792
    • 300+

      ¥0.2754
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 非常高的稳定性。 电气数据与1N5221B至1N5267B器件相同。 低反向电流水平。 标准齐纳电压容差:订购代码中带“B”后缀为±5%,带“C”后缀为±2%。 通过AEC-Q101认证。应用:电压稳定
    数据手册
    • 2500+

      ¥0.1416
    • 2500+

      ¥0.138
    • 10000+

      ¥0.1344
    特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 高可靠性。 AEC-Q101合格。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2932
    • 100+

      ¥0.2374
    • 300+

      ¥0.2095
    • 2500+

      ¥0.1886
    • 5000+

      ¥0.1718
    • 10000+

      ¥0.1635
  • 订货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压按照国际E24标准分级。 可提供AEC-Q101认证。 ESD能力:根据AEC-Q101,人体模型 >8kV,机器模型 >800V。 基础型号E3,符合RoHS标准,商业级。 基础型号HE3_A,符合RoHS标准,通过AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.2974
    • 50+

      ¥0.2915
    • 150+

      ¥0.2875
    • 500+

      ¥0.2836
  • 有货
  • 30V,500mW
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2989
    • 100+

      ¥0.2416
    • 300+

      ¥0.2129
    • 2500+

      ¥0.1699
    • 5000+

      ¥0.1527
    • 10000+

      ¥0.1441
  • 订货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。应用:电压稳定
    • 10+

      ¥0.3014
    • 100+

      ¥0.296
    • 300+

      ¥0.2924
  • 有货
  • 特性:低开启电压和快速开关。 采用PN结保护环,防止过电压,如静电放电。 符合AEC-Q101标准。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,AEC-Q101合格
    数据手册
    • 10+

      ¥0.31
    • 100+

      ¥0.3052
    • 300+

      ¥0.302
  • 有货
  • 特性:标准齐纳电压公差:带“B”后缀为±5%,后缀“C”为±2%公差。 具备AEC-Q101认证选项。 ESD能力(根据AEC-Q101):人体模型>8kV,机器模型>800V
    • 5+

      ¥0.3243
    • 50+

      ¥0.3161
    • 150+

      ¥0.3106
    • 500+

      ¥0.305
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。应用:通用
    • 10+

      ¥0.336
    • 100+

      ¥0.2793
    • 300+

      ¥0.251
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 TZMC:Vz 公差 ±5%。 TZMB:Vz 公差 ±2%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.351737 / 个
    • 5+

      ¥0.372
    • 50+

      ¥0.3627
    • 150+

      ¥0.3565
    • 500+

      ¥0.3503
  • 有货
    • 5+

      ¥0.3805
    • 50+

      ¥0.372
    • 150+

      ¥0.3664
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 非常高的稳定性。 电气数据与器件1N5221B至1N5267B相同。 低反向电流水平。 标准齐纳电压容差 ±5%。 AEC-Q101认证。应用:电压稳定
    数据手册
    • 2500+

      ¥0.190021
    • 5000+

      ¥0.183791
    • 10000+

      ¥0.180676
    • 20000+

      ¥0.171331
    特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 可提供AEC-Q101认证。 根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型> 8kV,机器模型> 800V。 基础型号E3,符合RoHS标准,商业级。 基础型号HE3_A,符合RoHS标准,通过AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3973
    • 100+

      ¥0.3181
    • 300+

      ¥0.2786
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 非常高的稳定性。 电气数据与1N5221B至1N5267B器件相同。 低反向电流水平。 标准齐纳电压容差 ±5%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.609106 / 个
    特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%;将“C”替换为“B”可实现±2%公差。AEC-Q101认证可用。符合AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。RoHS合规,商业级。RoHS合规,AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.4222
    • 50+

      ¥0.4139
    • 150+

      ¥0.4084
  • 有货
  • 47V,1.3W
    数据手册
    • 100+

      ¥0.45765
    • 1000+

      ¥0.4407
    • 3000+

      ¥0.42375
    • 6000+

      ¥0.38985
    • 10000+

      ¥0.37968
    特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。应用:电压稳定
    • 5+

      ¥0.4383
    • 50+

      ¥0.3416
    • 150+

      ¥0.2933
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 可提供更严格的公差。 非常高的稳定性。 低噪声。 VZ 公差:±5%。应用:电压稳定
    • 10+

      ¥0.4549
    • 100+

      ¥0.3613
    • 300+

      ¥0.3145
  • 有货
  • 特性:节省空间。 密封部件。 电气数据与 BZT55 系列、TZM 系列器件相同。 适用于 SOD-323。 非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。应用:电压稳定
    • 5+

      ¥0.5217
    • 50+

      ¥0.5101
    • 150+

      ¥0.5024
    • 500+

      ¥0.4946
  • 有货
  • 特性:集成静电放电保护环。 低电容。 低漏电流。 低正向压降。 通过AEC-Q101认证。应用:高频探测器。 保护电路
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5301
    • 50+

      ¥0.4241
    • 150+

      ¥0.3711
    • 500+

      ¥0.3313
  • 有货
  • 特性:硅平面稳压二极管。 低漏电流,低噪声。 出色的稳定性。 浪涌额定。 稳压电压容差 ±2%。 无铅超小型 DFN1006-2A 封装(1mm×0.6mm×0.45mm)。 功耗优于 SOT-23。 表面贴装器件(SMD)塑料封装,侧面有可见且镀锡/可焊侧翼。 可通过标准目视检查焊接情况,无需 X 射线检查即可满足汽车自动光学检测(AOI)要求。 符合 AEC-Q101 标准。 材料分类:有关合规性定义请参考相关文档
    • 5+

      ¥0.5329
    • 50+

      ¥0.5213
    • 150+

      ¥0.5136
  • 有货
  • 特性:适用于通用应用。 低正向压降和快速开关特性,适用于MOS器件保护、快速开关和低逻辑电平应用中的转向、偏置和耦合二极管。 是由PN结保护环保护的硅基金属肖特基势垒器件。 可提供AEC-Q101认证。 Base P/N-E3:符合RoHS标准,商业级。 Base P/N-HE3:符合RoHS标准,通过AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.5627
    • 50+

      ¥0.4481
    • 150+

      ¥0.3909
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压按照国际 E24 标准分级。 标准齐纳电压公差为 ±5%;用 “B” 代替 “C” 可实现 ±2% 公差。 可提供 AEC-Q101 认证。 符合 AEC-Q101 的 ESD 能力:人体模型 >8kV,机器模型 >800V。 RoHS 合规,商业级。 RoHS 合规,AEC-Q101 认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.5732
    • 100+

      ¥0.4777
    • 300+

      ¥0.43
  • 有货
  • 特性:非常低的外形。 典型高度为0.65mm,适合自动贴装。 低正向压降,低功率损耗。 高效率。 符合J-STD-020的MSL 1级,最高峰值温度为260℃。 可提供AEC-Q101认证。应用:用于低压高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5882
    • 50+

      ¥0.4682
    • 150+

      ¥0.4081
    • 500+

      ¥0.3631
  • 有货
  • 特性:集成静电放电保护环。 极低的正向电压。 通过AEC-Q101认证。 无卤,符合RoHS标准。应用:需要极低正向电压的应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6234
    • 50+

      ¥0.4987
    • 150+

      ¥0.4363
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%,订购代码中用“C”表示。用“B”替换“C”可实现±2%的公差。可提供AEC-Q101认证。根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型:>8 kV,机器模型:>800 V。RoHS合规,商业级。RoHS合规,AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.6288
    • 50+

      ¥0.5122
    • 150+

      ¥0.4539
    • 500+

      ¥0.4102
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 标准齐纳电压公差为±5%;用“B”替换“C”可实现±2%公差。 有AEC-Q101认证版本。 根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。 基础型号E3:符合RoHS标准,商业级。 基础型号HE3:符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6475
    • 50+

      ¥0.5249
    • 150+

      ¥0.4636
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 标准齐纳电压公差:后缀“B”为±5%,后缀“C”为±2%。 符合AEC-Q101标准。 ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。 基础型号E3:符合RoHS标准,商业级。 基础型号HE3:符合RoHS标准,符合AEC-Q101标准
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6503
    • 50+

      ¥0.5202
    • 150+

      ¥0.4551
  • 有货
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