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首页 > 热门关键词 > 威世ESD二极管
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特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 标准齐纳电压公差为 ±5%,用“B”替换“C”可实现 ±2% 公差。 符合AEC-Q101标准。 ESD能力(根据AEC-Q101):人体模型 >8kV,机器模型 >800V。 基础型号E3:符合RoHS标准的商业级产品。 基础型号HE3:符合RoHS标准且符合AEC-Q101标准
数据手册
  • 10+

    ¥0.2989
  • 100+

    ¥0.2497
  • 300+

    ¥0.2251
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%,订货代码中用“C”表示;若公差为±2%,则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。符合RoHS标准,商业级。符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.3106
    • 100+

      ¥0.2472
    • 300+

      ¥0.2155
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 VZ 容差 ±5%(TZMC)。 VZ 容差 ±2%(TZMB)。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.319
    • 100+

      ¥0.2586
    • 300+

      ¥0.2284
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际 E24 标准分级。 可提供 AEC-Q101 认证。 ESD 能力符合 AEC-Q101:人体模型 >8kV,机器模型 >800V。 基础 P/N-E3,符合 RoHS 标准,商业级。 基础 P/N-HE3_A,符合 RoHS 标准,AEC-Q101 认证
    • 10+

      ¥0.3299
    • 100+

      ¥0.2594
    • 300+

      ¥0.2242
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。应用:用于电源、逆变器、转换器的通用整流,以及消费、汽车和电信领域的续流二极管
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3601
    • 100+

      ¥0.2839
    • 300+

      ¥0.2459
    • 1000+

      ¥0.2173
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。应用:通用目的
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3666
    • 100+

      ¥0.2933
    • 300+

      ¥0.2566
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。TZMC:Vz 容差 ±5%。TZMB:Vz 容差 ±2%。应用:电压稳定
    • 10+

      ¥0.3748
    • 100+

      ¥0.298
    • 300+

      ¥0.2596
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。快速开关二极管。符合AEC-Q101标准。符合RoHS标准,商业级
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3825
    • 100+

      ¥0.3033
    • 300+

      ¥0.2637
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 非常高的稳定性。 电气数据与器件1N5221B至1N5267B相同。 低反向电流水平。 标准齐纳电压容差 ±5%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3983
    • 100+

      ¥0.3105
    • 300+

      ¥0.2666
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。 SOT-23封装的快速开关二极管,特别适合自动插入。 符合AEC-Q101标准。 符合RoHS标准,商业级
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3995
    • 100+

      ¥0.3155
    • 300+

      ¥0.2736
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压公差为 ±5%。符合 AEC-Q101 标准。ESD 能力(根据 AEC-Q101):人体模型 >8kV;机器模型 >800V。RoHS 合规,商业级。RoHS 合规,符合 AEC-Q101 标准
    • 10+

      ¥0.4098
    • 100+

      ¥0.3196
    • 300+

      ¥0.2745
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压按照国际E24标准分级。 可提供AEC-Q101认证。 ESD能力:根据AEC-Q101,人体模型 >8kV,机器模型 >800V。 基础型号E3,符合RoHS标准,商业级。 基础型号HE3_A,符合RoHS标准,通过AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.4162
    • 100+

      ¥0.3312
    • 300+

      ¥0.2888
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%;将“C”替换为“B”可实现±2%公差。AEC-Q101认证可用。符合AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。RoHS合规,商业级。RoHS合规,AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.4232
    • 100+

      ¥0.3324
    • 300+

      ¥0.287
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃。 符合JESD 201 2类晶须测试。 可进行波峰焊和回流焊。 通过AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4526
    • 100+

      ¥0.3638
    • 300+

      ¥0.3194
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压容差为 ±5%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

      ¥0.464
    • 50+

      ¥0.3617
    • 150+

      ¥0.3105
    • 500+

      ¥0.2721
  • 有货
  • 特性:低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。 浸焊温度最高275℃,持续10s,符合JESD22-B106标准。 符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE指令2002/96/EC。应用:用于电源、逆变器、转换器的通用整流以及续流二极管应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4759
    • 100+

      ¥0.3921
    • 300+

      ¥0.3502
  • 有货
  • 特性:节省空间。 密封部件。 电气数据与 BZT55 系列、TZM 系列器件相同。 适用于 SOD-323。 非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。应用:电压稳定
    • 10+

      ¥0.4804
    • 100+

      ¥0.3886
    • 300+

      ¥0.3426
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 超快恢复时间,效率高。 低正向电压,低功耗。 高正向浪涌能力。 符合MSL 1级,按照J-STD-020标准,LF最大峰值为260℃。应用:用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4838
    • 100+

      ¥0.395
    • 300+

      ¥0.3506
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。 快速开关二极管。 可提供AEC-Q101认证(需咨询具体型号)。 基础型号为G3-绿色,商业级
    • 10+

      ¥0.4939
    • 100+

      ¥0.3877
    • 300+

      ¥0.3347
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。应用:用于消费、汽车和电信领域的电源、逆变器、转换器的通用整流以及续流二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5153
    • 50+

      ¥0.4425
    • 150+

      ¥0.4061
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 标准齐纳电压公差为±5%;将“C”替换为“B”可实现±2%公差。 符合AEC-Q101标准。 根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。 基本型号E3:符合RoHS标准,商业级。 基本型号HE3:符合RoHS标准,符合AEC-Q101标准
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5188
    • 50+

      ¥0.4117
    • 150+

      ¥0.3582
    • 500+

      ¥0.3181
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压容差为 ±5%。应用:电压稳定
    • 5+

      ¥0.5191
    • 50+

      ¥0.4116
    • 150+

      ¥0.3578
  • 有货
  • 特性:适用于通用应用。 极低的开启电压和快速开关。 采用PN结保护环,防止过电压,如静电放电。 通过AEC-Q101认证。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,通过AEC-Q101认证
    数据手册
    • 5+

      ¥0.56
    • 50+

      ¥0.4626
    • 150+

      ¥0.4138
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压容差:±5%。保证高温焊接:260℃/4×10s 设定端子。符合 AEC-Q101 标准。ESD 能力符合 AEC-Q101:人体模型 >8kV,机器模型 >800V。符合 RoHS 标准,商业级。符合 RoHS 标准,AEC-Q101 认证
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5814
    • 50+

      ¥0.4622
    • 150+

      ¥0.4026
    • 500+

      ¥0.3579
  • 有货
  • 特性:标准齐纳电压公差:带“B”后缀为±5%,后缀“C”为±2%公差。 具备AEC-Q101认证选项。 ESD能力(根据AEC-Q101):人体模型>8kV,机器模型>800V
    • 5+

      ¥0.6332
    • 50+

      ¥0.5069
    • 150+

      ¥0.4438
    • 500+

      ¥0.3965
  • 有货
  • 特性:快速开关,实现高效率。 低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。 最高浸焊温度275℃,持续10s。应用:用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。 用于消费和电信领域的续流二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6411
    • 50+

      ¥0.5043
    • 150+

      ¥0.4359
    • 500+

      ¥0.3846
  • 有货
    • 5+

      ¥0.6441
    • 50+

      ¥0.5121
    • 150+

      ¥0.4461
    • 500+

      ¥0.3966
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 有保护环用于过压保护。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。 低漏电流。 高浪涌能力。应用:用于低压高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6569
    • 50+

      ¥0.562
    • 150+

      ¥0.5213
    • 500+

      ¥0.4705
    • 2500+

      ¥0.3756
  • 有货
  • 特性:集成静电放电保护环。 低电容。 低漏电流。 低正向压降。 通过AEC-Q101认证。应用:高频探测器。 保护电路
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7573
    • 50+

      ¥0.6103
    • 150+

      ¥0.5368
    • 500+

      ¥0.4817
  • 有货
    • 5+

      ¥0.7729
    • 50+

      ¥0.6145
    • 150+

      ¥0.5353
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