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首页 > 热门关键词 > 威世ESD二极管
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特性:硅外延平面二极管。 快速开关二极管。 符合 AEC-Q101 标准。 符合 RoHS 标准,商业级。 符合 RoHS 标准,AEC-Q101 认证
数据手册
  • 1+

    ¥0.3248
  • 10+

    ¥0.2823
  • 30+

    ¥0.2611
  • 100+

    ¥0.2452
  • 500+

    ¥0.2324
  • 1000+

    ¥0.2261
  • 有货
  • 特性:低轮廓封装,适合自动贴装。 玻璃钝化台面芯片结。 超快反向恢复时间。 低开关损耗,高效率。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。应用:用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.45149
    • 7500+

      ¥0.350405
    特性:节省空间。 密封部件。 电气数据与 BZT55 系列、TZM 系列器件相同。 适用于 SOD-323。 非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。应用:电压稳定
    • 10+

      ¥0.3333
    • 100+

      ¥0.2618
    • 300+

      ¥0.2261
  • 有货
  • 特性:标准齐纳电压公差:带“B”后缀为±5%,带“C”后缀为±2%。 具备AEC-Q101认证。 ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V
    • 10+

      ¥0.3631
    • 100+

      ¥0.2905
    • 300+

      ¥0.2542
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%,订货代码中用“C”表示;若公差为±2%,则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。符合RoHS标准,商业级。符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3731
    • 100+

      ¥0.2984
    • 300+

      ¥0.2611
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 非常高的稳定性。 电气数据与器件1N5221B至1N5267B相同。 低反向电流水平。 标准齐纳电压容差 ±5%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3815
    • 100+

      ¥0.3171
    • 300+

      ¥0.285
    • 2500+

      ¥0.2407
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压公差为 ±5%。符合 AEC-Q101 标准。ESD 能力(根据 AEC-Q101):人体模型 >8kV;机器模型 >800V。RoHS 合规,商业级。RoHS 合规,符合 AEC-Q101 标准
    • 10+

      ¥0.3825
    • 100+

      ¥0.3006
    • 300+

      ¥0.2596
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 非常高的稳定性。 电气数据与1N5221B至1N5267B器件相同。 低反向电流水平。 标准齐纳电压容差 ±5%。 AEC-Q101认证。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3862
    • 100+

      ¥0.3027
    • 300+

      ¥0.2609
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。应用:用于电源、逆变器、转换器的通用整流,以及消费、汽车和电信领域的续流二极管
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3863
    • 100+

      ¥0.3101
    • 300+

      ¥0.2721
    • 1000+

      ¥0.2435
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%,订货代码中用“C”表示;若公差为±2%,则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。符合RoHS标准,商业级。符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.4077
    • 100+

      ¥0.3245
    • 300+

      ¥0.2828
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。 快速开关双二极管,共阴极。 符合AEC-Q101标准。 符合RoHS标准,商业级
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4123
    • 100+

      ¥0.3299
    • 300+

      ¥0.2887
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 标准齐纳电压容差为 ±5%。 保证高温焊接:260℃ / 4 × 10s 设定端子。 符合 AEC-Q101 标准。 根据 AEC-Q101 的 ESD 能力:人体模型 > 8kV,机器模型 > 800V。 符合 RoHS 标准,商业级。 符合 RoHS 标准,AEC-Q101 认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.417
    • 100+

      ¥0.3378
    • 300+

      ¥0.2983
  • 有货
  • 特性:节省空间。 密封部件。 电气数据与 BZT55 系列、TZM 系列器件相同。 适用于 SOD-323。 非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。应用:电压稳定
    • 10+

      ¥0.4275
    • 100+

      ¥0.3399
    • 300+

      ¥0.2961
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳压和限幅电路。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 用“B”替换后缀“C”可实现±2%的公差。 通过AEC-Q101认证。 符合RoHS标准且无卤。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4378
    • 50+

      ¥0.4308
    • 150+

      ¥0.4261
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 标准齐纳电压公差为±5%;用“B”代替“C”可实现±2%的公差。 符合AEC-Q101标准。 ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,AEC-Q101合格
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4398
    • 100+

      ¥0.3499
    • 300+

      ¥0.305
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。快速开关二极管。可提供符合AEC-Q101标准的产品。RoHS合规,商业级。RoHS合规,符合AEC-Q101标准
    • 10+

      ¥0.4403
    • 100+

      ¥0.3654
    • 300+

      ¥0.328
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 标准齐纳电压容差为 ±5%。 可提供AEC-Q101认证。 根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型 >8kV,机器模型 >800V。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.4495
    • 100+

      ¥0.3578
    • 300+

      ¥0.312
  • 有货
  • 特性:双硅平面齐纳二极管,共阳极。 齐纳电压根据国际E24标准分级,标准齐纳电压公差为±5%(订货代码中用“C”表示),用“B”替换“C”可实现2%的公差。 封装内两个二极管的参数均有效,封装内两个二极管的ΔVz和ΔRzj ≤ 5%。 可提供符合AEC-Q101标准的产品(需咨询具体型号)。 根据AEC-Q101标准的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4875
    • 50+

      ¥0.3811
    • 150+

      ¥0.3278
    • 500+

      ¥0.2879
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。玻璃钝化颗粒芯片结。快速开关,效率高。高正向浪涌能力。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值 260℃。可提供 AEC-Q101 认证。应用:用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。用于消费、汽车和电信领域的续流二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4891
    • 50+

      ¥0.3812
    • 150+

      ¥0.3273
    • 500+

      ¥0.2868
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 薄型封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化台面芯片结。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。 符合 JESD 201 2 类晶须测试。 可进行波峰焊和回流焊。 通过 AEC-Q101 认证
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5249
    • 50+

      ¥0.4108
    • 150+

      ¥0.3537
    • 500+

      ¥0.3109
    • 3000+

      ¥0.2766
    • 6000+

      ¥0.2595
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压公差为 ±5%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5885
    • 50+

      ¥0.4636
    • 150+

      ¥0.4012
  • 有货
  • 特性:适用于通用应用。 是金属硅肖特基势垒器件,由PN结保护环保护。 低正向压降和快速开关特性,适用于MOS器件保护、快速开关和低逻辑电平应用中的转向、偏置和耦合二极管。 集成静电放电保护环。 低电容。 低泄漏电流。应用:高频探测器。 保护电路
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5972
    • 50+

      ¥0.4747
    • 150+

      ¥0.4134
    • 500+

      ¥0.3675
  • 有货
  • 特性:非常低的外形。 典型高度为1.0mm。 适合自动贴装。 低正向压降,低功率损耗。 高效率。 低热阻。应用:用于低压高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.6168 / 个
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压公差为 ±5%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6245
    • 50+

      ¥0.5237
    • 150+

      ¥0.4733
    • 500+

      ¥0.4355
  • 有货
  • 特性:用于通用应用。 是金属硅肖特基势垒器件,由PN结保护。 低正向压降和快速开关,适用于MOS器件保护、快速开关和低逻辑电平应用中的转向、偏置和耦合二极管。 可提供AEC-Q101认证。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.6521
    • 50+

      ¥0.5216
    • 150+

      ¥0.4564
    • 500+

      ¥0.4075
    • 2500+

      ¥0.3684
  • 有货
  • 特性:用于通用应用。 极低的开启电压和快速开关。 采用PN结保护环,可防止过电压,如静电放电。 可提供AEC-Q101认证。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.6867
    • 50+

      ¥0.5427
    • 150+

      ¥0.4707
    • 500+

      ¥0.4167
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 有过压保护的保护环。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。 高浪涌能力。 符合MSL 1级,LF最高峰值260℃。应用:低压、高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 5+

      ¥0.689
    • 50+

      ¥0.5834
    • 150+

      ¥0.5306
    • 500+

      ¥0.491
  • 有货
  • 特性:宽频率范围:10 MHz至1 GHz。应用:可调衰减器中的电流控制高频电阻
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6892
    • 50+

      ¥0.5515
    • 150+

      ¥0.4826
    • 500+

      ¥0.431
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 有过压保护的保护环。 低功率损耗,高效率。 极低的开关损耗。 高浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃。应用:用于低压高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6928
    • 50+

      ¥0.5764
    • 150+

      ¥0.5182
    • 500+

      ¥0.4745
  • 有货
  • 特性:适用于通用应用。 是金属硅肖特基势垒器件,由PN结保护环保护。 低正向压降和快速开关特性,适用于MOS器件保护、快速开关和低逻辑电平应用中的转向、偏置和耦合二极管。 集成静电放电保护环。 低电容。 低泄漏电流。应用:高频探测器。 保护电路
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6983
    • 50+

      ¥0.5827
    • 150+

      ¥0.5249
    • 500+

      ¥0.4815
  • 有货
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