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首页 > 热门关键词 > 安森美ESD二极管
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这款超快整流器在紧凑且散热高效的封装中提供快速开关性能和软恢复特性。其紧凑的尺寸使其非常适合印刷电路板空间有限的便携式和汽车应用。其低矮的外形使其成为平板显示器和其他垂直空间有限的应用的理想选择。该器件在不同温度下具有低泄漏电流,适合需要低静态电流的应用。
数据手册
  • 1+

    ¥4.95
  • 10+

    ¥4.01
  • 30+

    ¥3.54
  • 有货
  • 该系列采用了先进的外延结构,具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。非常适合用于高压、高频整流,或作为续流和保护二极管,适用于对尺寸和重量要求严格的表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.02
    • 10+

      ¥4.91
    • 30+

      ¥4.83
  • 有货
  • RURP1560_F085 是一款具有软恢复特性的超快速二极管 (trr < 70 ns)。 它具有低正向压降,并具有氮化硅钝化离子植入外延平面结构。该器件在各种开关电源及其他电源开关应用中用作能量转向/箝位二极管和整流器。其低存储电荷和具有软恢复特性的超快速恢复功能可最大限度地减少多种功率开关电路中的振铃和电气噪声,由此降低开关晶体管中的功耗。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.87
    • 10+

      ¥6.7
    • 50+

      ¥6.58
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部或底部电路板安装。 符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序文件。 无铅器件
    数据手册
    • 1+

      ¥7.52
    • 10+

      ¥6.25
    • 30+

      ¥5.56
  • 有货
  • 具有外延结构、玻璃钝化和金属覆盖接触的先进几何结构。非常适合用于低电压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥9.58
    • 10+

      ¥9.37
    • 30+

      ¥9.23
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化结。 浪涌过载额定值:200A峰值。 采用模塑塑料技术的可靠低成本结构。 适用于印刷电路板。 UL认证:UL #E258596
    • 1+

      ¥9.65
    • 10+

      ¥8.09
    • 40+

      ¥7.24
    • 100+

      ¥6.27
    • 500+

      ¥5.84
    • 1000+

      ¥5.64
  • 有货
  • 特性:保护环用于应力保护。 低正向电压。 工作结温:175℃。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 1+

      ¥15.28
    • 10+

      ¥13.05
    • 50+

      ¥11.18
  • 有货
  • 肖特基增强整流器,VF 更低、浪涌能力更高、IR 参数更低。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.48
    • 10+

      ¥16.07
    • 30+

      ¥15.8
  • 有货
  • RHRG3060_F085 是一款具有软恢复特性 (trr 45ns) 的超高速 <二极管。 恢复时间仅为超快速二极管的一半,采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。该器件主要是在各种汽车开关电源及其他电源开关汽车应用中用作续流/箝位二极管和整流器。 其低存储电荷和超快速软恢复特性可最大限度地降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声,由此降低开关晶体管中的功耗。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.39
    • 10+

      ¥17.99
    • 30+

      ¥17.73
  • 有货
  • NTS8100MFS 是我们的全新双 8A 100V 极低正向电压沟槽双肖特基整流器。 此新型技术可实现更低的正向电压降,而且不会发生平面肖特基整流器出现的高逆向泄漏。 此平台还基于宽温度范围提供非常稳定的开关特性,是用于开关电源的理想输出整流器。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.69
    • 10+

      ¥16.96
    • 30+

      ¥15.33
    • 100+

      ¥11.8
    • 500+

      ¥11.05
    • 1500+

      ¥10.7
  • 有货
  • 特性:一体成型的散热器,热阻极低,可实现最大散热。 浪涌过载额定值为300 A至400 A。 外壳与引脚之间的隔离电压超过2500 V。 UL认证,UL编号E258596。 端子表面处理材料:线式GBPC-W封装为银(可根据MIL-STD-202方法208进行焊接),GBPC封装为镍。 后缀“W”:线式引脚结构。 后缀“M”:端子面对面布局
    • 1+

      ¥34.41
    • 10+

      ¥29.29
    • 50+

      ¥26.17
  • 有货
  • 特性:低正向电压:0.72 V @ 125℃。 低功耗/高效率。 高浪涌能力。 175℃工作结温。 60 A 总电流(每个二极管支路 30 A)。 带有 NRVB 前缀,适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。应用:电源-输出整流。 电源管理
    • 1+

      ¥37.98
    • 10+

      ¥33.11
    • 30+

      ¥30.15
  • 有货
    • 1+

      ¥116.39
    • 10+

      ¥111.2
    • 30+

      ¥102.2
  • 有货
  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥118.96
    • 10+

      ¥115.14
  • 有货
  • 安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化,如 ToF-PET(飞行时间正电子发射层析成像)。由于提高了微单元密度,J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE),灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2,并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的,所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸,符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出,适用于快速计时功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥164.38
    • 30+

      ¥155.58
  • 有货
  • 安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率,以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内,可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出,适用于快速计时应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥584.45
    • 10+

      ¥564.38
  • 有货
  • 该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装,旨在以最小的空间需求提供电压调节。
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.11352 / 个
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1439
    • 100+

      ¥0.1408
    • 300+

      ¥0.1387
  • 有货
  • 特性:S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.08988 / 个
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装,旨在以最小的空间需求提供电压调节。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1621
    • 100+

      ¥0.1586
    • 300+

      ¥0.1563
  • 有货
  • 该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间要求提供电压调节。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1709
    • 100+

      ¥0.1672
    • 300+

      ¥0.1648
  • 有货
  • 特性:500 mW额定功率,适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽:1.8 V至43 V。 低反向电流 (IZT):50 μA。 封装设计便于自动电路板组装。 小封装尺寸,适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级(> 16 kV)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.1836 / 个
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装,旨在以最小的空间需求提供电压调节,非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.11352 / 个
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于诸如手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1954
    • 100+

      ¥0.1924
    • 300+

      ¥0.1904
    • 1000+

      ¥0.1884
  • 有货
  • 该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装,功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护,特别适用于空间有限的情况。
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.39456 / 个
    此共阴极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装,适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.11352 / 个
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装,旨在以最小的空间需求提供电压调节。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2091
    • 100+

      ¥0.2046
    • 300+

      ¥0.2017
  • 有货
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