安森美ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MBR2535CTG 编号：C154813

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。

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型号：SBRB20200CTT4G 编号：C604689

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

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型号：FFSM0865B 编号：C2902249

封装：PQFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的 FMI 以及减小的系统尺寸和成本。

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￥25.7348 ￥49.49
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型号：MBR7030WTG 编号：C480814

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

采用铂势垒金属的肖特基势垒原理。

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型号：FFSB2065B-F085 编号：C605085

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术，能够提供卓越的开关性能，且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能，使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及减小的系统尺寸和成本。

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￥30.6592 ￥34.84
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￥26.5746 ￥34.07
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型号：NRVTS1545EMFST1G 编号：C900235

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

NTS1545EMFS 和 NRVTS1545EMFS 是极低漏沟槽型肖特基整流器。此项新技术可实现低正向电压降，而且不会发生平面肖特基整流器出现的高逆向泄漏。此平台还基于宽温度范围提供非常稳定的开关特性，是用于开关电源的理想输出整流器。

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型号：FFSB20120A 编号：C605083

封装：TO-263

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅SiC

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型号：FFSB3065B 编号：C898610

封装：D2PAK-2(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、开关特性与温度无关，且热性能优异，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

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￥51.89
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型号：FFSH30120ADN-F155 编号：C467465

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度无关的开关特性和出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

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￥70.6923 ￥112.21
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型号：NDSH50120C 编号：C3759033

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

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型号：MICROFC-10035-SMT-TR 编号：C891563

封装：SMD

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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