安森美ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MM3Z3V3C 编号：C891615

封装：SOD-323FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：稳压二极管电压范围宽，2.4V 至 75V。VZ 公差选择为 ±5% C 系列。非常小且薄的贴片封装。哑光镀锡（Sn）表面处理。这些器件无铅且符合 RoHS 标准

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10+
￥0.4579
100+
￥0.3676
300+
￥0.3225

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型号：BAT43XV2 编号：C463439

封装：SOD-523F

品牌：onsemi(安森美)

特性：低正向压降。扁平引脚，高度为0.60mm的表面贴装器件。极其小巧的塑料封装SOD523F。湿度敏感度等级1。无铅版本且符合RoHS标准。哑光锡（Sn）引脚镀层。绿色模塑料

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10+
￥0.488
100+
￥0.3925
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￥0.3448
1000+
￥0.309

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型号：1N4739ATR 编号：C258173

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

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5+
￥0.4952
50+
￥0.3937
150+
￥0.343
500+
￥0.3049

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型号：NSD350HT1G 编号：C889720

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适合自动化插入。

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5+
￥0.544
50+
￥0.4311
150+
￥0.3747
500+
￥0.3324

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型号：1N4753A 编号：C238931

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

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5+
￥0.5532
50+
￥0.4421
250+
￥0.3749
500+
￥0.3332

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型号：SBAS40LT1G 编号：C894268

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装极其适合空间受限的手持和便携式应用。

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5+
￥0.594561 ￥1.8017
50+
￥0.329751 ￥1.4337
150+
￥0.16588 ￥1.276
500+
￥0.140296 ￥1.0792
3000+
￥0.128908 ￥0.9916
6000+
￥0.12207 ￥0.939

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型号：MRA4005T3G 编号：C154794

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。

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5+
￥0.6427
50+
￥0.5134
150+
￥0.4488
500+
￥0.4003
2500+
￥0.3615
5000+
￥0.3421

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型号：MMBD101LT1G 编号：C232599

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

主要为超高频（UHF）混频器应用而设计，但也适用于检测器和超快速开关电路。采用低成本塑料封装，以满足低成本、大批量的消费需求。也提供表面贴装封装形式

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5+
￥0.6677
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￥0.5277
150+
￥0.4577
500+
￥0.4051

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型号：NSR0240P2T5G 编号：C896425

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

肖特基整流器经过优化，可实现极低的正向压降和低泄漏电流，并广泛用于便携式设备中的 DC-DC 转换器、箝位和保护应用。NSR0240P2 采用 SOD-923 微型封装，有助于设计人员完成具有挑战性的任务：提高能效并满足缩小空间的要求。

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5+
￥0.6704
50+
￥0.5503
150+
￥0.4902
500+
￥0.4452
2500+
￥0.3852
5000+
￥0.3672

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型号：NRVBS2040LNT3G 编号：C905351

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

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5+
￥0.84108 ￥0.978
50+
￥0.727472 ￥0.9572
150+
￥0.622578 ￥0.9433
500+
￥0.613404 ￥0.9294

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型号：1SMB5944BT3G 编号：C154826

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥0.9464
50+
￥0.7906
150+
￥0.7127
500+
￥0.6543

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型号：1SMA5914BT3G 编号：C152496

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥1.0178
50+
￥0.7961
150+
￥0.701
500+
￥0.5516
2500+
￥0.4988
5000+
￥0.4671

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型号：MUR160G 编号：C85419

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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5+
￥1.3995
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￥1.102
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￥0.9745

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型号：NRVB130T1G 编号：C223580

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属 - 硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。该封装还为无引脚 34 封装形式提供了一种易于使用的替代方案

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5+
￥1.4293
50+
￥1.1669
150+
￥1.0545
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￥0.9142

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型号：NSVR351SDSA3T1G 编号：C604385

封装：SC-59

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基势垒二极管专用于实现紧凑和高能效的设计。两个肖特基势垒二极管结合到了一个 SC-59 封装内。采用两个肖特基势垒二极管既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。此肖特基势垒二极管经过了 AEC-Q101 认证且具有 PPAP 功能，适用于汽车应用。

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5+
￥2.0752
50+
￥1.6247
150+
￥1.4317
500+
￥1.1908

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型号：FSV8100V 编号：C463036

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低正向压降。低热阻。超薄外形：典型高度1.1mm。沟槽肖特基技术。符合IEC61249标准的绿色模塑料。仅无DAP选项。应用：AC-DC和DC-DC转换器。移动充电器

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1+
￥3.83
10+
￥3.1
30+
￥2.73
100+
￥2.36
500+
￥2.14
1000+
￥2.03

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型号：RURD4120S9A-F085 编号：C887757

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

RURD4120S9A_F085 是具有软恢复特性的超快二极管 (trr < 70ns)。它们具有低正向电压压降，并且采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。这些器件适合用作各种开关电源和其他电源开关应用中的续流/箝位二极管。它们的低存储电荷和超快的软恢复特性最大程度降低了许多电源开关电路中的振铃和电噪声，降低了开关晶体管的功率损耗。

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1+
￥6.45
10+
￥4.8692 ￥5.18
30+
￥3.822 ￥4.55
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￥3.2928 ￥3.92
500+
￥2.9736 ￥3.54
1000+
￥2.814 ￥3.35

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型号：NCV68061SNAIT1G 编号：C5206748

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NCV68061是一款反极性保护和理想二极管NMOS控制器，旨在作为功率整流二极管的低损耗、低正向电压替代品。该控制器与N沟道MOSFET配合使用，以实现低功耗。NCV68061的主要功能是根据源极至漏极的压差极性控制外部NMOS的导通/关断状态

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1+
￥6.58
10+
￥5.5
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￥4.9
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￥4.23
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￥3.93
1000+
￥3.8

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型号：NRVBSS16HE 编号：C893719

封装：SOD-323HE

品牌：onsemi(安森美)

特性：非常低的外形：典型高度为0.68mm。低功耗，高效率。湿度敏感度等级1级（符合J-STD-020标准）。 UL可燃性94V-0等级。符合RoHS标准/环保模塑料。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力

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￥7.24
10+
￥6.02
30+
￥5.35
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￥4.59

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型号：FFSP1065A 编号：C464168

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术，能够提供卓越的开关性能，且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能，使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及减小的系统尺寸和成本。Llew

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1+
￥9.891 ￥15.7
10+
￥7.9235 ￥14.95
50+
￥6.2393 ￥14.51
100+
￥6.0458 ￥14.06
500+
￥5.9555 ￥13.85
1000+
￥5.9168 ￥13.76

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型号：SB10-05P-TD-E 编号：C900010

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

SB10-05P 是一款肖特基势垒整流器，50V，1A，低 IR，单，适用于开关稳压器、转换器、斩波器等中的高频率电路整流。

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1+
￥13.19
10+
￥11.21
30+
￥9.98
100+
￥8.71

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型号：ISL9R3060G2 编号：C124445

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

ISL9R3060G2 是一款 STEALTH 二极管，在高频硬开关应用中具有低损耗性能。STEALTH 系列在典型的工作条件下具有低反向恢复电流 (IRR) 和异常软恢复的特点。此器件适合在电源和其他电源开关应用中用作续流或升压二极管。低 IRR 和短 ta 相位减少了开关晶体管的损耗。软恢复可最大程度减少振铃，从而扩大了在不使用额外吸收电路的情况下可以操作二极管的条件范围。考虑将 STEALTH 二极管与 SMPS IGBT 一起使用，从而以较低的成本提供最有效和最高的功率密度设计。

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1+
￥27.44
10+
￥24.52
30+
￥21.61
90+
￥19.74
450+
￥18.89
900+
￥18.52

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型号：1N4148TR 编号：C84410

封装：DO-35

品牌：onsemi(安森美)

高电导快速二极管

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单价：
￥0.04632 / 个

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型号：MM3Z24VB 编号：C891592

封装：SOD-323FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：宽齐纳电压范围选择，2.4V 至 75V。 VZ 公差选择为 ±2% B 系列。非常小且薄的表面贴装器件（SMD）封装。哑光镀锡（Sn）表面处理，无铅

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10+
￥0.13281 ￥0.4427
100+
￥0.07086 ￥0.3543
300+
￥0.031 ￥0.31
3000+
￥0.02769 ￥0.2769
6000+
￥0.02503 ￥0.2503
9000+
￥0.02371 ￥0.2371

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型号：SZMMSZ4707T1G 编号：C894657

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。 ESD等级为3级（> 16 kV），符合人体模型。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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5+
￥0.149814 ￥0.3654
50+
￥0.110856 ￥0.3576
150+
￥0.074025 ￥0.3525
500+
￥0.072933 ￥0.3473

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型号：MM3Z43VC 编号：C891621

封装：SOD-323FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：稳压二极管电压范围宽，2.4V 至 75V。VZ 公差选择为 ±5% C 系列。非常小且薄的贴片封装。哑光镀锡（Sn）表面处理。这些器件无铅且符合 RoHS 标准

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10+
￥0.155265 ￥0.4705
100+
￥0.086595 ￥0.3765
300+
￥0.042835 ￥0.3295
3000+
￥0.038246 ￥0.2942
6000+
￥0.03458 ￥0.266
9000+
￥0.032747 ￥0.2519

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型号：MMSZ4693T1G 编号：C236188

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。宽齐纳反向电压范围：1.8 V至43 V。低反向电流 (I₍ZT₎)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级3级 (>16 kV)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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