伯恩ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

价格(含税)

库存

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双向ESD 5V截止

型号：BESDU0603-05 编号：C512307

封装：0603

品牌：BORN(伯恩半导体)

芯片静电放电抑制器专门设计用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 的威胁。该产品对瞬态电压几乎立即做出反应，并在 ESD 瞬态期间有效地将其钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物，具有低电容和极低的泄漏电流。因此，该器件在正常工作模式下对电路几乎没有影响。由于其高关态阻抗和低电容，它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明，信号不会失真或中断。使用静电放电抑制器进行 ESD 保护，设备在保护电路免受 ESD 影响的同时，可保持高速数据信号的完整性。这种材料的特性使其成为双向器件，这意味着每条浪涌路径只需一个器件，即可提供完整的 ESD 保护，而无需考虑浪涌极性。

数据手册

10+
￥0.2004
100+
￥0.1572
300+
￥0.1332
1000+
￥0.1188
5000+
￥0.1068
10000+
￥0.1

有货

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N沟道MOSFET

型号：2N7002KN 编号：C49009905

封装：DFN1006-3L

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：VDS = 60V。 ID = 0.35A。 RDS(ON) @ VGS = 10V, TYP = 1.5Ω。 RDS(ON) @ VGS = 4.5V, TYP = 1.7Ω。逻辑电平兼容。超快开关。应用：继电器驱动器。高速线路驱动器

20+
￥0.1321
200+
￥0.1024
600+
￥0.0859
2000+
￥0.076
10000+
￥0.0674
20000+
￥0.0627

有货

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：10A@8/20us

型号：DESD3V3S1BL-N 编号：C6165129

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：80 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。微型 DFN1006 封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

20+
￥0.13518 ￥0.1502
200+
￥0.10602 ￥0.1178
600+
￥0.08982 ￥0.0998
2000+
￥0.0801 ￥0.089
10000+
￥0.07173 ￥0.0797
20000+
￥0.06714 ￥0.0746

有货

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单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：15A@8/20us

型号：BESD5V0D5 编号：C2929243

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：250瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电±30kV，接触放电±30kV。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

数据手册

5+
￥0.1383
50+
￥0.1091
150+
￥0.0929
500+
￥0.0832
2500+
￥0.0748
5000+
￥0.0702

有货

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耐压:30V 电流:0.1A

型号：2SK3018W 编号：C22469028

封装：SOT-323

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，适用于便携式设备。驱动电路易于设计。易于并联

20+
￥0.1419
200+
￥0.1137
600+
￥0.0981
3000+
￥0.0887
9000+
￥0.0805
21000+
￥0.0761

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:0.3A

型号：2N7002KW 编号：C2847214

封装：SOT-323

品牌：BORN(伯恩半导体)

超高密度单元设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)），可靠耐用。采用SOT - 323表面贴装封装。静电放电（ESD）等级：人体模型（HBM）>2000V

数据手册

20+
￥0.1544
200+
￥0.122
600+
￥0.104
3000+
￥0.0925
9000+
￥0.0831
21000+
￥0.078

有货

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单向ESD 15V截止峰值浪涌电流：10A@8/20us

型号：BNCESD15VD5 编号：C22440698

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

SOD-523 15V单向静电保护管

20+
￥0.1567
200+
￥0.1216
600+
￥0.1021
5000+
￥0.0904
10000+
￥0.0803
20000+
￥0.0748

有货

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单向TVS 12V截止峰值浪涌电流：10A@8/20us

型号：UCLAMP1201P-N 编号：C5439967

封装：DFN1006-2L

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：250瓦脉冲峰值功率 (tp = 8/20μs)。单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。保护单条电源线。应用：笔记本电脑。手机

20+
￥0.15867 ￥0.1763
200+
￥0.12465 ￥0.1385
600+
￥0.10575 ￥0.1175
2000+
￥0.09441 ￥0.1049
10000+
￥0.07983 ￥0.0887
20000+
￥0.07461 ￥0.0829

有货

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单向ESD 5V截止峰值脉冲电流：7A@8/20us

型号：BDFN2A051L 编号：C42432428

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

5V单向低电容TVS浪涌保护管 IPP=7A

20+
￥0.1588
200+
￥0.1237
600+
￥0.1042
2000+
￥0.0925

有货

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单向ESD 7V截止峰值脉冲电流：15A

型号：BSD5A071V35 编号：C406200

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：400瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±8kV接触，±15kV空气。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

数据手册

10+
￥0.16
100+
￥0.1249
300+
￥0.1054
1000+
￥0.0937
5000+
￥0.0786
10000+
￥0.0732

有货

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：3.5A@8/20us

型号：BNESD7551N2T5G 编号：C19077985

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。微型DFN1006封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

10+
￥0.16911 ￥0.1879
100+
￥0.14931 ￥0.1659
300+
￥0.13941 ￥0.1549
1000+
￥0.13203 ￥0.1467
5000+
￥0.12609 ￥0.1401
10000+
￥0.12312 ￥0.1368

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.4A

型号：BMS2301 编号：C22380729

封装：SOT-323

品牌：BORN(伯恩半导体)

PMOS -1.4A -20V 82mΩ

20+
￥0.1759
200+
￥0.1371
600+
￥0.1155
3000+
￥0.1025
9000+
￥0.0913
21000+
￥0.0852

有货

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双向ESD 5V截止

型号：BPESD0603-05 编号：C42387578

封装：DFN1608-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

0.05PF 超低电容PESD

20+
￥0.1808
200+
￥0.1403
600+
￥0.1178
5000+
￥0.1043
10000+
￥0.0926
20000+
￥0.0863

有货

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：BNLPESD5V0S1BA 编号：C22469050

封装：SOD-323

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：120 瓦峰值脉冲功率（tp = 8 / 20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。保护一条数据/电源线。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

20+
￥0.1833
200+
￥0.1428
600+
￥0.1203
3000+
￥0.1068
9000+
￥0.0951
21000+
￥0.0888

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:3A

型号：AO3401F 编号：C5439976

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

先进的沟槽工艺技术。用于超低导通电阻的高密度单元设计。表面贴装封装SOT-23

数据手册

20+
￥0.185
200+
￥0.1418
600+
￥0.1178
3000+
￥0.1034
9000+
￥0.0909
21000+
￥0.0842

有货

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双向TVS 15V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：BSD5C151S 编号：C5439966

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±15kV 接触放电，±15kV 空气放电。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理 (PDA)

数据手册

10+
￥0.1913
100+
￥0.1481
300+
￥0.1241
3000+
￥0.1112
6000+
￥0.0987
9000+
￥0.0919

有货

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BNPESD3V3X1BL

型号：BNPESD3V3X1BL 编号：C52993820

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

20+
￥0.1942
200+
￥0.151
600+
￥0.127
2000+
￥0.1126

有货

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SMD1206-005/60

型号：SMD1206-005/60N 编号：C6165182

封装：1206

品牌：BORN(伯恩半导体)

20+
￥0.2064
200+
￥0.1578
600+
￥0.1308
3500+
￥0.1281
10500+
￥0.1141
21000+
￥0.1065

有货

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ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

型号：BNAZ1045-04SU 编号：C20416624

封装：SOT-23-6

品牌：BORN(伯恩半导体)

低电容

10+
￥0.20664 ￥0.2296
100+
￥0.18144 ￥0.2016
300+
￥0.16884 ￥0.1876
3000+
￥0.15939 ￥0.1771
6000+
￥0.15183 ￥0.1687
9000+
￥0.14805 ￥0.1645

有货

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：3.5A@8/20us

型号：PESD5V0F1BL-N 编号：C2929237

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：60W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。微型 DFN1006 封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

5+
￥0.2125
50+
￥0.1677
150+
￥0.1428
500+
￥0.1279
2500+
￥0.1149
5000+
￥0.1079

有货

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单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

型号：BND5V0F2U3LP 编号：C49009913

封装：DFN-3L(1x0.6)

品牌：BORN(伯恩半导体)

DFN-3 5V低容静电保护管

20+
￥0.2134
200+
￥0.1648
600+
￥0.1378
2000+
￥0.1216

有货

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双向ESD 3.3V截止峰值脉冲电流：9A

型号：PESD3V3V1BCSF-N 编号：C406222

封装：DFN0603-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：70瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。微型DFN0603封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

20+
￥0.21411 ￥0.2379
200+
￥0.16794 ￥0.1866
600+
￥0.14229 ￥0.1581
2000+
￥0.1269 ￥0.141
10000+
￥0.11358 ￥0.1262
20000+
￥0.10638 ￥0.1182

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:4.3A

型号：BML6401 编号：C920320

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：超低导通电阻。快速开关

数据手册

10+
￥0.2183
100+
￥0.1917
300+
￥0.1784
3000+
￥0.1684
6000+
￥0.1604
9000+
￥0.1564

有货

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SMD1206-075/08

型号：SMD1206-075/08N 编号：C6165189

封装：1206

品牌：BORN(伯恩半导体)

20+
￥0.2199
200+
￥0.1713
600+
￥0.1443
4000+
￥0.1281
8000+
￥0.1141
20000+
￥0.1065

有货

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单向TVS 24V截止峰值脉冲电流：5A

型号：BDFN2A241V35 编号：C406193

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：225瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触，±30kV空气。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

数据手册

20+
￥0.22005 ￥0.2445
200+
￥0.17631 ￥0.1959
600+
￥0.15201 ￥0.1689
2000+
￥0.13743 ￥0.1527
10000+
￥0.10269 ￥0.1141
20000+
￥0.09585 ￥0.1065

有货

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双向ESD 12V截止峰值脉冲电流：5A

型号：UClamp1211P-N 编号：C406236

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：120 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。微型 DFN1006 封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

10+
￥0.22509 ￥0.2501
100+
￥0.17757 ￥0.1973
300+
￥0.15381 ￥0.1709
1000+
￥0.13599 ￥0.1511
5000+
￥0.11214 ￥0.1246
10000+
￥0.10494 ￥0.1166

有货

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：3.5A@8/20us

型号：ESD150-B1-W0201-N 编号：C6165145

封装：DFN0603

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：60W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。微型 DFN0603 封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：USB3.0。 HDMI2.0

20+
￥0.2312
200+
￥0.188
600+
￥0.1664
2000+
￥0.1502
10000+
￥0.1187
20000+
￥0.1122

有货

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30V 350mA

型号：SMD1210-035/30N 编号：C22366113

封装：1210

品牌：BORN(伯恩半导体)

可恢复保险丝

10+
￥0.2521
100+
￥0.1993
300+
￥0.1729
1000+
￥0.1531
4000+
￥0.1372

有货

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60V 200mA

型号：SMD1812-020/60N 编号：C6165156

封装：1812

品牌：BORN(伯恩半导体)

10+
￥0.2559
100+
￥0.2031
300+
￥0.1767
1500+
￥0.1531
4500+
￥0.1372
10500+
￥0.1293

有货

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6V 500mA

型号：SMD1206-050/6N 编号：C22366105

封装：1206

品牌：BORN(伯恩半导体)

可恢复保险丝

10+
￥0.263
100+
￥0.2054
300+
￥0.1766
1000+
￥0.155
4000+
￥0.1377
8000+
￥0.129

有货

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