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描述

价格(含税)

库存

操作

双向ESD 5V截止

型号：BESDU0603-05 编号：C512307

封装：0603

品牌：BORN(伯恩半导体)

芯片静电放电抑制器专门设计用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 的威胁。该产品对瞬态电压几乎立即做出反应，并在 ESD 瞬态期间有效地将其钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物，具有低电容和极低的泄漏电流。因此，该器件在正常工作模式下对电路几乎没有影响。由于其高关态阻抗和低电容，它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明，信号不会失真或中断。使用静电放电抑制器进行 ESD 保护，设备在保护电路免受 ESD 影响的同时，可保持高速数据信号的完整性。这种材料的特性使其成为双向器件，这意味着每条浪涌路径只需一个器件，即可提供完整的 ESD 保护，而无需考虑浪涌极性。

数据手册

10+
￥0.2004
100+
￥0.1572
300+
￥0.1332
1000+
￥0.1188
5000+
￥0.1068
10000+
￥0.1

有货

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瞬态电压抑制器

型号：SMDJ48CA 编号：C5125694

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：出色的钳位能力。低漏电流。低电容。高浪涌能力。玻璃钝化芯片。环氧树脂封装。应用：电信。计算机

数据手册

5+
￥1.829
50+
￥1.446
150+
￥1.2818
500+
￥1.077
3000+
￥0.9402
6000+
￥0.8854

有货

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瞬态电压抑制器

型号：SMDJ18CA 编号：C511912

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

DO-214AB 3000W VRWM=18V 双向功率TVS 电源口等

数据手册

5+
￥1.9496
50+
￥1.5449
150+
￥1.3714
500+
￥1.155
3000+
￥0.8767
6000+
￥0.8189

有货

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5.0SMDJ90CA

型号：5.0SMDJ90CA 编号：C52993712

封装：SMC

品牌：BORN(伯恩半导体)

5000W 90V 功率TVS

1+
￥2.6
10+
￥2.05
30+
￥1.81
100+
￥1.51
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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5.0SMDJ64CA

型号：5.0SMDJ64CA 编号：C52993708

封装：SMC

品牌：BORN(伯恩半导体)

5000W 64V 功率TVS

1+
￥2.6
10+
￥2.05
30+
￥1.81
100+
￥1.51
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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单向TVS 30V截止峰值浪涌电流：136A@10/1000us

型号：P5T30A 编号：C151948

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

DO-214AB 5000W VRWM=33V 单向车载TVS 电源口

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.56
30+
￥2.4
100+
￥2.24
500+
￥2.14
1000+
￥2.09

有货

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双向TVS 400V截止峰值浪涌电流：46.3A

型号：30KP400CA 编号：C48533924

封装：P600

品牌：BORN(伯恩半导体)

30KW 400V 大功率浪涌保护管

1+
￥30.34
10+
￥26.06
30+
￥23.51
300+
￥20.93
600+
￥19.74
900+
￥19.2

有货

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PNP 电流:0.8A 电压:25V

型号：M8550 编号：C266600

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：与M8050互补。集电极电流：I = 0.8A

数据手册

50+
￥0.0967
500+
￥0.0761
3000+
￥0.0647
6000+
￥0.0579
24000+
￥0.052
51000+
￥0.0488

有货

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NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：2SC2412 编号：C7461210

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

出色的hFE线性度，与2SA1037AK互补配对。外延平面管芯结构。SOT-23塑料封装

50+
￥0.0968
500+
￥0.0752
3000+
￥0.0614
6000+
￥0.0542
24000+
￥0.048
51000+
￥0.0446

有货

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NPN 电流:0.5A 电压:45V

型号：BC817-16 编号：C7461189

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

外延平面芯片结构，SOT - 23 塑料封装。

50+
￥0.0974
500+
￥0.0741
3000+
￥0.069
6000+
￥0.0612
24000+
￥0.0545
51000+
￥0.0509

有货

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：10A@8/20us

型号：BESD3V3B15G 编号：C2929236

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：80瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。微型DFN1006封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

5+
￥0.11914 ￥0.1702
50+
￥0.0938 ￥0.134
150+
￥0.07973 ￥0.1139
500+
￥0.07133 ￥0.1019
2500+
￥0.06398 ￥0.0914
5000+
￥0.06006 ￥0.0858

有货

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NPN 电流:0.6A 电压:40V

型号：MMBT2222AM 编号：C49009912

封装：SOT-723

品牌：BORN(伯恩半导体)

外延平面管芯结构。符合 RoHS 标准。SOT 723 塑料封装

20+
￥0.1304
200+
￥0.1007
600+
￥0.0842
2000+
￥0.0743

有货

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：TPD1E10B06DPYR-N 编号：C2929226

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。微型DFN1006封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

5+
￥0.1343
50+
￥0.1047
150+
￥0.0882
500+
￥0.0783
2500+
￥0.0697
5000+
￥0.0651

有货

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：BNPESD3V3S1BL 编号：C41371817

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：88 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。IEC 61000-4-2 ±30kV 接触；±30kV 空气。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

20+
￥0.1417
200+
￥0.1104
600+
￥0.093
2000+
￥0.0826
10000+
￥0.0735
20000+
￥0.0687

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:0.5A

型号：BSS138 编号：C431507

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低导通电阻：在2V栅源电压下，10V-3.3V逻辑电平控制。 N沟道SOT23封装。无铅，符合RDS标准。应用：LED照明应用。开关

数据手册

10+
￥0.1438
100+
￥0.1141
300+
￥0.0976
3000+
￥0.0798
6000+
￥0.0713
9000+
￥0.0666

有货

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双向TVS 7V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：BDFN1C071V 编号：C19077995

封装：DFN0603-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。微型DFN0603封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

20+
￥0.14643 ￥0.1627
200+
￥0.11484 ￥0.1276
600+
￥0.09729 ￥0.1081
2000+
￥0.08676 ￥0.0964
10000+
￥0.07767 ￥0.0863
20000+
￥0.07272 ￥0.0808

有货

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NPN 电流:0.5A 电压:80V

型号：MMBTA06 编号：C22380732

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：适用于开关和放大应用。有互补型PNP晶体管MMBTA56

20+
￥0.1466
200+
￥0.1142
600+
￥0.0962
3000+
￥0.0854
9000+
￥0.0761
21000+
￥0.071

有货

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双向 5V截止峰值脉冲电流：5A@8/20us

型号：BDFN1C051V 编号：C152031

封装：DFN0603-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。微型DFN0603封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

20+
￥0.1508
200+
￥0.1184
600+
￥0.1004
2000+
￥0.0896
10000+
￥0.0771
20000+
￥0.072

有货

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双向ESD 24V截止

型号：0402ESDA-LP(24) 编号：C316052

封装：0402

品牌：BORN(伯恩半导体)

芯片ESD抑制器专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）威胁而设计。该产品能对瞬态电压几乎立即做出反应，并在ESD瞬态期间有效地将其钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物，其固有地产生低电容和非常低的泄漏电流。因此，该器件在正常工作模式下对电路几乎不可见。由于其高关态阻抗和低电容，它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明，信号不会失真或中断。使用ESD抑制器进行ESD保护，设备在保护电路免受ESD影响的同时，能保持高速数据信号的完整性。材料的特性造就了双向器件，这意味着无论浪涌极性如何，每条浪涌路径仅需一个器件即可提供完整的ESD保护。

数据手册

20+
￥0.1588
200+
￥0.1253
600+
￥0.1067
2000+
￥0.0955
10000+
￥0.0859
20000+
￥0.0806

有货

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：BNBTRD04A2 编号：C20416610

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

低电容

20+
￥0.1711
200+
￥0.1333
600+
￥0.1123
2000+
￥0.0997
10000+
￥0.0887
20000+
￥0.0829

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:0.5A

型号：BM3139KT 编号：C22380727

封装：SOT-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

PMOS -0.5A -20V 530mΩ

20+
￥0.1809
200+
￥0.1442
600+
￥0.1238
3000+
￥0.1048
9000+
￥0.0942
21000+
￥0.0884

有货

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单向ESD 5V截止

型号：RCLAMP0501T-N 编号：C41371822

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：75 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。低电容 (Cj = 0.7pF 典型值)。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

10+
￥0.1938
100+
￥0.1698
300+
￥0.1578
1000+
￥0.1488
5000+
￥0.1416

有货

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双向ESD 2.5V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：BNAZ6225-01F 编号：C20416625

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：130W 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触；±30kV 空气。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283
2000+
￥0.1139
10000+
￥0.1014
20000+
￥0.0947

有货

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双向 3.3V截止峰值浪涌电流：3.5A@8/20us

型号：RCLAMP3321P-N 编号：C5148485

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。微型DFN1006封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

20+
￥0.2003
200+
￥0.1571
600+
￥0.1331
2000+
￥0.1187
10000+
￥0.1014
20000+
￥0.0947

有货

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ESD 5V截止

型号：SP3030-01ETG 编号：C343991

封装：DFN1006-2L

品牌：BORN(伯恩半导体)

DFN1006/0402 5V Cj=0.6pF 单向静电TVS 高速信号

数据手册

20+
￥0.20853 ￥0.2317
200+
￥0.16533 ￥0.1837
600+
￥0.14373 ￥0.1597
2000+
￥0.12753 ￥0.1417
10000+
￥0.11457 ￥0.1273
20000+
￥0.108 ￥0.12

有货

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双向ESD 4.5V截止峰值浪涌电流：40A@8/20us

型号：BNPRSB6.8C 编号：C41371819

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：600瓦峰值脉冲功率（脉冲时间为8/20微秒）。微型DFN1006封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

20+
￥0.2199
200+
￥0.1713
600+
￥0.1443
2000+
￥0.1281

有货

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双向ESD 3V截止峰值浪涌电流：3.5A@8/20us

型号：TPD1E01B04DPYR-N 编号：C6165137

封装：DFN1006

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：60W 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。微小的 DFN1006 封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

20+
￥0.2252
200+
￥0.1772
600+
￥0.1532
2000+
￥0.1352
10000+
￥0.1133
20000+
￥0.106

有货

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NPN 电流:4mA 电压:25V

型号：KTD1304 编号：C5439974

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

VHF/UHF晶体管，SOT-23塑料封装，产品材料符合RoHS要求。

数据手册

10+
￥0.2292
100+
￥0.1812
300+
￥0.1572
3000+
￥0.1392
6000+
￥0.1248
9000+
￥0.1175

有货

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24V 100mA

型号：SMD0603-010/24N 编号：C49073052

封装：0603

品牌：BORN(伯恩半导体)

0603 100MA 24V可恢复保险丝

10+
￥0.2424
100+
￥0.192
300+
￥0.1668
1000+
￥0.1479
5000+
￥0.1327
10000+
￥0.1252

有货

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PNP 电流:200mA 电压:400V

型号：MMBTA94 编号：C7461216

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

PNP双极晶体管

10+
￥0.24588 ￥0.2732
100+
￥0.19404 ￥0.2156
300+
￥0.16812 ￥0.1868
3000+
￥0.14868 ￥0.1652
6000+
￥0.13311 ￥0.1479
9000+
￥0.12528 ￥0.1392

有货

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