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首页 > 热门关键词 > 伯恩ESD二极管
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符合条件商品：共94179件
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描述
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单向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：102.7A
型号：SMDJ18A 编号：C5439932
封装：SMC(DO-214AB)
品牌：BORN(伯恩半导体)
功率TVS 3000W 40V双向 电源口常用料 DO-214AB
数据手册

  • 5+

    ￥1.7126

  • 50+

    ￥1.3598

  • 150+

    ￥1.2086

  • 500+

    ￥1.02

  • 3000+

    ￥0.8905

  • 6000+

    ￥0.84
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 6V截止 峰值浪涌电流：495A@10/1000us
    型号：5KP6.0CAP 编号：C48533935
    封装：R-6(P-600)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    >5000W 6V 浪涌保护管

    • 1+

      ￥3.46

    • 10+

      ￥2.76

    • 30+

      ￥2.42

    • 300+

      ￥2.08

    • 600+

      ￥1.87

    • 900+

      ￥1.76
  • 有货
    • 立即购买
    单向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：5A@10/1000us
    型号：5KP12AP 编号：C48533929
    封装：R-6(P-600)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    >5000W 12V 浪涌保护管

    • 1+

      ￥3.65

    • 10+

      ￥2.96

    • 30+

      ￥2.61

    • 300+

      ￥2.27

    • 600+

      ￥2.06

    • 900+

      ￥1.96
  • 有货
    • 立即购买
    单向TVS 40V截止 峰值浪涌电流：77.6A@10/1000us
    型号：5KP40A 编号：C152142
    封装：R-6(P-600)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    P-600 5000W VRWM=40V 单向 功率TVS 电源口
    数据手册

    • 1+

      ￥3.66

    • 10+

      ￥2.95

    • 30+

      ￥2.59

    • 300+

      ￥2.24

    • 600+

      ￥2.03

    • 900+

      ￥1.92
  • 有货
    • 立即购买
    单向TVS 36V截止 峰值脉冲电流：86.1A@10/1000us
    型号：5KP36A 编号：C152046
    封装：R-6(P-600)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    功率TVS 电源口
    数据手册

    • 1+

      ￥3.69

    • 10+

      ￥2.84

    • 30+

      ￥2.41

    • 300+

      ￥1.98
  • 有货
    • 立即购买
    瞬态电压抑制器
    型号：8KP43CA 编号：C5148526
    封装：P600(R6)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：出色的钳位能力。 低泄漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：电信。 计算机
    数据手册

    • 1+

      ￥5.65

    • 10+

      ￥4.57

    • 30+

      ￥4.03

    • 300+

      ￥3.49

    • 600+

      ￥3.17

    • 900+

      ￥3
  • 有货
    • 立即购买
    15KP36A
    型号：15KP36A 编号：C52993809
    封装：R-6
    品牌：BORN(伯恩半导体)

    • 1+

      ￥7.36

    • 10+

      ￥7.19

    • 30+

      ￥7.08
  • 有货
    • 立即购买
    浪涌 双向TVS 430V截止 峰值脉冲电流：3kA@8/20us
    型号：BNAK3-430C 编号：C42432381
    封装：插件,24.2x9.5mm
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    IPP=3000A 电压430V AK3系列大电流TVS 应用于储能、基站等

    • 1+

      ￥57.38

    • 10+

      ￥49.3

    • 56+

      ￥44.38

    • 112+

      ￥40.25
  • 有货
    • 立即购买
    双向 3.3V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：BCPDQ3V3-HF 编号：C5148495
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：80 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型 DFN1006 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册

    • 20+

      ￥0.07344 ￥0.0918

    • 200+

      ￥0.07176 ￥0.0897

    • 600+

      ￥0.07072 ￥0.0884

    • 2000+

      ￥0.06968 ￥0.0871
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 24V截止
    型号：EZAEG2A50AX-N 编号：C5148494
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：高速、低电压应用的最佳ESD保护。 RoHS合规且无卤。 超低电容，0.05 pF（典型值）。 低泄漏电流(<10nA)。 快速响应时间(<1ns)。 双向单线路保护。应用：智能手机/移动互联网设备。 笔记本电脑/台式电脑
    数据手册

    • 20+

      ￥0.10104 ￥0.1263

    • 200+

      ￥0.09872 ￥0.1234

    • 600+

      ￥0.0972 ￥0.1215

    • 2000+

      ￥0.0956 ￥0.1195
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：UCLAMP0511Z-N 编号：C5344569
    封装：DFN0603-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：40瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册

    • 20+

      ￥0.10134 ￥0.1126

    • 200+

      ￥0.099 ￥0.11

    • 600+

      ￥0.09738 ￥0.1082

    • 2000+

      ￥0.09585 ￥0.1065
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 7V截止 峰值浪涌电流：13A@8/20us
    型号：BESD7V0D5 编号：C2929244
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：200瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电：±15kV，接触放电：±8kV。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.11616 ￥0.1452

    • 50+

      ￥0.09112 ￥0.1139

    • 150+

      ￥0.0772 ￥0.0965

    • 500+

      ￥0.06888 ￥0.0861

    • 2500+

      ￥0.0616 ￥0.077

    • 5000+

      ￥0.05768 ￥0.0721
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 12V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：BESD12VD5 编号：C2929245
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：350瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±8kV接触，±15kV空气。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.11792 ￥0.1474

    • 50+

      ￥0.09288 ￥0.1161

    • 150+

      ￥0.07896 ￥0.0987

    • 500+

      ￥0.07056 ￥0.0882

    • 2500+

      ￥0.06336 ￥0.0792

    • 5000+

      ￥0.05104 ￥0.0638
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：UCLAMP3331Z-N 编号：C5344575
    封装：DFN0603-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：80W 峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 Tiny DFN0603 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册

    • 10+

      ￥0.13419 ￥0.1491

    • 100+

      ￥0.13113 ￥0.1457

    • 300+

      ￥0.12906 ￥0.1434

    • 1000+

      ￥0.1269 ￥0.141
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：TPD1E05U06DPYR-N 编号：C2929229
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：45W 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型 DFN1006 封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.7pF 典型值）。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册

    • 5+

      ￥0.14024 ￥0.1753

    • 50+

      ￥0.11 ￥0.1375

    • 150+

      ￥0.0932 ￥0.1165

    • 500+

      ￥0.08312 ￥0.1039

    • 2500+

      ￥0.0744 ￥0.093

    • 5000+

      ￥0.06968 ￥0.0871
  • 有货
    • 立即购买
    双向 5V截止 峰值浪涌电流：8A
    型号：D5V0L1B2T-N 编号：C5148493
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：90W 峰值脉冲功率 (tp = 6/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±25kV 接触，±25kV 空气。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.15024 ￥0.1878

    • 200+

      ￥0.11784 ￥0.1473

    • 600+

      ￥0.09984 ￥0.1248

    • 5000+

      ￥0.0824 ￥0.103

    • 10000+

      ￥0.07304 ￥0.0913

    • 20000+

      ￥0.068 ￥0.085
  • 有货
    • 立即购买
    BNPESD5V0C1BSFYL
    型号：BNPESD5V0C1BSFYL 编号：C53235413
    封装：DFN0603-2L
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DFN0603封装，5V低钳卫ESD

    • 10+

      ￥0.1747

    • 100+

      ￥0.1706

    • 300+

      ￥0.1679

    • 1000+

      ￥0.1652
  • 有货
    • 立即购买
    BNESD351DPYR
    型号：BNESD351DPYR 编号：C53235414
    封装：DFN1006-2L
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DFN1006封装，3V低钳卫ESD

    • 10+

      ￥0.2121

    • 100+

      ￥0.2072

    • 300+

      ￥0.2039
  • 有货
    • 立即购买
    瞬态电压抑制器
    型号：SMFJ22CA 编号：C5125646
    封装：SOD-123F
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：优秀的钳位能力。 低漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：手机。 便携式设备
    数据手册

    • 10+

      ￥0.23256 ￥0.2907

    • 100+

      ￥0.18264 ￥0.2283

    • 300+

      ￥0.15768 ￥0.1971

    • 3000+

      ￥0.13272 ￥0.1659

    • 6000+

      ￥0.11776 ￥0.1472

    • 9000+

      ￥0.11024 ￥0.1378
  • 有货
    • 立即购买
    瞬态电压抑制器
    型号：SMAJ160A 编号：C5125654
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：优秀的钳位能力。 低泄漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：电信。 计算机
    数据手册

    • 10+

      ￥0.27312 ￥0.3414

    • 100+

      ￥0.21552 ￥0.2694

    • 300+

      ￥0.18672 ￥0.2334

    • 1000+

      ￥0.16512 ￥0.2064

    • 5000+

      ￥0.14312 ￥0.1789

    • 10000+

      ￥0.1344 ￥0.168
  • 有货
    • 立即购买
    单向 12V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：BST23A122V 编号：C151972
    封装：SOT-23-3L
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOT-23 12V Cj=55pF 单向 静电TVS PCAN/串口
    数据手册

    • 5+

      ￥0.28336 ￥0.3542

    • 50+

      ￥0.22768 ￥0.2846

    • 150+

      ￥0.19984 ￥0.2498

    • 500+

      ￥0.17896 ￥0.2237

    • 3000+

      ￥0.14568 ￥0.1821

    • 6000+

      ￥0.13736 ￥0.1717
  • 有货
    • 立即购买
    瞬态电压抑制器
    型号：SMFJ51CA 编号：C22469047
    封装：SOD-123F
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：优秀的钳位能力。 低漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：手机。 便携式设备

    • 10+

      ￥0.3011

    • 100+

      ￥0.2387

    • 300+

      ￥0.2075

    • 3000+

      ￥0.1841

    • 6000+

      ￥0.1654

    • 9000+

      ￥0.156
  • 有货
    • 立即购买
    TVS 12V截止 峰值浪涌电流：12A
    型号：SM12.N 编号：C406240
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    VRWM=12V Unipolar
    数据手册

    • 5+

      ￥0.30646 ￥0.4378

    • 50+

      ￥0.24934 ￥0.3562

    • 150+

      ￥0.22071 ￥0.3153

    • 500+

      ￥0.19929 ￥0.2847

    • 3000+

      ￥0.13958 ￥0.1994

    • 6000+

      ￥0.13104 ￥0.1872
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：TPD4S010DQAR-N 编号：C6165130
    封装：DFN-10(2.5x1.0)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：45瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Cj = 0.35pF 典型值，I/O 到 I/O)。应用：USB3.0。 USB2.0

    • 10+

      ￥0.31842 ￥0.3538

    • 100+

      ￥0.25362 ￥0.2818

    • 300+

      ￥0.22122 ￥0.2458

    • 3000+

      ￥0.18783 ￥0.2087

    • 6000+

      ￥0.16839 ￥0.1871

    • 9000+

      ￥0.15867 ￥0.1763
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：ESDR0502BT1G-N 编号：C6165126
    封装：SOT-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：45 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Cj = 0.7 pF 典型值)。应用：数据线。 自动取款机

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      ￥0.33957 ￥0.3773

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      ￥0.1692 ￥0.188
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    单向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：SM15T1G-N 编号：C2929248
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：300 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触，±30kV 空气。应用：数据线。 自动取款机
    数据手册

    • 10+

      ￥0.34155 ￥0.3795

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    单向 5V截止 峰值浪涌电流：17A@8/20us
    型号：SM05T1G-N 编号：C2929246
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：300 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Cj = 120 pF 典型值)。应用：数据线。 自动取款机
    数据手册

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    3.3V 8A@8/20us
    型号：BS0344T6 编号：C50338763
    封装：SOT-23-6
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOT23-6封装 3.3 大电流低钳卫 低电容集成静电保护管

    • 5+

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    单向TVS 3.3V截止 峰值浪涌电流：20A@8/20us
    型号：MMBZ5V6ALT1G-N 编号：C2929231
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：350瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触，±30kV空气。应用：数据线。 自动取款机
    数据手册

    • 5+

      ￥0.34452 ￥0.3828

    • 50+

      ￥0.27972 ￥0.3108

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    TVS 15V截止 峰值浪涌电流：10A
    型号：SM15.N 编号：C406239
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    VRWM=15V Unipolar
    数据手册

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