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首页 > 热门关键词 > 伯恩ESD二极管
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双向TVS 33V截止 峰值浪涌电流：517.9A@10/1000us
型号：30KP33CA 编号：C48533915
封装：P600
品牌：BORN(伯恩半导体)
30KW 33V 大功率浪涌保护管

  • 1+

    ￥21.71

  • 10+

    ￥18.5

  • 30+

    ￥16.59

  • 300+

    ￥14.65

  • 600+

    ￥13.76

  • 900+

    ￥13.36
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3.5A
    型号：ESD5V3U1U-02LRH-N 编号：C6165144
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：45 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型 DFN1006 封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.7pF 典型值）。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备

    • 20+

      ￥0.10134 ￥0.1126

    • 200+

      ￥0.099 ￥0.11

    • 600+

      ￥0.09738 ￥0.1082

    • 2000+

      ￥0.09585 ￥0.1065
  • 有货
    • 立即购买
    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：PESD3V3Z1BSFYL-N 编号：C41371820
    封装：DFN0603-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：40W峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 Snap-Back技术。 低钳位电压。应用：USB 3.0, USB 2.0, MHL

    • 20+

      ￥0.1243

    • 200+

      ￥0.1214

    • 600+

      ￥0.1195

    • 2000+

      ￥0.1175
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 24V截止
    型号：BPESD0603-24 编号：C42387579
    封装：DFN1608-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    0.05PF 超低电容PESD

    • 20+

      ￥0.1711

    • 200+

      ￥0.1333

    • 600+

      ￥0.1123

    • 5000+

      ￥0.0997
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 12V截止 峰值脉冲电流：10A
    型号：ESD5Z12T1G-N 编号：C406242
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：350瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±8kV接触，±15kV空气。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.17392 ￥0.2174

    • 50+

      ￥0.13904 ￥0.1738

    • 150+

      ￥0.11968 ￥0.1496

    • 500+

      ￥0.108 ￥0.135

    • 2500+

      ￥0.098 ￥0.1225

    • 5000+

      ￥0.07104 ￥0.0888
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：15A
    型号：UClamp0501H-N 编号：C406235
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：250瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触放电，±30kV 空气放电。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2317

    • 200+

      ￥0.1837

    • 600+

      ￥0.1597

    • 5000+

      ￥0.1417

    • 10000+

      ￥0.1273

    • 20000+

      ￥0.12
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：3A@8/20us
    型号：BDFN1C051L 编号：C515647
    封装：DFN0603-D
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：小尺寸外形：0.60 mm x 0.30 mm。 单线路双向ESD保护。 低钳位电压。 低电容：3.0 pF。 工作电压：5 V。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 便携式电子产品
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2359

    • 200+

      ￥0.1879

    • 600+

      ￥0.1639

    • 2000+

      ￥0.1459

    • 10000+

      ￥0.1315

    • 20000+

      ￥0.1243
  • 有货
    • 立即购买
    5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：BDFN3A052U 编号：C152016
    封装：DFN-3L(0.6x1)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DFN-3L 5V Cj=0.3pF 单向 静电TVS 高速信号
    数据手册

    • 5+

      ￥0.23758 ￥0.3394

    • 50+

      ￥0.18718 ￥0.2674

    • 150+

      ￥0.16198 ￥0.2314

    • 500+

      ￥0.14308 ￥0.2044

    • 2500+

      ￥0.12796 ￥0.1828

    • 5000+

      ￥0.1155 ￥0.165
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 15V截止 峰值浪涌电流：6A
    型号：PESD15VS1UB-N 编号：C920298
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：230瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±8kV接触，±15kV空气。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2385 ￥0.265

    • 100+

      ￥0.19098 ￥0.2122

    • 300+

      ￥0.16722 ￥0.1858

    • 1000+

      ￥0.1494 ￥0.166

    • 5000+

      ￥0.11412 ￥0.1268

    • 10000+

      ￥0.10692 ￥0.1188
  • 有货
    • 立即购买
    BNRCLAMP1521P
    型号：BNRCLAMP1521P 编号：C53235430
    封装：DFN1006-2L
    品牌：BORN(伯恩半导体)

    • 10+

      ￥0.2495

    • 100+

      ￥0.2437

    • 300+

      ￥0.2399

    • 1000+

      ￥0.236
  • 有货
    • 立即购买
    瞬态电压抑制器
    型号：SMAJ45CA 编号：C5125656
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：优秀的钳位能力。 低泄漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：电信。 计算机
    数据手册

    • 10+

      ￥0.27344 ￥0.3418

    • 100+

      ￥0.21584 ￥0.2698

    • 300+

      ￥0.18704 ￥0.2338

    • 1000+

      ￥0.16544 ￥0.2068

    • 5000+

      ￥0.14312 ￥0.1789

    • 10000+

      ￥0.1344 ￥0.168
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：17A@8/20us
    型号：SD05T1G-N 编号：C920318
    封装：SOD-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：350瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2静电抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。应用：USB Vbus。 电源线电源管理
    数据手册

    • 5+

      ￥0.2842

    • 50+

      ￥0.2253

    • 150+

      ￥0.1958

    • 500+

      ￥0.1738

    • 3000+

      ￥0.1561

    • 6000+

      ￥0.1473
  • 有货
    • 立即购买
    瞬态电压抑制器
    型号：SMFJ22A 编号：C22469045
    封装：SOD-123F
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：优秀的钳位能力。 低漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：手机。 便携式设备

    • 10+

      ￥0.2946

    • 100+

      ￥0.2322

    • 300+

      ￥0.201
  • 有货
    • 立即购买
    瞬态电压抑制器
    型号：SMFJ58A 编号：C22469048
    封装：SOD-123F
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：优秀的钳位能力。 低漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：手机。 便携式设备

    • 10+

      ￥0.3011

    • 100+

      ￥0.2387

    • 300+

      ￥0.2075

    • 3000+

      ￥0.1841

    • 6000+

      ￥0.1654

    • 9000+

      ￥0.156
  • 有货
    • 立即购买
    瞬态电压抑制器
    型号：SMAJ85CA 编号：C5439955
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    功率TVS 400W 85V双向 电源口常用料 SMB封装
    数据手册

    • 10+

      ￥0.30933 ￥0.3437

    • 100+

      ￥0.24453 ￥0.2717

    • 300+

      ￥0.21213 ￥0.2357

    • 2000+

      ￥0.18783 ￥0.2087

    • 4000+

      ￥0.16839 ￥0.1871

    • 10000+

      ￥0.15867 ￥0.1763
  • 有货
    • 立即购买
    双向 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：BSDFN2C051U 编号：C600819
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    骤回料 钳位电压低 DFN1006 VRWM=5V ESD接触±8KV 空气±15KV 信号口等
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3151

    • 50+

      ￥0.2527

    • 150+

      ￥0.2215

    • 500+

      ￥0.1981

    • 2500+

      ￥0.1794

    • 5000+

      ￥0.1456
  • 有货
    • 立即购买
    TVS 24V截止 峰值浪涌电流：6A
    型号：SM24.N 编号：C406238
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    VRWM=24V Unipolar
    数据手册

    • 5+

      ￥0.32373 ￥0.3597

    • 50+

      ￥0.25893 ￥0.2877

    • 150+

      ￥0.22653 ￥0.2517

    • 500+

      ￥0.20223 ￥0.2247

    • 3000+

      ￥0.16839 ￥0.1871

    • 6000+

      ￥0.15867 ￥0.1763
  • 有货
    • 立即购买
    瞬态电压抑制器
    型号：BNPTVS20VS1UR 编号：C48533908
    封装：SOD-123FL
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：优秀的钳位能力。 低泄漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：手机。 便携式设备

    • 10+

      ￥0.3325

    • 100+

      ￥0.2605

    • 300+

      ￥0.2245
  • 有货
    • 立即购买
    单向TVS 200V截止 峰值浪涌电流：1.2A
    型号：SMAJ200A 编号：C42432410
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    400W 200V单向TVS浪涌保护管

    • 10+

      ￥0.334

    • 100+

      ￥0.262

    • 300+

      ￥0.226

    • 1000+

      ￥0.199

    • 5000+

      ￥0.1774

    • 10000+

      ￥0.1665
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 36V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：SD36C-N 编号：C2929233
    封装：SOD-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：450瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电：±15kV，接触放电：±15kV。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3475

    • 50+

      ￥0.2755

    • 150+

      ￥0.2395

    • 500+

      ￥0.2125

    • 3000+

      ￥0.1909

    • 6000+

      ￥0.18
  • 有货
    • 立即购买
    瞬态电压抑制器
    型号：SMBJ180A 编号：C5439940
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    功率TVS 600W 180V单向 电源口常用料 SMB封装
    数据手册

    • 10+

      ￥0.35055 ￥0.3895

    • 100+

      ￥0.27711 ￥0.3079

    • 300+

      ￥0.24039 ￥0.2671

    • 3000+

      ￥0.21285 ￥0.2365

    • 6000+

      ￥0.1908 ￥0.212

    • 9000+

      ￥0.17982 ￥0.1998
  • 有货
    • 立即购买
    单向 12V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：SM12T1G-N 编号：C2929247
    封装：SOT-23-3L
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：360瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Ci = 60 pF 典型值）。应用：数据线。 自动取款机
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3916

    • 50+

      ￥0.31

    • 150+

      ￥0.2692

    • 500+

      ￥0.2386

    • 3000+

      ￥0.1908

    • 6000+

      ￥0.1785
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 64V截止 峰值浪涌电流：5.9A
    型号：SMBJ64CA 编号：C42432395
    封装：SMB
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    600W 64V 双向TVS浪涌保护管

    • 10+

      ￥0.3929

    • 100+

      ￥0.3113

    • 300+

      ￥0.2705

    • 3000+

      ￥0.2306

    • 6000+

      ￥0.2061

    • 9000+

      ￥0.1938
  • 有货
    • 立即购买
    单向TVS 36V截止 峰值脉冲电流：4A@8/20us
    型号：BST23A362V 编号：C151969
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：300瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±15kV接触，±20kV空气。应用：数据线。 自动取款机

    • 10+

      ￥0.3938

    • 100+

      ￥0.3122

    • 300+

      ￥0.2714

    • 3000+

      ￥0.2408

    • 6000+

      ￥0.2163

    • 9000+

      ￥0.204
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 120V截止 峰值浪涌电流：3.1A@10/1000us
    型号：SMBJ120CA 编号：C42432401
    封装：SMB
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    600W 120V双向TVS浪涌保护管

    • 10+

      ￥0.3938

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      ￥0.3122

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    瞬态电压抑制器
    型号：SMBJ200CA 编号：C5125664
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：优秀的钳位能力。 低泄漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：电信。 计算机
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4006

    • 100+

      ￥0.319

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    双向 24V截止 峰值浪涌电流：6A@8/20us
    型号：SM24CANB-02HTG-N 编号：C2929227
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：280 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触，±30kV 空气。应用：数据线。 自动取款机
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4079

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    单向ESD 3V截止 峰值浪涌电流：24A@8/20us
    型号：BST23A032V 编号：C151976
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：每线320W峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触；±30kV空气。应用：数据线。 自动取款机
    数据手册

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      ￥0.4168

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    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：BNUBT32A05L02 编号：C20416612
    封装：SOT-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    低电容

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    单向TVS 7.5V截止 峰值浪涌电流：46.5A
    型号：SMBJ7.5A 编号：C344012
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DO-214AA 600W VRWM=7.5V 单向 功率TVS 电源口
    数据手册

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    • 300+

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