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首页 > 热门关键词 > 伯恩ESD二极管
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双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：6A@8/20us
型号：BNESD5451N 编号：C22440696
封装：DFN1006-2
品牌：BORN(伯恩半导体)
BNESD5451N 是一款双向配置的固态硅雪崩技术器件，具有72瓦峰值脉冲功率（tp=8/20μs）。该器件具有低箝位电压和低漏电流，适用于数据/电源线的保护。它符合IEC 61000-4-2 ±25kV接触和±25kV空气放电标准，以及IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) 和 IEC 61000-4-5 (雷击) 6.0A (8/20μs) 标准。该产品采用DFN1006封装，具有UL 94V-0阻燃等级，包装方式为卷带和卷盘，符合RoHS/WEEE标准。其应用范围包括手机及其配件、基于微处理器的设备、个人数字助理（PDA）、笔记本电脑、台式机和服务器、便携式仪器等。

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    双向ESD
    型号：BNLXES15AAA1-133 编号：C20416611
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    低电容

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    双向 3.3V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：BDFN2C031RF 编号：C600806
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DFN1006 VRWM=3.3V Bipolar ESD接触±8KV 空气±15KV RF口/信号口等
    数据手册

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    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：PESD5V0U1UT-N 编号：C316031
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOT-23 5V Cj=0.7pF 单向 静电TVS
    数据手册

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    单向TVS 58V截止 峰值浪涌电流：6.4A@10/1000us
    型号：SMBJ58A 编号：C151910
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DO-214AA 600W VRWM=58V 单向 功率TVS 电源口
    数据手册

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    双向TVS 6V截止 峰值浪涌电流：19.4A@10/1000us
    型号：SMFJ6.0CA 编号：C151891
    封装：SOD-123FL
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOD-123 200W VRWM=6V 双向 功率TVS 电源口
    数据手册

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    双向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：13.7A
    型号：SMAJ18CA 编号：C316047
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    功率TVS 电源口
    数据手册

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    双向TVS 30.8V截止 峰值脉冲电流：12.2A
    型号：P6KE36CA 编号：C600793
    封装：DO-15(DO-204AC)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    电源口防浪涌
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    瞬态电压抑制器
    型号：P6SMBJ6.8CA 编号：C5125674
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：出色的钳位能力。 低漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：电信。 计算机
    数据手册

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    双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：10.4A@10/1000us
    型号：SMBJ36CA 编号：C151915
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DO-214AA 600W VRWM=36V 双向 功率TVS 电源口
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    双向TVS 60V截止 峰值浪涌电流：6.2A
    型号：SMBJ60CA 编号：C406212
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    VRWM=60V Bipolar 600W
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    双向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：11A@8/20us
    型号：BSD3C121L 编号：C151993
    封装：SOD-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOD-323/0805 VBWM=12V 双向 空气30KA 接触30KA 结电容<3PF
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    双向ESD 24V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：BSD3C241V 编号：C151988
    封装：SOD-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOD-323/0805 功率300W VBWM=24V 双向 空气30KA 接触30KA
    数据手册

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    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：TPD4EUSB30DQAR-N 编号：C5148477
    封装：DFN-10(2.5x1.0)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：60 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.3pF 典型值，I/O 到 I/O）。应用：USB3.0、USB2.0、以太网。 HDMI 2.0、Displayport 1.3、eSATA
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    双向TVS 5.8V截止 峰值脉冲电流：144.8A
    型号：1.5KE6.8CA 编号：C152144
    封装：DO-201(DO-201AE)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：出色的钳位能力。 低泄漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：电信。 计算机
    数据手册

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    ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：BDFN3310A056R 编号：C600810
    封装：DFN3310-10
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DFN3310 VRWM=5V Unipolar ESD接触±8KV 空气±15KV 信号口等
    数据手册

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    双向TVS 60V截止 峰值浪涌电流：15.5A
    型号：SMCJ60CA 编号：C511910
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DO-214AB SMC 1500W VRWM=60V 双向 功率TVS 电源口等
    数据手册

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    瞬态电压抑制器
    型号：SMDJ28CA 编号：C511914
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DO-214AB 3000W VRWM=28V 双向 功率TVS 电源口等
    数据手册

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      ￥1.52019 ￥1.6891

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      ￥0.70695 ￥0.7855
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    瞬态电压抑制器
    型号：SMDJ5.0CA 编号：C5125688
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：优秀的钳位能力。 低泄漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：电信。 计算机
    数据手册

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      ￥1.6036

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    瞬态电压抑制器
    型号：SMDJ24CA 编号：C511913
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DO-214AB 3000W VRWM=24V 双向 功率TVS 电源口等
    数据手册

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      ￥1.694

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      ￥0.7491
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    瞬态电压抑制器
    型号：SMDJ28A 编号：C5125692
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：优秀的钳位能力。 低泄漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：电信。 计算机
    数据手册

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    双向TVS 40V截止 峰值浪涌电流：77.6A
    型号：5.0SMDJ40CA 编号：C5439931
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    功率TVS 5000W 40V双向 电源口常用料 DO-214AB
    数据手册

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      ￥2.91

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    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：15A@8/20us
    型号：PESD5V0S1UB-N 编号：C316034
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOT-523 5V 单向
    数据手册

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    双向TVS 3.3V截止 峰值脉冲电流：11A@8/20us
    型号：BDFN2C031V 编号：C152027
    封装：DFN1006-2L
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    静电TVS 普通信号
    数据手册

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    双向TVS 8V截止 峰值浪涌电流：44.1A
    型号：SMBJ8.0CA 编号：C383714
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DO-214AA 600W VRWM=8V 双向 功率TVS 电源口
    数据手册

    • 10+

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    单向TVS 40V截止 峰值浪涌电流：9.3A@10/1000us
    型号：SMBJ40A 编号：C152095
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    600W VRWM=40V 单向
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    双向TVS 24V截止 峰值浪涌电流：15.4A@10/1000us
    型号：SMBJ24CA 编号：C151919
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DO-214AA 600W VRWM=24V 双向 功率TVS 电源口
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    双向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：4.1A
    型号：SMFJ30CA 编号：C511921
    封装：SOD-123F
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOD-123 200W VRWM=30V 双向 功率TVS 电源口等
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    瞬态电压抑制器
    型号：SMAJ100A 编号：C5125662
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：出色的钳位能力。 低泄漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：电信。 计算机
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    瞬态电压抑制器
    型号：SMAJ11CA 编号：C152124
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：优秀的钳位能力。 低泄漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：电信。 计算机
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