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  • 专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
    数据手册
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  • 是一款12V双向TVS二极管,采用领先的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准,空气放电±30kV,接触放电±30kV。采用超小型无铅DFN1006-2封装。小尺寸和高ESD浪涌保护使其成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。
    数据手册
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  • 是单向 TVS 二极管,采用领先的单晶硅技术来提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。符合 IEC 61000-4-2(ESD)标准,空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。采用超小型 1.6×1.0×0.5mm 无铅 DFN 封装。小尺寸和高 ESD 浪涌保护使其成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。
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  • 双共阳极齐纳二极管瞬变电压抑制器适用于需要瞬变过压保护功能的应用。此器件适用于电压和 ESD 敏感设备中,如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个独立的线路。此器件适用于板空间非常宝贵的情况。
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