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  • 特性:ESD/瞬态/浪涌保护,超过标准: IEC61000-4-2(ESD):±30 kV(空气/接触放电)。 IEC61000-4-4(EFT):±50 A(5/50 ns)。 IEC61000-4-5(浪涌):±5 A(8/20 μs)。 双向对称工作电压:VRWM = ±13.2 V。 低电容:CL = 6 pF(典型值)。 非常低的ESD钳位电压,非常低的动态电阻:RDYN = 0.29 Ω(典型值)。应用:键盘、触摸板、按钮、音频线等的ESD保护
    • 单价:

      ¥0.806422 / 个
    专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册
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    DS9503 专为一线式微局域网(1–Wire MicroLAN)接口设计,用作静电放电(ESD)保护器件。与 DS9502 不同,DS9503 芯片上集成了两个 5Ω 隔离电阻。尽管在通信过程中 5Ω 电阻的影响可忽略不计,但在 ESD 事件中,相对于导通的二极管,它们呈现出高阻抗。因此,二极管吸收能量,而电阻进一步隔离并保护封装另一侧的电路。若与 I/O 端口已有强大 ESD 保护的电路配合使用,ESD 保护等级可提升至超过 27 kV(符合 IEC 801–2 参考模型)。若遇到超出其最大额定值的异常 ESD 冲击,DS9503 最终会发生“短路”故障,从而防止进一步损坏。在正常工作时,DS9503 的特性类似于普通齐纳二极管。当电压超过触发电压时,该器件的电流-电压(I/V)特性会出现“回滞”现象,允许相同或更大的电流通过,但电压显著降低。只要维持最小电流或电压,器件就会保持在“回滞模式”。若电压或电流降至维持电压或维持电流以下,器件将突然转变为正常模式,仅传导微小的泄漏电流。
    数据手册
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      ¥0.233332
    特性:紧凑的DFN1006-2A封装。 低封装高度 < 0.5mm。 单线单向ESD保护。 有AEC-Q101认证版本。 工作范围1V至33V。 ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2,接触放电±15kV至±30kV,空气放电±15kV至±30kV。 引脚镀层:Sn (e3),可通过标准光学检测检查焊接情况。 材料分类:如需了解合规定义,请参考相关文档
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  • 新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸与高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用。
    • 单价:

      ¥0.490579 / 个
    瞬态电压抑制器系列旨在保护低电压、先进的CMOS半导体,免受静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。该器件采用专有EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比,EPD工艺可提供低截止电压,同时显著降低泄漏电流和电容。其特点是集成了低电容补偿二极管,可将每行的最大电容降至8pF
    数据手册
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