双向tvs二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DSN0603-2

超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，属于TrEOS保护系列产品。该器件采用DSN0603 - 2（SOD962）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）封装。TrEOS保护系列产品经过优化，可高度可靠地保护非常敏感的高速接口免受ESD脉冲影响。

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型号：HCPDV3V3A-HF 编号：C22440048

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管专为单一信号线路定制，耐压3.3V，电容低至1pF，确保高速信号完整无损。其20A峰值电流承受力，为电路板上的宝贵元件穿上隐形防静电盔甲，无论是便携设备还是通信系统，都是不可或缺的静电守护者。

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型号：HESDALC5-1BT2Y 编号：C22439862

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管专为单通道应用设计，可在5V电压下稳定工作，具备承受20A峰值瞬态电流的能力，为电路提供全面的静电防护。其低至40pF的电容值，确保高速信号传输不受影响，是保护电子设备中敏感元件、提升系统稳定性和数据传输质量的理想选择。

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型号：HSZESD9B3.3ST5G 编号：C22439891

封装：SOD-923

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管专为单路信号线定制，工作电压VRWM为3.3V，适配低电压应用环境。凭借11A的峰值电流处理能力 IPP，能有效抑制双向静电放电，保护电路元件安全。小巧的15pF电容值CJ设计，减少对高频信号的干扰，确保数据传输快速准确，是现代高性能电子设备中抗静电干扰的理想选择。

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型号：HESDB24C-AQ 编号：C22440120

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管具备双通道设计，适用于24V电压电路，每通道能承受4A的瞬时电流，电容仅为10pF，确保在高电压环境中为电子设备提供卓越的双向静电防护，同时保持信号传输流畅，是提升系统静电防护性能的优质选择。

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型号：HSG3D15B3.3MA 编号：C22439802

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管，适用于3.3V电压水平，通过单通道提供卓越的双向保护。高达17A的瞬时电流承受能力，有效抵御静电脉冲，保障电路安全无虞。极低1pF的电容值，确保高速信号传输几乎不受影响，是保护高速数据线路和精密电路免受静电干扰的高性能解决方案。

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型号：HSPD9112W-2/TR 编号：C22439921

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管，专注于单通道电路保护，耐压12V及12A峰值电流处理能力，为电子设备搭建起稳固的静电防护网。加之1pF的低电容设计，确保信号传输高速且无损，成为精密电路与高速数据接口信赖的静电防护伙伴，为系统稳定性提供坚实后盾。

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型号：HRSBC6.8CMT2N 编号：C22440211

封装：SOD-923

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此双向ESD静电保护二极管专为单通道保护设计，耐压5V，能双向应对高达3A瞬时电流，为敏感电路筑起坚实的静电防护网。0.8pF低电容值确保信号流畅无阻，是高端消费电子、通信设备中预防静电损伤的优选组件，提升系统性能与耐用性。

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型号：HUCD32C08L01 编号：C22439929

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD防护二极管，专为单通道电路定制，具备8V最大工作电压及18A峰值脉冲电流处理能力，有效阻挡静电冲击。其1pF的超低电容特性，确保高速信号无损传输，是精密电子和高速数据接口的静电保护优选，为设备安全运行提供稳定而隐形的屏障。

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型号：HESDALD03BCX 编号：C22440104

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款ESD静电保护二极管采用双向设计，专为单一信号通路保护而生。工作电压VRWM为3.3V，电容值低至1pF，完美适配高速数据传输需求，无惧信号衰减。高达20A的峰值脉冲电流处理能力，为电路提供坚实防护，有效阻挡静电放电侵扰，是现代电子设备静电防护的理想元件。

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型号：HSPD91011W-2/TR 编号：C22440065

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款ESD静电保护二极管设计为双向，专为单一通道的精密电路防护而生。它能在3.3V的工作电压下稳定运行，具备17A的峰值脉冲电流处理能力，有效抵御瞬态高压冲击。其低电容值1pF，确保了高速信号传输不受干扰，非常适合于保护敏感电子设备免受静电放电损害，保障系统稳定运行。

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型号：HL35L3V3CB2 编号：C22439940

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品是一款高性能的双向ESD静电保护二极管，专为单一信号线设计。它能在3.3V的持续工作电压下稳定运行，具备20A的峰值电流吸收能力，为设备提供强大的瞬态电压防护。其超低的1pF电容值，确保了高速信号传输不受干扰，是保障精密电子设备安全的理想选择。

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型号：HPSD18C-LF-T7 编号：C22440152

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

精心设计的双向ESD防护二极管，专为单线路应用优化，耐压18V， IPP 9A的瞬时电流处理能力，实现双向静电瞬变保护。30皮法低电容值设计，确保高速信号无损传输，是保护各类精密电子设备，如移动通讯和数据接口等，免受静电侵害的高效解决方案，确保信号纯净与系统稳定。

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型号：HSZESD5B5.0ST1G 编号：C22440367

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管为单通道设计，可在5V电压下稳定运作，具备20A的高瞬态电流处理能力及33pF的电容值，确保在有效抑制静电干扰的同时，对信号传输影响甚微，是保护敏感电子电路的理想器件。

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￥0.4054
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型号：HSPHV24-01KTG-C 编号：C22440206

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向ESD保护二极管专为单通道电路设计，24V工作电压耐受能力强，5A峰值电流吸收效能卓越，组成电路防护的强力盾牌。10pF电容值精巧平衡了防护与信号通过的速度，尤其适合于要求既高效防静电又需维持高频信号纯净度的应用场景，是现代电子设备信号线路的守护者。

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型号：HAOZ8231ADI-05 编号：C22440404

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该ESD静电保护二极管为双向单通道结构，耐压5V，能承受45A的大电流冲击，为电路板上的敏感元件提供坚实的静电防护。虽然电容值为15pF，较适合于低速信号线路，但仍能有效保障设备在日常使用中的安全，是提升电子设备静电防护等级的优选组件。

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￥0.4187
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型号：HCESD1006UC5VBSH 编号：C22439836

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款双向ESD静电保护二极管专为单通道设计，耐压5V，峰值电流承受力为4A，确保电路在静电冲击下的持续安全运行。0.5pF的低电容值，保证了信号完整传输，特别适用于对静电敏感且需高速数据传递的电子设备，为您的精密电路保驾护航。

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￥0.4285
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型号：HCPDV5V0-HF 编号：C22439945

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向ESD静电保护二极管专为单通道电路防护设计，耐压5V，能有效拦截双向静电放电。4A峰值电流处理能力，为电路提供强大保护屏障。1pF的低电容特性，确保高速信号无延迟传输，是精密电子设备防静电干扰的优选组件。

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型号：HCPDV12V0-HF 编号：C22439978

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款ESD静电保护二极管采用双向设计，专为单一通道电子设备打造。它能在12V的工作电压下稳定运行，提供高效的静电防护。凭借12A的峰值脉冲电流处理能力，能有效抵御瞬态高压冲击，确保电路安全。其低电容值1pF，保证了高速信号传输不受干扰，非常适合于对信号完整性有严格要求的精密电子产品中。

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￥0.4445
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￥0.3514
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型号：HESDALD12BCX 编号：C22440025

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

精心打造的双向ESD防护二极管，专为单路信号线定制。12V最大连续工作电压与12A峰值脉冲电流处理能力，实现高效静电屏蔽，守护电路免受瞬态电压损害。仅1皮法的低电容值，确保高速信号完整无延迟，是保障高性能电子设备安全顺畅运行的精妙之选。

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型号：HCPDV8V0-HF 编号：C22439972

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管是单通道电路的静电守护者，工作电压8V，能承受18A峰值电流冲击，为电路提供坚实的静电屏障。1pF低电容值设计，确保高速信号流畅无损，是保护敏感电子设备、提升系统稳定性与可靠性的理想选择，让数据传输更安心。

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型号：PESD15VR1BSFYL 编号：C28824061

封装：DSN0603-2

品牌：Nexperia(安世)

极低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，属于TrEOS保护系列产品。该器件采用DSN0603 - 2（SOD962 - 2）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）封装，旨在保护一条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

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型号：HSTS521050B331 编号：C22439865

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该ESD静电保护二极管为单通道双向型，可在5V电压下稳定工作，提供高达20A的瞬时电流防护能力，配备33pF低漏电容，确保高速信号无明显衰减，是保护电子电路免受静电干扰的高效组件，提升系统整体稳健性。

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型号：HRLSD32A151LC 编号：C22440016

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管专为单通道电路设计，耐压15V，峰值电流处理能力达10A，为电子系统提供强大静电防护。1pF低电容值，确保高速信号无损传输，是精密电路及便携式电子设备防静电的优选方案。

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型号：HSELC03CI 编号：C22439973

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管专为3.3V电路定制，单通道设计支持双向保护，具备17A高瞬态电流承受力，为敏感电子部件提供坚不可摧的静电屏障。其超低1pF电容值确保了信号完整无损，即便是高速数据传输也能畅通无阻，是高端数字电路及通信接口的理想静电防护组件。

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型号：SMBJ18CA 编号：C362086

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：JKSEMI(金开盛)

TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。

数据手册

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型号：HSTS232050B751 编号：C22440448

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款双向ESD静电保护二极管为双通道设计，耐压3.3V，每通道能承受34A瞬时电流，提供全面的静电防护解决方案。60皮法的低电容特性确保了高速信号无损通过，是保护USB、HDMI等接口及便携式电子设备的优选，有效阻挡静电侵扰，提升系统稳定性和数据传输的可靠性。

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￥0.5435
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￥0.5308
150+
￥0.5223

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型号：HPTVSUC3D3V3B 编号：C22440031

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管，针对3.3V电压应用优化，通过单个通道实现高效双向防护。其17A的瞬态电流承受能力，为电路提供强大的静电冲击防御。加之仅1pF的低电容特性，保障了高速信号传输的无损与纯净，是精密电子和高速数据线路防静电的理想伴侣。

5+
￥0.5682
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￥0.4492
150+
￥0.3897

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型号：SMCJ15CA 编号：C2996538

封装：DO-214AB

品牌：SET(赛尔特)

瞬态抑制二极管（TVS）是一种电路保护元件，它可以削弱或过滤突增的瞬态电压（过压），在浪涌到来瞬间几纳秒时间内发生雪崩击穿，将浪涌电流引至接地端，并将电压箝位在安全范围内，从而实现了高效能的电压保护。

数据手册

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￥0.603
10+
￥0.528
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￥0.4905
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￥0.4399
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型号：ESD73251CZ-2/TR 编号：C2939841

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73251CZ是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73251CZ集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73251CZ可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73251CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.6149
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￥0.5429
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￥0.5069
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