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双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：11A

型号：HSDD32C12L01 编号：C22440105

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此双向单通道ESD静电保护二极管，耐压12V，能承受11A峰值瞬时电流，为电路提供坚不可摧的静电屏障。38pF的低电容值，确保高速信号无延迟通过，是高端电子设备及通信系统中，实现高效防护与信号纯净度的理想组件，为你的电子产品穿上静电防护的隐形外衣。

10+
￥0.2373
100+
￥0.2318
300+
￥0.2281

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双向ESD 36V截止峰值浪涌电流：7A@8/20us

型号：HRLSD32A361C 编号：C22440080

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

为您推荐这款双向ESD静电保护二极管，专为单路信号线定制，耐压高达36V，能有效承受7A瞬时电流冲击，实现双向静电防护。15pF的低电容设计，确保信号传输几乎不受干扰，是高端电子设备及敏感电路抗静电干扰的理想伴侣，为您的设备安全保驾护航。

10+
￥0.2386
100+
￥0.233
300+
￥0.2293

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

型号：HRLSD32A031LC 编号：C22439946

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此双向ESD静电保护二极管专为单通道设计，耐压5V，实现双向静电瞬变防护。4A峰值电流处理能力，为敏感电路提供稳固保障。1pF低电容值，确保高速信号完整传输，是保护精密电子设备和提升系统鲁棒性的理想元件。

10+
￥0.2386
100+
￥0.233
300+
￥0.2293

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：17A

型号：HPESDNC23T5VU 编号：C22439941

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该ESD静电保护二极管采用单向技术，配置双通道，专为电子设备静电防护优化。5V最大连续工作电压，17A峰值脉冲电流处理能力，强力抵御瞬态高压，确保系统稳定运行。180pF低电容特性，保障高速信号传输不受干扰，是现代电子设备抗静电干扰的理想选择。

10+
￥0.2406
100+
￥0.1902
300+
￥0.165

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：20A

型号：HPT03D3CE 编号：C22440432

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管专为单通道电路定制，3.3V工作电压VRWM适应低电压场景。高达20A的峰值脉冲电流IPP处理能力，为电路提供卓越的静电防护等级。尽管电容值CJ为65pF，但在确保强效保护的同时，仍能满足大多数数据线路的需求，是保护敏感电子设备免受静电干扰的高效解决方案。

10+
￥0.241
100+
￥0.2354
300+
￥0.2317

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双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

型号：HSESDONCAN1LT1G 编号：C22440041

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管拥有双通道设计，适用于24V工作电压环境，每个通道可承受4A的瞬态电流冲击，电容值为10pF，确保了在高电压电路中的双向静电防护效果，同时不影响信号完整性，为电子设备提供了强有力的静电干扰防御。

10+
￥0.241
100+
￥0.2354
300+
￥0.2317

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：HCESD0603NC3V3B-M 编号：C22440193

封装：DFN0603-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本品为双向ESD静电保护二极管，专为3.3V系统单通道设计。凭借5A瞬时电流承受力及12pF电容值，它在确保强劲静电防护性能的同时，维护了信号传输质量，是精密电路和敏感设备防静电冲击的可靠伙伴，为电子系统稳定性筑起坚实防线。

10+
￥0.2423
100+
￥0.2367
300+
￥0.2329

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

型号：HDESD5V0XA1BCSF-7 编号：C22440156

封装：DFN0603-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该ESD静电保护二极管采用双向设计，专为单一通道配置，5V最大工作电压及4A峰值脉冲电流处理能力，为电路板穿上隐形防静电铠甲。加之0.55pF的超低电容特性，确保信号传递迅速无阻滞，是保护高灵敏度电子组件、促进数据流畅交流的得力助手。

10+
￥0.2423
100+
￥0.2367
300+
￥0.2329

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

型号：HSTN101050BL25 编号：C22440167

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管，为单路信号线量身定制，耐压5V，可承受4A瞬时静电释放电流冲击，确保电路免受静电破坏。0.5pF的小电容特性，优化了高频信号的通过性，无损数据传输速度与质量，是精密电路及便携设备中防止静电干扰的优选方案。

10+
￥0.2448
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￥0.2391
300+
￥0.2353
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￥0.2315

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双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

型号：HDESD24VL2BTQ-7 编号：C22440053

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为双向ESD静电保护二极管，具备双通道，适用于24V电压系统，每通道可承受4A瞬时电流冲击，电容值10pF，确保高效双向防护静电损害，同时对信号传输影响微乎其微，是保障高电压电路安全运行的精选组件。

10+
￥0.246
100+
￥0.2403
300+
￥0.2365

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：4A

型号：HDESD3V3X1BCSF-7 编号：C22440166

封装：DFN0603-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管专为单通道电路保护而生，3.3V工作电压下确保安全稳定，4A峰值电流处理能力有效阻断静电威胁。0.55pF的超低电容特性，让高速信号传输畅通无阻，是保护高端电子设备、确保数据完整性和系统高效运行的精妙之选。

10+
￥0.2472
100+
￥0.2415
300+
￥0.2377

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：4A

型号：HAOZ8851ADI-05 编号：C22440165

封装：DFN0603-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管为单通道设计，工作电压3.3V，具备4A瞬时电流承受能力，为电路提供周全的静电防护。其电容值仅为0.55pF，极大减少了信号传输的延迟，是保障高速数据线路免受静电干扰、维护系统高性能运行的优选组件。

10+
￥0.2485
100+
￥0.2427
300+
￥0.2389

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：45A

型号：HSESD5V0V1BLA 编号：C22440401

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款双向ESD静电保护二极管专为单通道应用优化，耐压5V，具有45A的峰值电流吸收能力，为电路提供强效静电冲击防御。15pF电容值适配于较低频或非时间关键型信号路径，确保在多种电子设备中实现可靠防护与信号完整性，强化系统整体的静电防护水平。

10+
￥0.2485
100+
￥0.2427
300+
￥0.2389

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双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：12A

型号：HUDD32C12L01 编号：C22439767

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向ESD静电保护二极管专为单通道应用而生，额定电压12V，能承受12A瞬时大电流冲击，为电路提供坚不可摧的静电防护。1pF的低电容值，确保了信号的纯净高速传输，是精密电路与高速数据接口的静电防护优选，为电子设备的稳定性和可靠性加分。

10+
￥0.2589
100+
￥0.2047
300+
￥0.1776
3000+
￥0.1572
6000+
￥0.141
9000+
￥0.1328

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：45A

型号：HVCUT0505B-HD1-GS08 编号：C22440402

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管专为单通道设计，耐压5V，峰值电流承载达45A，为电路提供卓越的静电防护性能。尽管电容值为15pF，但在非高速信号传输场景下，它依然能够确保良好的保护效果与信号质量，是提升电子产品静电防护等级的优选器件。

5+
￥0.2597
50+
￥0.2537
150+
￥0.2496

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：25A

型号：HPESD5V0S1BA-QF 编号：C22440122

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管专为单一信号线定制，能在5V工作电压下稳定运作，提供高达25A的瞬时电流吸收能力，构筑严密的静电防护网。35pF电容值虽稍高，却能确保广泛的信号类型良好通过，是保护电子设备免遭静电损伤的强有力伙伴。

5+
￥0.2597
50+
￥0.2537
150+
￥0.2496
500+
￥0.2456

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双向ESD 36V截止峰值浪涌电流：7A@8/20us

型号：HSTS321360B141 编号：C22440100

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款双向ESD静电保护二极管，专为单一信号通道设计，具备36V电压耐受能力和7A峰值电流处理性能，实现高效双向静电防护。15pF的电容值精巧平衡了保护效率与信号传输质量，尤其适合于需要高可靠性静电防护的电子设备，为敏感电路提供坚实保护伞。

5+
￥0.2597
50+
￥0.2537
150+
￥0.2496

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双向ESD 3.3V截止

型号：HSTS321033B401 编号：C22440433

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向ESD静电保护二极管专为单通道电路防护设计，具备3.3V电压耐压（VRWM），适应低电压电路环境。其20A峰值脉冲电流处理能力（IPP）显著增强静电防护效能，为设备提供坚不可摧的静电屏障。虽然电容值为65pF，但仍能广泛应用于要求不极端严格的高速信号路径中，确保信号完整与设备安全。

5+
￥0.2622
50+
￥0.2561
150+
￥0.252

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：UAD8C05L01-TIP 编号：C523534

封装：SOD-882

品牌：Brightking(君耀电子)

UAD8C05L01包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背瞬态电压抑制（TVS）二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收高达IEC61000 - 4 - 2国际标准规定的最大等级的重复性ESD冲击，且性能不会下降。背对背配置在存在交流信号时为数据线提供对称的ESD保护。

数据手册

20+
￥0.2626
200+
￥0.2163
600+
￥0.1905
2000+
￥0.1751

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双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：12A

型号：HRLSD32A121LC 编号：C22440026

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款ESD静电保护二极管具备双向保护功能，适用于单线路配置，可在12V电压下稳定工作，提供12A峰值电流防护，有效抵御静电放电带来的危害。其1pF的小电容特性，确保高速信号传输无阻，是保护精密电子设备免受静电干扰的优选方案。

5+
￥0.2646
50+
￥0.2585
150+
￥0.2544

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双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：6A

型号：HUDD32C24L01 编号：C22439748

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该ESD静电保护二极管为双向单通道器件，工作电压高达24V，能够承受6A峰值瞬态电流冲击，确保电路安全。其1.3pF的小电容特性，保证了高速信号的无损传递，非常适合于保护那些对静电敏感且数据传输速率要求高的电子应用，是一款兼具高效防护与信号完整性的理想元件。

10+
￥0.2704
100+
￥0.2137
300+
￥0.1854

有货

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双向TVS 28.8V截止峰值脉冲电流：8.8A@10/1000us

型号：SMAJ28CA 编号：C5267298

封装：SMA

品牌：JKSEMI(金开盛)

TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。

数据手册

10+
￥0.275
100+
￥0.2174
300+
￥0.1886
1000+
￥0.167

有货

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双向TVS 12V截止峰值脉冲电流：20.1A@10/1000us

型号：SMAJ12CA 编号：C5267286

封装：SMA

品牌：JKSEMI(金开盛)

TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。

数据手册

10+
￥0.2756
100+
￥0.218
300+
￥0.1892
1000+
￥0.1676

有货

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双向ESD 15V截止

型号：HLY323BC1524L 编号：C22440047

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此双向单通道ESD静电保护二极管，耐压15V，10A峰值脉冲电流处理能力，为电路板提供双方向静电冲击防护。9pF的超低电容设计，确保高速信号传输无碍，是保护高性能电子设备和高频数据线路的优选方案，让您的产品在瞬息万变的电子世界中更加坚韧可靠。

10+
￥0.2933
100+
￥0.2319
300+
￥0.2011

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

型号：HSLC05C 编号：C22439768

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向ESD静电保护二极管专为单通道电路设计，耐压5V，能有效应对双向静电放电，保护电路安全。4A峰值电流处理能力，增强了对抗瞬时电压尖峰的可靠性。1pF低电容值，确保高速信号无损传输，是保障现代电子设备信号完整性和提高系统稳定性的理想选择。

10+
￥0.2988
100+
￥0.2362
300+
￥0.2049

有货

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双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

型号：HAQ24CANFD-02HTG 编号：C22440052

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管配置双通道，专为24V电压平台设计，每通道承受4A峰值电流，电容低至10pF。它在高电压系统中为电子设备提供了全面的静电防护，同时保持信号纯净，是提升系统静电防护等级和确保信号质量的理想元件。

5+
￥0.3025
50+
￥0.2955
150+
￥0.2908

有货

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双向ESD 36V截止峰值浪涌电流：4.5A

型号：HAZ4836-01L 编号：C22440128

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管，为单通道应用而生，耐压高达36V，即使在严苛环境下也能提供可靠保护。4.5A的峰值电流处理能力，有效抑制瞬态电压事件。加之仅20皮法的超低电容值，确保高速信号传递不受影响，是保护高电压敏感电路，如电信设备和高端音频接口等的理想选择，让性能与防护并驾齐驱。

5+
￥0.3044
50+
￥0.2973
150+
￥0.2926

有货

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瞬态电压抑制器

型号：KSMBJ33CA-E3/52 编号：C2892472

封装：SMB

TVS瞬态抑制二极管

数据手册

10+
￥0.3047
100+
￥0.2471
300+
￥0.2183
750+
￥0.1622
5250+
￥0.1449
9750+
￥0.1362

有货

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双向TVS 7V截止峰值浪涌电流：50A@10/1000us

型号：SMBJ7.0CA 编号：C2688167

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：WPMtek(维攀)

TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。

数据手册

10+
￥0.32072 ￥0.3376
100+
￥0.2584 ￥0.272
300+
￥0.227145 ￥0.2391
3000+
￥0.18335 ￥0.193
6000+
￥0.164635 ￥0.1733
9000+
￥0.15523 ￥0.1634

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：20A

型号：HUDD32C03L01-IR0.1 编号：C22439815

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管，为3.3V单线路量身定做，具备20A高峰值电流处理能力，确保电路在静电冲击下的双重安全。仅1pF的超低电容值设计，完美适配高速信号路径，保护同时几乎不影响信号质量，是现代高性能电子设备静电防护的优选方案。

10+
￥0.3391
100+
￥0.2681
300+
￥0.2326
3000+
￥0.2059
6000+
￥0.1846
9000+
￥0.1739

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