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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：45A

型号：HESDM3051N2T5G 编号：C22440399

封装：DFN1006-2

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管专为单路信号保护设计，5V工作电压下稳定可靠，45A峰值电流处理能力凸显其强大的静电防护性能。尽管电容值为15pF，适合于不太敏感于信号延迟的应用，它依然是确保电子设备免受静电损坏的高效守护者，提升系统整体的稳健性。

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￥0.348019 ￥0.4193
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￥0.275145 ￥0.3315
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￥0.238625 ￥0.2875
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￥0.211318 ￥0.2546
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￥0.178533 ￥0.2151

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：4A

型号：HCESD1006UC3V3B 编号：C22440145

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管，为3.3V电压平台定制，单一通道设计。4A峰值电流吸收效能，有效抵御静电冲击，保护电路安全。0.3pF的超低电容特性，最大限度减少信号干扰，是保障高速数据线路免受静电威胁的高性能解决方案。

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￥0.348585 ￥0.4101
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￥0.27557 ￥0.3242
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￥0.239105 ￥0.2813
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￥0.21165 ￥0.249
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￥0.189805 ￥0.2233
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￥0.17884 ￥0.2104

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：20A

型号：HL35L3V3CB2 编号：C22439940

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品是一款高性能的双向ESD静电保护二极管，专为单一信号线设计。它能在3.3V的持续工作电压下稳定运行，具备20A的峰值电流吸收能力，为设备提供强大的瞬态电压防护。其超低的1pF电容值，确保了高速信号传输不受干扰，是保障精密电子设备安全的理想选择。

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￥0.35288 ￥0.401
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￥0.27896 ￥0.317
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￥0.242 ￥0.275
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￥0.21428 ￥0.2435
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￥0.192104 ￥0.2183
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￥0.181016 ￥0.2057

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

型号：HCESD1006UT5VBS 编号：C22440148

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD防护二极管专为单一信号线路设计，能在5V电压下提供稳健的静电防护。凭借4A峰值瞬态电流承受力，它能有效中和静电放电事件，保障电路安全无虞。其紧凑的0.5pF电容值确保高速信号完整传输，不会引入显著延迟，是保护精密电子组件免遭静电损伤的理想选择，助力提升系统整体稳健性。

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￥0.353746 ￥0.4262
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￥0.279627 ￥0.3369
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￥0.242609 ￥0.2923
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￥0.214804 ￥0.2588
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￥0.19256 ￥0.232
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￥0.181438 ￥0.2186

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

型号：HCESD1006UC5VBS 编号：C22440147

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款ESD静电保护二极管设计为双向，专为单通道应用打造，能有效抵御静电冲击。它在5V的工作电压下仍能保持稳定，具备4A的峰值脉冲电流处理能力，确保了电路的安全。其低电容值，仅0.5pF，保证了高速信号传输不受干扰，非常适合于保护敏感电子设备免受静电损害，从而提升系统可靠性。

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￥0.353746 ￥0.4262
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￥0.279627 ￥0.3369
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￥0.242609 ￥0.2923
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双向ESD 36V截止峰值浪涌电流：7A@8/20us

型号：SM36C 编号：C22368699

封装：SOT-23

品牌：Wild Goose(威谷)

这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用场景。其双向双 ESD 设计仅用一个封装即可保护两条独立线路

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￥0.35496 ￥0.4176
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￥0.28271 ￥0.3326
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￥0.24667 ￥0.2902
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￥0.219555 ￥0.2583
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￥0.19788 ￥0.2328
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￥0.187085 ￥0.2201

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双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：5A

型号：HSM24CANB-02HTG 编号：C22439735

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品是一款高性能的双向ESD静电保护二极管，专为双线路设计，能有效阻挡24V工作电压下的静电侵扰。凭借5A的峰值电流处理能力，它在保护敏感电路免受瞬态电压损害方面表现出色。加之仅25皮法的低电容值，确保高速信号传输不受干扰，是保障精密电子设备安全的理想选择。

10+
￥0.3552
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￥0.2808
300+
￥0.2436

有货

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

型号：HCESD1006UC5VBSH 编号：C22439836

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款双向ESD静电保护二极管专为单通道设计，耐压5V，峰值电流承受力为4A，确保电路在静电冲击下的持续安全运行。0.5pF的低电容值，保证了信号完整传输，特别适用于对静电敏感且需高速数据传递的电子设备，为您的精密电路保驾护航。

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￥0.355655 ￥0.4285
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￥0.281121 ￥0.3387
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￥0.243854 ￥0.2938
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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：HSTN061033B101 编号：C22440196

封装：DFN0603-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管，专为3.3V电压系统设计，采用单通道架构。它能承受5A的瞬时电流冲击，拥有12pF的电容值，确保在提供有效静电防护的同时，不影响信号的清晰传输，是保护电子设备远离静电损害、增强系统稳定性的理想元件。

10+
￥0.35836 ￥0.4216
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￥0.283305 ￥0.3333
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￥0.18377 ￥0.2162

有货

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双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：11A

型号：HSD12C-7 编号：C22440089

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款双向ESD防护二极管专为单一信号线设计，耐压12V，可承受11A瞬时脉冲电流冲击，为电路板上的精密元件穿上隐形“防静电盔甲”。38pF的低电容值设计，确保高速信号畅通无阻，是保障数据完整性和系统稳定性的精妙装置，尤其适配于对静电敏感且传输速率要求高的电子设备。

10+
￥0.36297 ￥0.4033
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￥0.28692 ￥0.3188
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￥0.24885 ￥0.2765
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￥0.22041 ￥0.2449
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￥0.19755 ￥0.2195
9000+
￥0.18612 ￥0.2068

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：5.5A@8/20us

型号：HESDLC5V0L2B-TP 编号：C22440388

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该ESD保护二极管为双向类型，专为单一信号通路设计。它在5V电压下稳定运作，能承受高达5.5A的瞬时电流冲击，拥有10皮法的低电容值，确保高速信号无损通过，为各种电子设备的静电防护需求提供了一个高性能、小体积的解决方案。

10+
￥0.364135 ￥0.3833
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￥0.28747 ￥0.3026
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￥0.249185 ￥0.2623
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￥0.220495 ￥0.2321
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￥0.18601 ￥0.1958

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：45A

型号：HSESD5V0V1BLA 编号：C22440401

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款双向ESD静电保护二极管专为单通道应用优化，耐压5V，具有45A的峰值电流吸收能力，为电路提供强效静电冲击防御。15pF电容值适配于较低频或非时间关键型信号路径，确保在多种电子设备中实现可靠防护与信号完整性，强化系统整体的静电防护水平。

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￥0.36664 ￥0.4583
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￥0.28984 ￥0.3623
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￥0.22264 ￥0.2783
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￥0.1996 ￥0.2495
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￥0.188 ￥0.235

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：HCESD0603NC3V3B-M 编号：C22440193

封装：DFN0603-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本品为双向ESD静电保护二极管，专为3.3V系统单通道设计。凭借5A瞬时电流承受力及12pF电容值，它在确保强劲静电防护性能的同时，维护了信号传输质量，是精密电路和敏感设备防静电冲击的可靠伙伴，为电子系统稳定性筑起坚实防线。

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￥0.370844 ￥0.4468
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￥0.293156 ￥0.3532
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￥0.254312 ￥0.3064
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￥0.225179 ￥0.2713
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￥0.190236 ￥0.2292

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双向ESD 36V截止峰值浪涌电流：7A@8/20us

型号：HRLSD32A361C 编号：C22440080

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

为您推荐这款双向ESD静电保护二极管，专为单路信号线定制，耐压高达36V，能有效承受7A瞬时电流冲击，实现双向静电防护。15pF的低电容设计，确保信号传输几乎不受干扰，是高端电子设备及敏感电路抗静电干扰的理想伴侣，为您的设备安全保驾护航。

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￥0.373915 ￥0.4399
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￥0.29563 ￥0.3478
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￥0.256445 ￥0.3017
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￥0.227035 ￥0.2671
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￥0.203575 ￥0.2395
9000+
￥0.19176 ￥0.2256

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：9A@8/20us

型号：HD5V0L1B2TQ-7 编号：C22440189

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管为单通道设计，耐压5V，增强了电路保护范围。9A峰值电流处理能力，有效阻挡静电放电，为敏感电子组件筑起坚固防线。15pF的电容虽稍大，但在多数应用中仍能确保信号无明显衰减，是实现高效静电防护的理想器件。

5+
￥0.37713 ￥0.4835
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￥0.298116 ￥0.3822
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￥0.25857 ￥0.3315
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￥0.229008 ￥0.2936
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￥0.205296 ￥0.2632
6000+
￥0.19344 ￥0.248

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双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：12A

型号：HCPDV12V0-HF 编号：C22439978

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款ESD静电保护二极管采用双向设计，专为单一通道电子设备打造。它能在12V的工作电压下稳定运行，提供高效的静电防护。凭借12A的峰值脉冲电流处理能力，能有效抵御瞬态高压冲击，确保电路安全。其低电容值1pF，保证了高速信号传输不受干扰，非常适合于对信号完整性有严格要求的精密电子产品中。

10+
￥0.377825 ￥0.4445
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￥0.29869 ￥0.3514
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￥0.25908 ￥0.3048
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￥0.229415 ￥0.2699
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￥0.2057 ￥0.242
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￥0.1938 ￥0.228

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双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：5A

型号：HCDSOT23-T24CAN-Q 编号：C22439728

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此双向ESD静电保护二极管专为双通道设计，耐压24V，5A峰值电流吸收能力，为多线路电路板提供强效静电屏障。电容值25pF，适用于对信号速度要求不苛刻的环境，确保在高静电环境下系统运行的稳定与安全，是多接口电子产品静电防护的优选组件。

10+
￥0.380389 ￥0.4583
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￥0.300709 ￥0.3623
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￥0.260869 ￥0.3143
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￥0.230989 ￥0.2783
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￥0.207085 ￥0.2495
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￥0.19505 ￥0.235

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双向ESD 4.5V截止峰值浪涌电流：160A

型号：HPESDU4581D3H 编号：C22439716

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款双向ESD静电保护二极管专为单通道配置，耐压4.5V，适合低电压应用环境。高达160A的峰值电流处理能力，为敏感电路提供卓越的瞬态保护效能。尽管电容值为300皮法，但仍适用于要求不高的数据传输速率场合，有效平衡了保护强度与信号传输的需求，是消费电子、便携设备等领域防静电干扰的理想守护者。

10+
￥0.38151 ￥0.4239
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￥0.30159 ￥0.3351
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￥0.26163 ￥0.2907
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￥0.23166 ￥0.2574
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￥0.20763 ￥0.2307
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￥0.19566 ￥0.2174

有货

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双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：5A

型号：HAOZ8231ADI-12 编号：C22439828

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管专为单通道电路设计，工作电压达到12V，峰值电流处理能力为5A，为电子设备提供强大的静电防护盾牌。电容值10pF虽稍高，但仍适用于对电容敏感度不高的电路，确保在高静电环境下核心组件的安全，是提升系统防护等级的关键元件。

10+
￥0.38358 ￥0.4262
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￥0.30321 ￥0.3369
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￥0.26307 ￥0.2923
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￥0.23292 ￥0.2588
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￥0.2088 ￥0.232
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￥0.19674 ￥0.2186

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双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：11A

型号：HSDD32C12L01 编号：C22440105

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此双向单通道ESD静电保护二极管，耐压12V，能承受11A峰值瞬时电流，为电路提供坚不可摧的静电屏障。38pF的低电容值，确保高速信号无延迟通过，是高端电子设备及通信系统中，实现高效防护与信号纯净度的理想组件，为你的电子产品穿上静电防护的隐形外衣。

10+
￥0.385088 ￥0.4376
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￥0.30448 ￥0.346
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￥0.264088 ￥0.3001
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￥0.233816 ￥0.2657
6000+
￥0.209616 ￥0.2382
9000+
￥0.19756 ￥0.2245

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

型号：HCPDV5V0-HF 编号：C22439945

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向ESD静电保护二极管专为单通道电路防护设计，耐压5V，能有效拦截双向静电放电。4A峰值电流处理能力，为电路提供强大保护屏障。1pF的低电容特性，确保高速信号无延迟传输，是精密电子设备防静电干扰的优选组件。

10+
￥0.387112 ￥0.4399
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￥0.306064 ￥0.3478
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￥0.265496 ￥0.3017
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￥0.235048 ￥0.2671
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￥0.21076 ￥0.2395
9000+
￥0.198528 ￥0.2256

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

型号：HRLSD32A031LC 编号：C22439946

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此双向ESD静电保护二极管专为单通道设计，耐压5V，实现双向静电瞬变防护。4A峰值电流处理能力，为敏感电路提供稳固保障。1pF低电容值，确保高速信号完整传输，是保护精密电子设备和提升系统鲁棒性的理想元件。

10+
￥0.387112 ￥0.4399
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￥0.306064 ￥0.3478
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￥0.265496 ￥0.3017
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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：4A

型号：HVS3V3BN1HST15R 编号：C22440146

封装：DFN0603-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管专为单通道应用优化，3.3V工作电压下稳定可靠，4A峰值电流防护能力强，能有效抵御静电冲击。其电容值低至0.55pF，确保高速信号传输不受影响，是精密电路及高频率应用中静电防护的优选方案，提升系统信号完整性和运行稳定性。

10+
￥0.38772 ￥0.4308
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￥0.30645 ￥0.3405
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￥0.26586 ￥0.2954
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￥0.23544 ￥0.2616
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￥0.21105 ￥0.2345
15000+
￥0.19881 ￥0.2209

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双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：12A

型号：HESDALD12BCX 编号：C22440025

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

精心打造的双向ESD防护二极管，专为单路信号线定制。12V最大连续工作电压与12A峰值脉冲电流处理能力，实现高效静电屏蔽，守护电路免受瞬态电压损害。仅1皮法的低电容值，确保高速信号完整无延迟，是保障高性能电子设备安全顺畅运行的精妙之选。

10+
￥0.39304 ￥0.4624
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￥0.313055 ￥0.3683
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￥0.273105 ￥0.3213
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￥0.2431 ￥0.286
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￥0.21913 ￥0.2578
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￥0.207145 ￥0.2437

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：45A

型号：HVCUT0505B-HD1-GS08 编号：C22440402

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管专为单通道设计，耐压5V，峰值电流承载达45A，为电路提供卓越的静电防护性能。尽管电容值为15pF，但在非高速信号传输场景下，它依然能够确保良好的保护效果与信号质量，是提升电子产品静电防护等级的优选器件。

5+
￥0.39448 ￥0.4931
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￥0.27408 ￥0.3426
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￥0.21992 ￥0.2749
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￥0.20784 ￥0.2598

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：25A

型号：HPESD5V0S1BA-QF 编号：C22440122

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管专为单一信号线定制，能在5V工作电压下稳定运作，提供高达25A的瞬时电流吸收能力，构筑严密的静电防护网。35pF电容值虽稍高，却能确保广泛的信号类型良好通过，是保护电子设备免遭静电损伤的强有力伙伴。

5+
￥0.397487 ￥0.4789
50+
￥0.314238 ￥0.3786
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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：20A

型号：HPT03D3CE 编号：C22440432

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管专为单通道电路定制，3.3V工作电压VRWM适应低电压场景。高达20A的峰值脉冲电流IPP处理能力，为电路提供卓越的静电防护等级。尽管电容值CJ为65pF，但在确保强效保护的同时，仍能满足大多数数据线路的需求，是保护敏感电子设备免受静电干扰的高效解决方案。

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双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

型号：HSESDONCAN1LT1G 编号：C22440041

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管拥有双通道设计，适用于24V工作电压环境，每个通道可承受4A的瞬态电流冲击，电容值为10pF，确保了在高电压电路中的双向静电防护效果，同时不影响信号完整性，为电子设备提供了强有力的静电干扰防御。

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双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：12A

型号：HSP4022-01FTG-C 编号：C22439993

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管专为单通道电路设计，耐压12V，能承受12A峰值瞬时电流冲击，为敏感电子组件筑起坚固防线。其超低1pF电容确保高速信号无损通过，是保护精密电路免受静电损伤的理想选择，让数据传输既快速又安全。

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双向ESD 8V截止峰值浪涌电流：18A

型号：HCPDV8V0-HF 编号：C22439972

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管是单通道电路的静电守护者，工作电压8V，能承受18A峰值电流冲击，为电路提供坚实的静电屏障。1pF低电容值设计，确保高速信号流畅无损，是保护敏感电子设备、提升系统稳定性与可靠性的理想选择，让数据传输更安心。

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