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首页 > 热门关键词 > 双向tvs二极管
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双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：20A
型号：HDESDALC5LP-7B 编号：C22440064
封装：DFN1006-2L
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
这款ESD静电保护二极管具有双向导电功能，专为单一电路通道设计。5V的最大工作电压和20A的峰值电流处理能力，有效阻挡静电放电造成的损害。40皮法的低电容值，确保高速信号无损通过，是保护电子电路中精密组件的优选方案，提升系统在复杂电磁环境下的稳定性与安全性。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HESD7501MUT5G 编号：C22440093
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD防护二极管，专为单通道应用优化，5V工作电压下稳定，4A峰值电流处理能力强劲，有效抑制静电危害。0.55pF低电容值设计，确保高速信号无损通行，是精密电子和通信设备中防静电冲击、保持信号纯净的优选组件。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HESDUD05BFX 编号：C22440109
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款ESD静电保护二极管为双向单通道配置，耐压5伏特，峰值电流承受量为4安培，为电路板上的敏感部件提供有效的静电防护。其0.5皮法的低电容值，确保了信号完整快速地通过，是保护高速数据线路和精密电子设备的优选组件。

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    双向TVS 150V截止 峰值浪涌电流：0.7A
    型号：SMF150CA 编号：C18213983
    封装：SOD-123FL
    品牌：KUU
    TVS瞬态抑制二极管

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：HAZ5A23-01F 编号：C22439882
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    为您介绍这款高性能双向ESD保护二极管，专为3.3V电压平台设计，集单通道高效防护于一体。它具备5A峰值电流处理能力，以及12pF的电容特性，确保在保护电路免受静电侵扰的同时，维持信号传输的清晰度，是精密电子设备及板级防护的理想选择，增强了系统整体的稳定性和抵御静电的能力。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2.5A
    型号：HCESD1006LC5VBL-M 编号：C22440191
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    精心设计的双向ESD保护二极管，专为单一信号通路服务，5V工作电压下稳定可靠，2.5A峰值电流处理能力保驾护航，有效对抗静电威胁。2.5pF低电容特性，确保高速信号无延迟通过，为现代微电子应用提供既隐蔽又强大的静电防护。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：HACPDQC5V0R-HF 编号：C22440164
    封装：SOD-923
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为单通道电路防护设计，工作电压VRWM为5V，能在低电压环境中稳定发挥保护作用。高达9A的峰值脉冲电流IPP处理能力，强力抵御静电放电，确保电路安全。15pF的小电容值CJ，减少对信号传输的影响，特别适用于高速数据线路，为您的电子产品提供既强大又细腻的静电防护解决方案。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HPLR0521-T710 编号：C22440112
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该ESD静电保护二极管采用双向设计，专为单一信号线路保护打造，额定电压5V，可承受4A瞬时电流冲击，为电路提供稳健的静电防护。其0.5pF的低电容值，确保高速信号传输不受干扰，是精密电路和高频率应用中静电防护的理想选择。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：20A
    型号：HDESD5V0S1BB-7 编号：C22440134
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为单路信号线设计，耐压5V，峰值电流处理能力为20A，带有33pF电容值，确保在高能静电冲击环境下仍能保持信号的连续性和设备的安全性，为电子产品的静电防护需求提供了一个强大而灵活的选项。

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    双向 3.3V截止 峰值浪涌电流：20A@8/20us
    型号：SD03CS 编号：C22368648
    封装：SOD-323
    品牌：Wild Goose(威谷)
    这些浪涌保护二极管专为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和ESD敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。这些器件适用于电路板空间有限的情况。

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A
    型号：HVCUT03E1-SD0-G4-08 编号：C22440209
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管，专为3.3V电路定制，单身通道设计精巧。5A峰值电流吸收与12pF低电容特性，实现了高效静电防护与信号完整性兼备，是保障敏感电子组件免受静电损伤的优选方案，提升系统稳健性与可靠性。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2.5A@8/20us
    型号：HCESD1006LC5VBS 编号：C22440192
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD防护二极管专为单通道应用设计，5V最大连续工作电压，能承受2.5A瞬时电流冲击，为电路提供周全的静电防护。2.5pF的低电容值，确保高速信号流畅无损，是保护电子设备免受静电干扰的高效解决方案。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HRLSD32A051LC 编号：C22439813
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为单通道应用设计，耐压5V，具备卓越的双向保护性能。4A峰值电流处理能力，确保电路在高压瞬态下的安全性。1pF的低电容值设计，最大限度减少信号衰减，是保障高速数据传输和提升电路可靠性的理想选择。

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    双向 12V 2A
    型号：HD12V0X1B2LP-7B 编号：C22440410
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为单通道设计，耐压12V，能有效应对2A瞬时静电释放，为电路安全保驾护航。1.5pF的电容值，在确保信号传输质量的同时，提供广泛的静电防护解决方案，是现代电子设备中预防静电损伤的理想元件。

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    双向ESD 8V截止 峰值浪涌电流：18A
    型号：HGBLC08CI-LF-T7 编号：C22439675
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为单通道电路防护优化，耐压8伏特，瞬时承载18安培电流，构筑稳固的静电防护网。1皮法电容设计精妙，减少信号延迟，是高速通信端口的理想守护者，为精密电子设备提供无形却强大的静电防御，确保数据传输顺畅无阻。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A
    型号：HESD5V0L1B02VH6327XTSA1 编号：C22440178
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向单通道ESD静电保护二极管，工作电压VRWM为5V，能承受8A瞬时电流冲击，具有低至10pF的电容值，确保高速信号流畅无损。作为电路的双刃守护者，它在提供全面静电防护的同时，保证了信号的高品质传输，为电子设备的稳定运行增添强劲保障。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HSP3021-01ETG 编号：C22439822
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管适用于单路信号线，耐压5V，能承受4A峰值电流冲击，为电路提供坚实保护。其超低电容0.5pF，确保高速信号无损通过，是保护高灵敏度电子设备的精选组件，适用于各类需要强效静电防护技术的精密应用场合。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：20A
    型号：HL13ESD5V0CE2 编号：C22440083
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该ESD静电保护二极管为双向单通道结构，耐压VRWM为5V，能承受高达20A的瞬时脉冲电流冲击，确保电路安全无虞。其低至40皮法的电容值，使得信号传输几乎不受影响，是保护电子设备免受静电损伤的高效解决方案，非常适合于需要高速数据传输和高灵敏度应用的场景。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：20A
    型号：HSTN101050B301 编号：C22440084
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为单通道电路优化，5V工作电压下稳定可靠，20A峰值电流处理能力有效抵御静电冲击。40pF低电容设计，确保信号完整性，特别适配于高速数据传输应用，为敏感电子组件筑起一道坚实的静电防护网，提升系统整体的鲁棒性与安全性。

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    双向 5V 45A
    型号：HD5V0L1B2LPSQ-7B 编号：C22440400
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该ESD静电保护二极管为双向单通道设计，额定电压5V，能承受高达45A的瞬态电流冲击，为电路提供坚不可摧的静电防护。15pF电容值虽稍高，但对于非高速信号线路而言，依旧能有效平衡保护与信号传输的需求，是提升设备静电防护等级的优选组件。

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    双向ESD 12V截止 峰值浪涌电流：11A
    型号：HSM12-7 编号：C22440056
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款单向ESD静电保护二极管，具备双通道设计，专为12V电压电路定制，能承受11A瞬时冲击电流，为设备穿上静电防护铠甲。90皮法低电容值特性，确保高速信号畅通无阻，是精密电路及数据传输应用的理想守护者，让每一份数据在流转中安全无忧。

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      ￥0.176 ￥0.2

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    双向ESD 18V截止 峰值浪涌电流：9A
    型号：HPESDNC3D18VB 编号：C22440030
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为单通道应用打造，耐压18V，能双向阻断静电冲击，IPP达9A，为设备穿上静电防护铠甲。其30pF的小电容特性，确保高速信号畅通无阻，是保护各类消费电子和通信设备免受静电损害的优选方案，让数据传输既快速又安全。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：20A
    型号：HESDALC5-1BM2 编号：C22440107
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此ESD静电保护二极管采用双向设计，专为单一电路通道配置，可在5伏工作电压下稳定运作，具备20安培峰值电流吸收能力，为电路提供强大静电防护。加之仅40皮法的低电容值，确保了信号传输的高速与纯净，是保护现代电子设备免受静电干扰的优选组件。

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    双向ESD 24V截止 峰值浪涌电流：6A
    型号：HSELC24CI 编号：C22439688
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款高性能双向ESD保护二极管，专为单一信号线路设计，耐压24V，能有效抵御高达6A的瞬态电流冲击，为电路保驾护航。其小巧的1.3pF电容值，确保了高速信号传输的纯净与效率，是保护高性能电子产品、防止静电损伤的精选组件，让设备运行更加安全可靠。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：12A@8/20us
    型号：HSTN101050B101 编号：C22440380
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款ESD静电保护二极管具有双向保护功能，适用于单线路配置，工作电压达到5V，能够承受5.5A的瞬时电流冲击，电容值低至10pF，既不影响高频信号的传输，又能为电子设备提供可靠的静电防护屏障，是保护精密电路的优选组件。

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：17A
    型号：HUCD32C03L01 编号：C22439679
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此双向ESD保护二极管为3.3V系统量身定制，单通道实现双向静电防护，17A峰值瞬态电流处理能力，为电路安全筑起强效防线。其超低1pF电容值，确保信号传输高速无损，是高端电子设备及高速数据线路的理想守护者，有效提升系统抗静电干扰能力。

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：7A
    型号：HSTN101033B101 编号：C22440195
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管，专为单一通道设计，能在3.3V工作电压下稳定运行，提供7A的峰值电流保护，有效抵御静电放电，保障电路安全。其小巧的10pF电容值确保高速信号传递无延迟，非常适合于保护敏感电子设备中的数据线路，提升系统整体的抗干扰能力。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A
    型号：HSTS521050B750 编号：C22440186
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款双向ESD静电保护二极管专为单通道应用设计，耐压5V，8A峰值电流处理性能卓越，兼具10pF的低电容特性，既能有效拦截静电冲击，又确保信号传递的高效与纯净，为现代电子设备的内部安全筑起一道坚实的防线。

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    双向ESD 24V截止 峰值浪涌电流：5A
    型号：HCESD1006NC24VB 编号：C22439845
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款高性能双向ESD静电保护二极管，为单线路定制，24V工作电压下稳定可靠，5A峰值电流处理能力有效阻挡静电冲击，确保电路安全。10pF较低电容值设计，完美兼容高速信号路径，既防止静电干扰又保持数据传输流畅，是高端电子设备和通信系统中静电防护的优选组件。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：45A
    型号：HESDM3051N2T5G 编号：C22440399
    封装：DFN1006-2
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为单路信号保护设计，5V工作电压下稳定可靠，45A峰值电流处理能力凸显其强大的静电防护性能。尽管电容值为15pF，适合于不太敏感于信号延迟的应用，它依然是确保电子设备免受静电损坏的高效守护者，提升系统整体的稳健性。

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