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双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
型号：HPESD3V3V1BCSF-N 编号：C22440059
封装：DFN0603-2L
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
精心设计的双向ESD静电保护二极管，专为3.3V电路保护定制，单通道构造精简高效。凭借5A的瞬态电流承受力，以及12pF的电容值，既有效阻断静电放电造成的危害，又确保了信号传输的完整性，尤其适合于保护那些对静电敏感且对信号质量有一定要求的电子设备，为您的电路安全保驾护航。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2.5A@8/20us
    型号：HPESDWC2FD5VB 编号：C22440387
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款ESD静电保护二极管设计为双向，专为单通道应用打造，提供5V的电压保护阈值，能有效应对瞬态高压事件。其具备2.5A的峰值脉冲电流处理能力，确保敏感电路免受静电冲击。低至2.5pF的电容值保证了信号完整性，特别适合于高速数据传输线路，不会引入明显延迟，为精密电子设备提供稳定而高效的防护解决方案。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：5.5A
    型号：HPJEC5V0M1FN2 编号：C22439884
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管，专为单路信号线定制，5V工作电压下稳定可靠，能承受5.5A瞬时冲击电流，为电路保驾护航。10pF的小电容特性，确保高速信号完整传输，是保护便携电子、通信设备免受静电干扰的高效组件，提升系统稳定性与耐用度。

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：9A
    型号：HAOZ8S502BDS-03 编号：C22440157
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为单通道设计，耐压3.3V（VRWM），能承受9A峰值电流冲击（IPP），并具有15pF的低电容特性（CJ），确保高效防护而不影响信号质量，是保护电子设备免受静电损伤的精选组件。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HCESD882UC5VB-M 编号：C22439682
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款ESD静电保护二极管具有双向特性，专为单一信号线设计，耐压5V，峰值电流承受能力达4A，为电路提供坚实的静电防护。0.5pF的低电容值，确保高速信号无损通过，是精密电子和高速数据传输应用中静电保护的理想选择。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A
    型号：HD5V0L1B2S9-7 编号：C22439943
    封装：SOD-923
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为单通道电路设计，电压额定值VRWM为5V，提供平衡的双向静电防护。9A峰值脉冲电流IPP处理能力，确保电路在严苛环境下仍能稳定运行。15pF的小电容CJ值，减少信号干扰，适宜于高速信号线路，提升数据传输质量，是精密电子设备静电防护的理想解决方案。

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    双向TVS 150V截止 峰值浪涌电流：0.7A
    型号：SMF150CA 编号：C18213983
    封装：SOD-123FL
    品牌：KUU
    TVS瞬态抑制二极管

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：5.5A@8/20us
    型号：HPESDNC2FD5VBL 编号：C22439907
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该ESD静电保护二极管为双向单通道设计，工作电压VRWM为5V，能有效抵御高达5.5A的瞬态电流冲击，其低至10pF的电容值确保高速信号无损通过，非常适合于保护各类消费电子及通信设备中的精密电路，防止静电损坏，增强系统整体稳健性。

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：9A
    型号：HPESDNC2FD3V3BA 编号：C22440174
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该产品为单通道双向ESD静电保护二极管，工作电压VRWM为3.3V，可承受9A瞬时静电释放电流IPP，电容值CJ低至15pF，有助于减少信号干扰，适用于需要静电防护的精密电子电路中。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HCPDH5V0P-HF 编号：C22440035
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管，专为单路信号线定制，可在5V电压下稳定工作，有效吸收2.5A瞬时脉冲电流，防止静电破坏。其3皮法电容值小，确保高速信号无损通过，是保护敏感电子组件的精妙解决方案。

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：7A
    型号：HDESD3V3S1BL-7B-71 编号：C22440117
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    精心设计的双向ESD防护二极管，为单一信号线路提供全方位静电干扰解决方案。工作电压VRWM为3.3V，确保稳定运行，同时承受7A峰值瞬时电流IPP，有效阻挡静电放电侵害。紧凑的10pF电容值CJ，保证高速信号无损通过，特别适合于保护精密电路，维持设备在电磁环境复杂的条件下依然表现出色，稳定可靠。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：17A
    型号：HSM05-7 编号：C22439774
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款二极管专注于ESD防护，采用单向设计，内置两个独立通道。耐压5V，峰值电流承受力达17A，确保强劲的保护效能。其180pF的小电容值保证了高速信号的无损传递，非常适合于对静电敏感的电子应用，为设备穿上隐形的防静电外衣。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A
    型号：HCESD0603NC5VB 编号：C22440036
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此双向ESD保护二极管专为5V工作电压的单通道电路打造，拥有9A峰值电流承受力，为电子设备提供稳固的静电防护罩。15pF电容值适用于低频或非时间关键信号路径，确保基础信号完整，是防范静电损害、提升电路可靠性的心选元件，适合广泛电子消费品应用。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HAZ5B65-01F 编号：C22439698
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款ESD静电保护二极管设计为双向，专为单通道应用打造，能有效抵御静电冲击。其工作电压为5V，峰值脉冲电流可达4A，确保了可靠的安全屏障。拥有仅0.55pF的低电容值，它在保护敏感电路的同时，保证了信号完整性，特别适合于高频传输或数据线路，不会引起明显的信号衰减。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：17A
    型号：HESD3BL5V0WS-BL 编号：C22439777
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为单通道电路防护设计，工作电压VRWM为5V，广泛适用于各类电子设备。凭借17A的峰值脉冲电流IPP处理能力，能有效抵御高强度静电冲击，为电路安全筑起坚强防线。90pF的电容值CJ，在确保高效静电防护的同时，兼顾信号传输的适用性，是保护电路免受静电干扰的可靠伙伴。

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    双向ESD 7V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HCPDVR7V0-HF 编号：C22440034
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    精心设计的双向ESD防护二极管，专为单一通道保护优化，工作在7V电压下稳定可靠，能承受9A峰值瞬态电流冲击，为敏感电路筑起坚固防线。8pF的小电容特性确保高速信号无损通过，是保护精密电子设备、维持信号完整性的得力助手，为各类静电敏感应用提供强大而细腻的守护。

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    双向ESD 12V截止 峰值浪涌电流：11A
    型号：HGSOT12C-E3-08 编号：C22439785
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    精心打造的单向ESD保护二极管，为您的电子设备提供双路稳健保障。在12V工作电压范围内运作自如，瞬间承受电流可达11A，高效抵御静电冲击。90皮法的小电容特性，确保高速信号无损传递，完美融合于各类精密电路，为敏感元件穿上隐形防护服，让数据通信流畅无忧。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HPESDUC2XD5VB 编号：C22439718
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管，专为单通道应用优化，5V工作电压下表现出色，具备4A峰值电流处理能力，能有效抑制双向静电放电事件。其电容值仅0.55pF，极小影响信号传输速率与质量，是保护精密电路和高速数据接口免受静电干扰的高性价比选择。

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    双向ESD 36V截止 峰值浪涌电流：5A
    型号：HSM36.TCT 编号：C22439761
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款单向ESD静电保护二极管，设计有双通道，能在36V工作电压下稳定运作，具备5A峰值电流承受力，为电路提供强大静电防护。其紧凑的35皮法电容值，确保了信号传输的高速度与高保真度，非常适合于保护现代高性能电子设备中的精细电路，防止静电损伤，提升系统可靠性。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A
    型号：HDESD5V0S1BLP3-7 编号：C22440046
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为5V电压环境的单通道电路设计，具备9A的瞬时电流处理能力，形成一道可靠的静电防护网。15pF的电容值适合于对速度敏感度较低的信号线，有效隔绝静电干扰，为各类消费级电子产品提供经济实用的静电防护方案，确保设备在各种条件下的稳定运作。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：20A
    型号：HCESD523HC5VB 编号：C22440007
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款ESD保护二极管为双向单通道设计，工作电压5V，能承受20A的瞬时电流冲击，带有33pF的电容值，既保证了对静电放电的有效防护，又兼顾了信号传输的质量，是保护电子设备免受静电损伤的理想选择，确保系统运行更加稳定可靠。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：20A
    型号：HAZ5925-01H 编号：C22439996
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管为单通道器件，耐压5V，峰值脉冲电流可达20A，电容33pF，确保在高能量静电冲击下仍能维持信号线路的稳定，特别适合于要求较高瞬态保护能力且信号延迟可接受的电子应用，有效提升系统防静电性能。

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    双向ESD 24V截止 峰值浪涌电流：7A
    型号：HESDA25L 编号：C22439790
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款ESD静电保护二极管采用单向设计，配置双通道，专为精密电路保驾护航。它在24V的工作电压下稳定运行，能承受高达7A的瞬时脉冲电流冲击，确保了卓越的防护性能。同时，低至40pF的电容值，保证了信号传输的高速与完整性，非常适合于对信号质量有严格要求的电子设备，有效提升了系统抗静电干扰的能力。

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      ￥0.093544 ￥0.1063

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：11A@8/20us
    型号：HPESDNC3D5VBL 编号：C22440004
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    为您推荐这款双向ESD保护二极管，专为单一信号线设计，耐压5V，峰值电流处理能力达11A，确保强劲的静电防护性能。尽管拥有20pF的电容值，它仍是众多应用中平衡保护与信号完整性需求的理想选择，为电子设备穿上静电防护甲，提升系统稳定性。

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      ￥0.09372 ￥0.1065

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：HPESDRC2XD5VBLF 编号：C22439997
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管是单通道解决方案，适用于5V工作电压环境，能双向防护静电冲击，峰值电流处理能力达到4A，确保电路安全。其低至0.8pF的电容值保证了信号传输不受干扰，特别适合于保护高频率数据线路，防止静电损坏，提升电子设备的可靠性和耐用性。

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      ￥0.093873 ￥0.1131

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HESD7551N2T5G 编号：C22439935
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本产品是一款双向ESD静电保护二极管，专为单线路配置，耐压3.3V，适合低功耗电子设备。4A峰值脉冲电流处理能力，为电路增添稳固的静电防护罩。加之仅0.3pF的超低电容，确保信号完整无损，高速传输畅通无阻，是现代精密电路抗静电干扰的优选器件。

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      ￥0.095418 ￥0.1026

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      ￥0.093186 ￥0.1002

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HRCLAMP0521Z 编号：C22439928
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本产品是一款双向ESD防护二极管，专为单一信号线路设计，耐压5V，峰值脉冲电流4A，能在各种静电环境下提供稳健保护。其电容值仅为0.55pF，确保高速信号传输无碍，非常适合于保护精密电子设备中的敏感元件，不影响数据传输速度与质量。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A
    型号：HCESD923NC5VB 编号：C22439983
    封装：SOD-923
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款双向ESD静电保护二极管，专为单路信号保护设计，具备5V电压耐受能力（VRWM），在保证低电压系统安全的同时，提供9A峰值电流防护（IPP），有效阻挡静电侵袭。其15pF的低电容特性（CJ），确保信号传输不受干扰，特别适合于高速数据接口及精密电路应用，为电子产品添加无形的强韧屏障。

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      ￥0.09567 ￥0.1063

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2.5A
    型号：HCESD882LC5VB-M 编号：C22440102
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款双向ESD保护二极管专为单通道应用设计，耐压5V，峰值电流处理能力达2.5A，为电路提供坚强的静电冲击防御。2.5pF的小电容特性，确保了高速信号完整传输，是保护高灵敏度电子电路的优选方案，让设备运行更安心。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：17A
    型号：HRLSD32A051C 编号：C22439799
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为单通道保护设计，耐压VRWM为5V，满足多数电子设备需求。17A峰值脉冲电流IPP处理能力，为电路板穿上静电防护盔甲，抵御瞬时高压侵扰。尽管电容CJ为90pF，但仍适合于非极限速率信号线，确保在有效防护的同时，维护信号传输的稳定性与安全性。

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