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首页 > 热门关键词 > 双向tvs二极管
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双向 60V截止 峰值浪涌电流：1.8A@10/1000us
型号：SMF60CA 编号：C18199358
封装：SOD-123FL
品牌：SY(顺烨)
瞬态抑制二极管(TVS)

  • 20+

    ￥0.168815 ￥0.1777

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    ￥0.13148 ￥0.1384

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    ￥0.11077 ￥0.1166

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    ￥0.098325 ￥0.1035

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    ￥0.08759 ￥0.0922

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    双向 48V截止 峰值浪涌电流：2.6A
    型号：SMF48CA 编号：C18199352
    封装：SOD-123FL
    品牌：SY(顺烨)
    瞬态抑制二极管(TVS)

    • 20+

      ￥0.168815 ￥0.1777

    • 200+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A
    型号：HCESD0603NC5VB 编号：C22440036
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此双向ESD保护二极管专为5V工作电压的单通道电路打造，拥有9A峰值电流承受力，为电子设备提供稳固的静电防护罩。15pF电容值适用于低频或非时间关键信号路径，确保基础信号完整，是防范静电损害、提升电路可靠性的心选元件，适合广泛电子消费品应用。

    • 20+

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    双向ESD 15V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：SD15C 编号：C22368630
    封装：SOD-323
    品牌：Wild Goose(威谷)
    这些浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

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      ￥0.170475 ￥0.2273

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      ￥0.13275 ￥0.177

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：ESD3LL5.0C 编号：C22368656
    封装：SOD-323
    品牌：Wild Goose(威谷)
    采用超小扁平引脚SOD323塑料封装的低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

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      ￥0.13275 ￥0.177

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：ESD5LL5.0C 编号：C22368655
    封装：SOD-523
    品牌：Wild Goose(威谷)
    采用超小扁平引脚SOD523塑料封装的低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

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      ￥0.13275 ￥0.177

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    • 3000+

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      ￥0.082575 ￥0.1101
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HAZ5B65-01F 编号：C22439698
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款ESD静电保护二极管设计为双向，专为单通道应用打造，能有效抵御静电冲击。其工作电压为5V，峰值脉冲电流可达4A，确保了可靠的安全屏障。拥有仅0.55pF的低电容值，它在保护敏感电路的同时，保证了信号完整性，特别适合于高频传输或数据线路，不会引起明显的信号衰减。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：17A
    型号：HESD3BL5V0WS-BL 编号：C22439777
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为单通道电路防护设计，工作电压VRWM为5V，广泛适用于各类电子设备。凭借17A的峰值脉冲电流IPP处理能力，能有效抵御高强度静电冲击，为电路安全筑起坚强防线。90pF的电容值CJ，在确保高效静电防护的同时，兼顾信号传输的适用性，是保护电路免受静电干扰的可靠伙伴。

    • 20+

      ￥0.17204 ￥0.1955

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    双向ESD 7V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HCPDVR7V0-HF 编号：C22440034
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    精心设计的双向ESD防护二极管，专为单一通道保护优化，工作在7V电压下稳定可靠，能承受9A峰值瞬态电流冲击，为敏感电路筑起坚固防线。8pF的小电容特性确保高速信号无损通过，是保护精密电子设备、维持信号完整性的得力助手，为各类静电敏感应用提供强大而细腻的守护。

    • 20+

      ￥0.172391 ￥0.2077

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    双向ESD 12V截止 峰值浪涌电流：11A
    型号：HGSOT12C-E3-08 编号：C22439785
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    精心打造的单向ESD保护二极管，为您的电子设备提供双路稳健保障。在12V工作电压范围内运作自如，瞬间承受电流可达11A，高效抵御静电冲击。90皮法的小电容特性，确保高速信号无损传递，完美融合于各类精密电路，为敏感元件穿上隐形防护服，让数据通信流畅无忧。

    • 20+

      ￥0.174383 ￥0.2101

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      ￥0.135871 ￥0.1637

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：38A@8/20us
    型号：SM03CN 编号：C22368680
    封装：SOT-23
    品牌：Wild Goose(威谷)
    这些双片式单片硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用场景。其双向双 ESD 设计仅用一个封装即可保护两条独立线路

    • 20+

      ￥0.1746 ￥0.2328

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HPESDUC2XD5VB 编号：C22439718
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管，专为单通道应用优化，5V工作电压下表现出色，具备4A峰值电流处理能力，能有效抑制双向静电放电事件。其电容值仅0.55pF，极小影响信号传输速率与质量，是保护精密电路和高速数据接口免受静电干扰的高性价比选择。

    • 20+

      ￥0.175352 ￥0.1906

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    双向ESD 36V截止 峰值浪涌电流：5A
    型号：HSM36.TCT 编号：C22439761
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款单向ESD静电保护二极管，设计有双通道，能在36V工作电压下稳定运作，具备5A峰值电流承受力，为电路提供强大静电防护。其紧凑的35皮法电容值，确保了信号传输的高速度与高保真度，非常适合于保护现代高性能电子设备中的精细电路，防止静电损伤，提升系统可靠性。

    • 20+

      ￥0.17595 ￥0.1955

    • 200+

      ￥0.13707 ￥0.1523

    • 600+

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    • 3000+

      ￥0.10251 ￥0.1139

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      ￥0.09126 ￥0.1014

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      ￥0.08523 ￥0.0947
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    双向TVS 12V截止 峰值脉冲电流：12A@8/20us
    型号：LGSOT12CLT1G 编号：C136176
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    LGSOT12CLT1G是一款双片式电压抑制器，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电（ESD）影响。对于正瞬变，它将电压钳位在逻辑电平电源略高的位置；对于负瞬变，它将电压钳位到低于地电位一个二极管压降的位置。仅连接引脚1和2时，它也可作为双向抑制器工作。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1761

    • 200+

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    • 3000+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HAOZ8S204BLS-05 编号：C22439932
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管适用于单路电路，5V最大连续工作电压与4A峰值脉冲电流处理能力，构成坚实的静电防护网。0.55pF的小电容特性，保障了信号传递的高速与清晰，是保护电子设备免受静电损害的理想选择，尤其适合于对信号完整性有高要求的应用场景。

    • 20+

      ￥0.17811 ￥0.1979

    • 200+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HD5V0L1B2T-7 编号：C22440082
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该ESD保护二极管为双向单通道结构，额定电压VRWM为5V，能适应较高电压需求。9A峰值脉冲电流处理能力，为电路提供强效静电防护盾。尽管电容值为15pF，仍能确保大多数信号传输无碍，是提升电子设备静电免疫力的紧凑型解决方案。

    • 20+

      ￥0.17845 ￥0.215

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A
    型号：HDESD5V0S1BLP3-7 编号：C22440046
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为5V电压环境的单通道电路设计，具备9A的瞬时电流处理能力，形成一道可靠的静电防护网。15pF的电容值适合于对速度敏感度较低的信号线，有效隔绝静电干扰，为各类消费级电子产品提供经济实用的静电防护方案，确保设备在各种条件下的稳定运作。

    • 20+

      ￥0.18036 ￥0.2004

    • 200+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：11A@8/20us
    型号：HD5V0L1B2WS-7 编号：C22440003
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管，专为单通道应用设计，可在5V电压下稳定工作，具备强大的11A峰值电流处理能力，为电路提供全方位静电防护。尽管电容值为20pF，但仍适合于要求不那么严格的信号线路，确保在静电冲击下设备功能正常，是消费电子等领域的可靠守护者。

    • 20+

      ￥0.180525 ￥0.2175

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：20A
    型号：HCESD523HC5VB 编号：C22440007
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款ESD保护二极管为双向单通道设计，工作电压5V，能承受20A的瞬时电流冲击，带有33pF的电容值，既保证了对静电放电的有效防护，又兼顾了信号传输的质量，是保护电子设备免受静电损伤的理想选择，确保系统运行更加稳定可靠。

    • 20+

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    • 200+

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    • 3000+

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      ￥0.08755 ￥0.103
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HPESDRC2FD5VB 编号：C22440006
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本产品是一款双向ESD防护二极管，专为单一信号线路设计。它能在5V工作电压下提供稳健的静电保护，峰值脉冲电流处理能力达4A，有效抵御瞬态高压冲击。0.5皮法的低电容特性，确保高速信号传输不受干扰，是保障精密电子设备免受静电损害的理想选择。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：20A
    型号：HAZ5925-01H 编号：C22439996
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管为单通道器件，耐压5V，峰值脉冲电流可达20A，电容33pF，确保在高能量静电冲击下仍能维持信号线路的稳定，特别适合于要求较高瞬态保护能力且信号延迟可接受的电子应用，有效提升系统防静电性能。

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    双向ESD 24V截止 峰值浪涌电流：7A
    型号：HESDA25L 编号：C22439790
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款ESD静电保护二极管采用单向设计，配置双通道，专为精密电路保驾护航。它在24V的工作电压下稳定运行，能承受高达7A的瞬时脉冲电流冲击，确保了卓越的防护性能。同时，低至40pF的电容值，保证了信号传输的高速与完整性，非常适合于对信号质量有严格要求的电子设备，有效提升了系统抗静电干扰的能力。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：11A@8/20us
    型号：HPESDNC3D5VBL 编号：C22440004
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    为您推荐这款双向ESD保护二极管，专为单一信号线设计，耐压5V，峰值电流处理能力达11A，确保强劲的静电防护性能。尽管拥有20pF的电容值，它仍是众多应用中平衡保护与信号完整性需求的理想选择，为电子设备穿上静电防护甲，提升系统稳定性。

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：7A
    型号：HUCLAMP3311P.TCT 编号：C22440151
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为单路信号线定制，3.3V工作电压下稳定可靠，7A峰值电流处理能力有效抵御静电冲击。紧凑10pF电容值确保高速信号完整传输，无惧高频干扰，为各类电子设备的静电防护需求提供了一个高效、低影响的解决方案，确保电路安全顺畅运行。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：HPESDRC2XD5VBLF 编号：C22439997
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管是单通道解决方案，适用于5V工作电压环境，能双向防护静电冲击，峰值电流处理能力达到4A，确保电路安全。其低至0.8pF的电容值保证了信号传输不受干扰，特别适合于保护高频率数据线路，防止静电损坏，提升电子设备的可靠性和耐用性。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：17A
    型号：HPESDNC3D5VB 编号：C22439803
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为单通道电路打造，具有5V电压耐压（VRWM），提供可靠的静电防护。17A的峰值脉冲电流IPP处理能力，确保电路在高压静电冲击下依旧安全。尽管电容值为90pF，但在许多应用中仍能保持足够快的响应速度，是保障电子设备免受静电损伤的理想选择。

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HESD7551N2T5G 编号：C22439935
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本产品是一款双向ESD静电保护二极管，专为单线路配置，耐压3.3V，适合低功耗电子设备。4A峰值脉冲电流处理能力，为电路增添稳固的静电防护罩。加之仅0.3pF的超低电容，确保信号完整无损，高速传输畅通无阻，是现代精密电路抗静电干扰的优选器件。

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      ￥0.186372 ￥0.2004

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HRCLAMP0521Z 编号：C22439928
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本产品是一款双向ESD防护二极管，专为单一信号线路设计，耐压5V，峰值脉冲电流4A，能在各种静电环境下提供稳健保护。其电容值仅为0.55pF，确保高速信号传输无碍，非常适合于保护精密电子设备中的敏感元件，不影响数据传输速度与质量。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A
    型号：HCESD923NC5VB 编号：C22439983
    封装：SOD-923
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款双向ESD静电保护二极管，专为单路信号保护设计，具备5V电压耐受能力（VRWM），在保证低电压系统安全的同时，提供9A峰值电流防护（IPP），有效阻挡静电侵袭。其15pF的低电容特性（CJ），确保信号传输不受干扰，特别适合于高速数据接口及精密电路应用，为电子产品添加无形的强韧屏障。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2.5A
    型号：HCESD882LC5VB-M 编号：C22440102
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款双向ESD保护二极管专为单通道应用设计，耐压5V，峰值电流处理能力达2.5A，为电路提供坚强的静电冲击防御。2.5pF的小电容特性，确保了高速信号完整传输，是保护高灵敏度电子电路的优选方案，让设备运行更安心。

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