双向tvs二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：KSMBJ24CA-E3/52 编号：C2892468

封装：SMB

品牌：KUU

TVS瞬态抑制二极管

数据手册

10+
￥0.27166 ￥0.3995
100+
￥0.2193 ￥0.3225
300+
￥0.19312 ￥0.284
3000+
￥0.151708 ￥0.2231
6000+
￥0.136 ￥0.2
9000+
￥0.128112 ￥0.1884

有货

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型号：HSM36-02HTG 编号：C22439963

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款单向ESD静电保护二极管，设计含双通道，耐压36V，峰值电流5A，为电路板穿上隐形防静电盔甲。35pF低电容值，确保高速信号畅通无阻，是精密电子和便携设备静电防护的优选原件，默默守护着电子系统的稳定与安全。

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￥0.28872 ￥0.3208
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￥0.22824 ￥0.2536
300+
￥0.198 ￥0.22
3000+
￥0.17532 ￥0.1948
6000+
￥0.15714 ￥0.1746
9000+
￥0.14805 ￥0.1645

有货

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型号：HCEST23NC3V3U 编号：C22440446

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款单向ESD静电保护二极管专为双通道应用设计，每通道耐压3.3V，能承受20A峰值电流冲击，为低电压电路提供高效防护。120皮法的电容值在确保强效静电保护的同时，对信号传输影响甚微，是移动设备、物联网(IoT)模块及其它低功耗电子产品的理想选择，有效增强系统抗静电能力，保障数据传输的连续性和可靠性。

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￥0.29493 ￥0.3277
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￥0.2331 ￥0.259
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￥0.20223 ￥0.2247
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￥0.1791 ￥0.199
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￥0.16056 ￥0.1784
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￥0.15129 ￥0.1681

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型号：HCEST23NC5VB 编号：C22440450

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管，双通道设计适应多元保护场景。5V工作电压稳定可靠，8A峰值电流处理能力有效阻断静电威胁。90pF低电容值，确保信号完整高速，是精密电子设备静电防护的优选方案，为电路安全保驾护航。

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￥0.302456 ￥0.3437
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￥0.239096 ￥0.2717
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￥0.207416 ￥0.2357
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￥0.183656 ￥0.2087
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￥0.164648 ￥0.1871
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￥0.155144 ￥0.1763

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型号：HESDL3V3LB-TP 编号：C22440215

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该ESD静电保护二极管采用双向设计，专为单一信号通路优化。3.3V最大连续工作电压（VRWM）及7A峰值瞬态电流处理能力（IPP），构成坚实防线，抵御静电侵扰。低至10pF的电容值（CJ）确保高速信号传输不受影响，是保障电子设备接口安全、提升系统稳定性的理想选择。

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￥0.304278 ￥0.3666
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￥0.240534 ￥0.2898
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￥0.208662 ￥0.2514
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￥0.184758 ￥0.2226
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￥0.165668 ￥0.1996
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￥0.15604 ￥0.188

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型号：SMAJ28CA 编号：C2759858

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：Leiditech(雷卯电子)

TVS二极管可广泛应用于各类领域，如消费电子产品、电信和智能控制系统。

数据手册

10+
￥0.30549 ￥0.3594
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￥0.243355 ￥0.2863
300+
￥0.212245 ￥0.2497
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￥0.188955 ￥0.2223
5000+
￥0.17034 ￥0.2004
10000+
￥0.16099 ￥0.1894

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型号：HGG0402055R042P 编号：C22439869

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这颗双向ESD防护二极管专为单线路打造，耐压5V，可承受2.5A瞬时电流冲击，为电路板穿上隐形防静电盔甲。2.5pF的低电容值设计，确保高速数据畅通无阻，是保护高端电子设备免受静电侵害的精妙之作。

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￥0.310986 ￥0.3987
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￥0.245856 ￥0.3152
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￥0.213252 ￥0.2734
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￥0.188838 ￥0.2421
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￥0.16926 ￥0.217
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￥0.15951 ￥0.2045

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型号：SM24CN 编号：C22368692

封装：SOT-23

品牌：Wild Goose(威谷)

这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双向双静电放电设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

10+
￥0.31554 ￥0.3506
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￥0.24939 ￥0.2771
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￥0.21636 ￥0.2404
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￥0.19161 ￥0.2129
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￥0.17172 ￥0.1908
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￥0.16182 ￥0.1798

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型号：HPTVSUC3D5VB 编号：C22439811

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款双向ESD静电保护二极管专为单线路部署，工作电压VRWM为5V，能有效抵御双向静电冲击。4A峰值电流吸收能力，为电路板穿上静电防护甲。1pF低电容设计，确保信号流畅无阻，是保护高灵敏电子设备和维持信号纯净度的优选元件。

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￥0.329648 ￥0.3746
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￥0.260656 ￥0.2962
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￥0.226072 ￥0.2569
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￥0.2002 ￥0.2275
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￥0.179432 ￥0.2039
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￥0.169136 ￥0.1922

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型号：HSTN101050BL30 编号：C22440133

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款ESD保护二极管为双向单通道型，工作电压可达5V，能承受4A的瞬时电流冲击，有效防护电路免受静电破坏。其电容值低至0.5pF，确保高速信号传输无衰减，是保护精密电子设备和提升系统抗静电干扰能力的优质组件。

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￥0.33283 ￥0.401
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￥0.26311 ￥0.317
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￥0.22825 ￥0.275
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￥0.202105 ￥0.2435
5000+
￥0.181189 ￥0.2183
10000+
￥0.170731 ￥0.2057

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型号：HUCLAMP3331ZATFT 编号：C22439870

封装：DFN0603-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管专为3.3V系统定制，单通道设计便于集成。它能够承受高达5A的瞬时电流冲击，电容值为12pF，适宜于较低速信号线路的静电防护需求。该器件能有效拦截静电放电，守护电路元件安全，是提升电子设备抗扰度与可靠性的优选方案。

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￥0.33694 ￥0.3964
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￥0.26639 ￥0.3134
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￥0.23103 ￥0.2718
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￥0.204595 ￥0.2407
5000+
￥0.18343 ￥0.2158
15000+
￥0.172805 ￥0.2033

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型号：HPESDNC23T24VB 编号：C22439725

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向双通道ESD保护二极管，额定电压24V，具备5A峰值电流处理能力，为双线路系统带来高效静电防护。25pF电容值虽较高，但在特定应用场景下，能良好兼顾静电保护与信号传输需求，是保障多通道电子设备免受静电损伤的可靠守护者。

10+
￥0.34276 ￥0.3895
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￥0.270952 ￥0.3079
300+
￥0.235048 ￥0.2671
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￥0.20812 ￥0.2365
6000+
￥0.18656 ￥0.212
9000+
￥0.175824 ￥0.1998

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型号：HCEST23NC24VB 编号：C22439734

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款ESD静电保护二极管设计为双向，专为需要高效静电防护的场景而生。它配备了双通道结构，能在24V的工作电压下稳定运行，同时具备承受5A峰值电流的能力，确保了电路的安全。此外，其低至25pF的电容值，保证了信号完整性，特别适合对速度和可靠性有高要求的电子设备，有效防范静电冲击带来的损害。

10+
￥0.35288 ￥0.401
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￥0.27896 ￥0.317
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￥0.242 ￥0.275
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￥0.21428 ￥0.2435
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￥0.192104 ￥0.2183
9000+
￥0.181016 ￥0.2057

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型号：HPESD5V0L1BA,135 编号：C22440088

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管专为单一信号线路设计，能承受5V直流工作电压，具备强大的17A瞬时脉冲电流吸收能力，确保敏感电路免受静电冲击。其紧凑的90pF电容值保证了信号传递无延迟，非常适合于保护高频和数据密集型设备中的薄弱元件，提升系统整体的鲁棒性。

10+
￥0.36297 ￥0.4033
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￥0.28692 ￥0.3188
300+
￥0.24885 ￥0.2765
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￥0.22041 ￥0.2449
6000+
￥0.19755 ￥0.2195
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￥0.18612 ￥0.2068

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型号：SMBJ12CA 编号：C362081

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：JKSEMI(金开盛)

TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。

数据手册

10+
￥0.3654
100+
￥0.2932
300+
￥0.2571
3000+
￥0.2092

有货

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型号：HESDM3031MXT5G 编号：C22439895

封装：DFN0603-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款双向ESD静电保护二极管专为3.3V电压应用优化，单通道结构紧凑高效。5A峰值电流处理和12pF电容设计，在确保强效抵御静电冲击的同时，保持信号传输无碍，是保护电子电路免受静电损害的可靠卫士，适用于各类静电敏感电子产品的安全强化。

10+
￥0.367026 ￥0.4422
100+
￥0.290168 ￥0.3496
300+
￥0.251739 ￥0.3033
1000+
￥0.222855 ￥0.2685
5000+
￥0.199781 ￥0.2407
15000+
￥0.188244 ￥0.2268

有货

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型号：SPD9105W-2/TR 编号：C150545

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD9105W是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的过应力影响。SPD9105W集成了低电容转向二极管，可将每线路的典型电容降至1pF。根据IEC61000 - 4 - 2标准，SPD9105W可提供高达±30kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达20A（8/20μs）的峰值脉冲电流。SPD9105W采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.391
100+
￥0.3039
300+
￥0.2603
3000+
￥0.2276

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型号：HDESD12VL2BTQ-7 编号：C22439994

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此双向ESD静电保护二极管，搭载双通道设计，工作电压VRWM为12V，具备强大的20A峰值电流处理能力，电容值20pF确保了信号传输的高质量，为各类电子设备提供全面且高效的静电防护，是保护电路安全的优选组件。

5+
￥0.395335 ￥0.4651
50+
￥0.312545 ￥0.3677
150+
￥0.27115 ￥0.319
500+
￥0.24004 ￥0.2824
3000+
￥0.21522 ￥0.2532
6000+
￥0.20281 ￥0.2386

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型号：HSTS521050B331 编号：C22439865

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该ESD静电保护二极管为单通道双向型，可在5V电压下稳定工作，提供高达20A的瞬时电流防护能力，配备33pF低漏电容，确保高速信号无明显衰减，是保护电子电路免受静电干扰的高效组件，提升系统整体稳健性。

5+
￥0.399396 ￥0.4812
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￥0.315732 ￥0.3804
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￥0.2739 ￥0.33
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￥0.242526 ￥0.2922
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￥0.217377 ￥0.2619
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￥0.204844 ￥0.2468

有货

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型号：HTESDL5V0B45P1M3 编号：C22440106

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款双向ESD静电保护二极管为单通道设计，耐压5V，具有25A大电流脉冲承受力，为电子设备提供强劲的静电防护。尽管电容值35pF，仍能有效平衡信号保护与传输效率，是精密电路应用中防静电冲击的理想组件。

10+
￥0.40419 ￥0.4491
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￥0.3195 ￥0.355
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￥0.2772 ￥0.308
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￥0.24543 ￥0.2727
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￥0.22005 ￥0.2445
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￥0.20727 ￥0.2303

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型号：HPESDUC3D3V3B 编号：C22440032

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该ESD静电保护二极管为双向单通道设计，适合于低电压应用环境，额定电压VRWM为3.3V。凭借其卓越的20A峰值电流处理能力，能有效抑制静电放电造成的损害。1pF的小电容值确保高速信号无延迟通过，是保护敏感电子设备免受静电冲击的高效解决方案。

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￥0.477105 ￥0.5613
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￥0.377145 ￥0.4437
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￥0.327165 ￥0.3849
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￥0.28968 ￥0.3408
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￥0.25976 ￥0.3056
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￥0.244715 ￥0.2879

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型号：HDF2B6M5CT,L3F 编号：C22439868

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管，专为单通道配置，5V最大工作电压下稳定运行，能承受高达4A的瞬时静电冲击电流，确保电路安全性。其低至0.5pF的电容值，确保高速信号传输流畅无阻，是保护敏感电路元件、提升系统抗静电性能的精妙之选。

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￥0.486795 ￥0.5865
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￥0.384871 ￥0.4637
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￥0.333826 ￥0.4022
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￥0.249664 ￥0.3008

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型号：HSZESD9B5.0ST5G 编号：C22439875

封装：SOD-923

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管专为单通道设计，5V电压保护水平（VRWM）确保低电压电路安全。9A峰值电流承受力（IPP），有效拦截双向静电冲击，加固电路防护网。15pF低电容值（CJ），减少信号损失，优化高速数据线路的传输质量，是保护精密电子设备、维持系统稳定运行的优选方案。

5+
￥0.486816 ￥0.5532
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￥0.384824 ￥0.4373
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￥0.333784 ￥0.3793
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￥0.295592 ￥0.3359
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￥0.264968 ￥0.3011
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￥0.249656 ￥0.2837

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型号：TS61089BX 编号：C3038069

封装：SOP-8

品牌：晶扬电子

该器件专门设计用于保护两个新型高压用户线接口电路（SLIC）以及传统 SLIC 免受瞬态过电压影响。正向过电压由两个二极管钳位。负向浪涌由两个晶闸管抑制，其击穿电压通过栅极参考至 - VBAT

数据手册

5+
￥0.4938
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￥0.3426
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￥0.2619
6000+
￥0.2468

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型号：HBV05C-H 编号：C22439984

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管为单通道设计，耐压5V，提供全方位静电防护。4A峰值电流处理能力，确保电路在高压冲击下的安全。1pF低电容值设计，减少信号衰减，完美匹配高速数据传输应用，是保护电子设备、维护系统稳定性的高效解决方案。

5+
￥0.5269
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￥0.32
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￥0.2703

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型号：HCDDFN2-T3.3B 编号：C22440389

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该器件为单路双向ESD静电抑制二极管，具备3.3V最大连续工作电压(VRWM)，能承受9A峰值瞬态电流(IPP)冲击，兼具15皮法低结电容(CJ)，专为高密度电路设计，旨在实现优异的信号透明度与静电防护效能。

5+
￥0.531635 ￥0.8179
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￥0.42029 ￥0.6466
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￥0.364585 ￥0.5609
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￥0.272675 ￥0.4195

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型号：HPSD18C-LF-T7 编号：C22440152

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

精心设计的双向ESD防护二极管，专为单线路应用优化，耐压18V， IPP 9A的瞬时电流处理能力，实现双向静电瞬变保护。30皮法低电容值设计，确保高速信号无损传输，是保护各类精密电子设备，如移动通讯和数据接口等，免受静电侵害的高效解决方案，确保信号纯净与系统稳定。

5+
￥0.618018 ￥0.7446
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￥0.488538 ￥0.5886
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￥0.423798 ￥0.5106
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￥0.375243 ￥0.4521
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￥0.336399 ￥0.4053
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￥0.316977 ￥0.3819

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型号：1.5SMC43CA(MS) 编号：C22365417

封装：SMC

品牌：MSKSEMI(美森科)

是一款应用于电信、计算机、工业和消费电子设备中，用来保护I/O接口、电源总线和其他易损电路的高性能TVS二极管

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￥0.61866 ￥0.6874
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￥0.48906 ￥0.5434
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￥0.42426 ￥0.4714
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￥0.33678 ￥0.3742
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￥0.31725 ￥0.3525

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型号：HCFTVS5V0BULC 编号：C22440202

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD静电保护二极管，专为单一信号线设计，耐压5V，峰值电流处理能力达4A，能有效抵御静电冲击，保护电路。其超低电容0.5pF，确保高速信号无损通过，是小型电子设备及高频率应用中静电防护的理想元件，强化系统抗扰度。

5+
￥0.67088 ￥0.8386
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￥0.53032 ￥0.6629
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￥0.46 ￥0.575
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￥0.40736 ￥0.5092
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￥0.3652 ￥0.4565
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￥0.34408 ￥0.4301

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型号：SMA6J10CA-TR 编号：C2935138

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电（依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015）以及电气过应力（如IEC 61000 - 4 - 4和5）的影响而设计。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低泄漏电流和高结温，以长期提供可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长预期使用寿命。采用SMA封装，可将印刷电路板（PCB）空间占用降至最低（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

数据手册

5+
￥0.715904 ￥1.2784
50+
￥0.518604 ￥1.1274
150+
￥0.382572 ￥1.0627
500+
￥0.35352 ￥0.982
2500+
￥0.340596 ￥0.9461
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￥0.33282 ￥0.9245

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