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首页 > 热门关键词 > 双向tvs二极管
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双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：25A
型号：HTESDL5V0B45P1M3 编号：C22440106
封装：SOD-323
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
此款双向ESD静电保护二极管为单通道设计，耐压5V，具有25A大电流脉冲承受力，为电子设备提供强劲的静电防护。尽管电容值35pF，仍能有效平衡信号保护与传输效率，是精密电路应用中防静电冲击的理想组件。

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    ￥0.40419 ￥0.4491

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    ￥0.3195 ￥0.355

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    双向ESD 24V截止 峰值浪涌电流：5A
    型号：HRESD1CANFHT116 编号：C22439690
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD防护二极管，为您的电路提供双通道的稳健守护。在24V电压下稳定工作，面对高达5A的瞬时电流冲击也能轻松应对，确保系统安全无虞。加之25皮法电容值，确保信号流畅无损，是高端电子应用中防静电干扰的优选方案。

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      ￥0.423456 ￥0.4812

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HBV05C-H 编号：C22439984
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管为单通道设计，耐压5V，提供全方位静电防护。4A峰值电流处理能力，确保电路在高压冲击下的安全。1pF低电容值设计，减少信号衰减，完美匹配高速数据传输应用，是保护电子设备、维护系统稳定性的高效解决方案。

    • 5+

      ￥0.42942 ￥0.5052

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      ￥0.33949 ￥0.3994

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    TVS 峰值脉冲电流：100A@10/1000us
    型号：TS61089BX 编号：C3038069
    封装：SOP-8
    品牌：晶扬电子
    该器件专门设计用于保护两个新型高压用户线接口电路（SLIC）以及传统 SLIC 免受瞬态过电压影响。正向过电压由两个二极管钳位。负向浪涌由两个晶闸管抑制，其击穿电压通过栅极参考至 - VBAT
    数据手册

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      ￥0.459234 ￥0.4938

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    双向 3.3V 34A
    型号：HDESD3V3L2BTQ-7 编号：C22440447
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为双通道电路设计，每通道耐压3.3V，峰值电流处理能力高达34A，为低电压应用提供全方位静电防护。60皮法的电容值确保了高速信号传输的完整性，是诸如移动通信、USB接口和无线设备等对静电敏感技术的理想伴侣，确保在紧凑空间内也能实现高效防护与信号质量的双重保障。

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      ￥0.48456 ￥0.5384

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      ￥0.38304 ￥0.4256

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：5A
    型号：HSZESD9B5.0ST5G 编号：C22439875
    封装：SOD-923
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为单通道设计，5V电压保护水平（VRWM）确保低电压电路安全。9A峰值电流承受力（IPP），有效拦截双向静电冲击，加固电路防护网。15pF低电容值（CJ），减少信号损失，优化高速数据线路的传输质量，是保护精密电子设备、维持系统稳定运行的优选方案。

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      ￥0.538384 ￥0.6118

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    双向TVS 36.8V截止 峰值浪涌电流：25.6A@10/1000us
    型号：1.5SMC43CA(MS) 编号：C22365417
    封装：SMC
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    是一款应用于电信、计算机、工业和消费电子设备中，用来保护I/O接口、电源总线和其他易损电路的高性能TVS二极管

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      ￥0.61866 ￥0.6874

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      ￥0.48906 ￥0.5434

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      ￥0.37566 ￥0.4174

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      ￥0.33678 ￥0.3742

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      ￥0.31725 ￥0.3525
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    双向TVS 43.6V截止 峰值浪涌电流：21.7A@10/1000us
    型号：1.5SMC51CA(MS) 编号：C22365420
    封装：SMC
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    是一款应用于电信、计算机、工业和消费电子设备中，用来保护I/O接口、电源总线和其他易损电路的高性能TVS二极管

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      ￥0.61866 ￥0.6874

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      ￥0.48906 ￥0.5434

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      ￥0.37566 ￥0.4174

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    双向TVS 10V截止 峰值脉冲电流：37A
    型号：SMA6J10CA-TR 编号：C2935138
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：ST(意法半导体)
    SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电（依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015）以及电气过应力（如IEC 61000 - 4 - 4和5）的影响而设计。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低泄漏电流和高结温，以长期提供可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长预期使用寿命。采用SMA封装，可将印刷电路板（PCB）空间占用降至最低（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。
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    • 5+

      ￥0.80129 ￥1.1447

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：24A@8/20us
    型号：SP4021-01FTG-C 编号：C720051
    封装：SOD-323
    品牌：Littelfuse(美国力特)
    SP4021 系列元件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些元件每 IEC 61000 - 4 - 5 标准（tp = 8/20μs）可安全吸收高达 25A 的浪涌电流而性能不下降，且每 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准可承受最小 ±30kV 的 ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口和其他高速数据接口。
    数据手册

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      ￥0.8511

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    双向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：102.7A@10/1000us
    型号：SMDJ18CA 编号：C2996979
    封装：DO-214AB
    品牌：SET(赛尔特)
    瞬态抑制二极管（TVS）是一种电路保护元件，它可以削弱或过滤突增瞬态电压（过压），在浪涌到来瞬间几纳秒时间内发生雪崩击穿，将浪涌电流引至接地端，并将电压箱位在安全范围内，从而实现了高效能的电压保护。
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      ￥0.5995
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    双向TVS 24V截止 峰值浪涌电流：77.1A
    型号：SMDJ24CA 编号：C2996982
    封装：DO-214AB
    品牌：SET(赛尔特)
    瞬态抑制二极管（TVS）是一种电路保护元件，它可以削弱或过滤突增瞬态电压（过压），在浪涌到来瞬间几纳秒时间内发生雪崩击穿，将浪涌电流引至接地端，并将电压箱位在安全范围内，从而实现了高效能的电压保护。
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    • 1+

      ￥0.9501

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      ￥0.6843

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      ￥0.6325
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：PESD5V0V2BMBYL 编号：C552587
    封装：SOT-883-3
    品牌：Nexperia(安世)
    两款双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护两条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。该器件采用DFN1006B - 3（SOT883B）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。
    数据手册

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      ￥0.9871

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      ￥0.9684

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      ￥0.9559

    • 500+

      ￥0.905664 ￥0.9434
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    双向TVS 58V截止 峰值脉冲电流：32.1A@10/1000us
    型号：SMDJ58CA 编号：C5267384
    封装：SMC(DO214AB)
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    TVS 二极管可用于多种应用,如消费电子产品、电信和智能控制系统。
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      ￥0.9961

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      ￥0.8756

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      ￥0.7594
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    双向TVS 64V截止 峰值浪涌电流：29.1A@10/1000us
    型号：SMDJ64CA 编号：C2996996
    封装：DO-214AB
    品牌：SET(赛尔特)
    瞬态抑制二极管（TVS）是一种电路保护元件，它可以削弱或过滤突增瞬态电压（过压），在浪涌到来瞬间几纳秒时间内发生雪崩击穿，将浪涌电流引至接地端，并将电压箱位在安全范围内，从而实现了高效能的电压保护。
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      ￥1.0858

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    双向 3.6V 1.7A@8/20us
    型号：TPD1E0B04DPLR 编号：C913830
    封装：X2-SON-2(0.3x0.6)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPD1E0B04 适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.13pF、±3.6V、±8kV ESD 保护二极管
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1241

    • 50+

      ￥0.8897

    • 150+

      ￥0.7752

    • 500+

      ￥0.6731
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    双向TVS 130V截止 峰值脉冲电流：7.2A
    型号：SMCJ130CA 编号：C5267366
    封装：SMC(DO214AB)
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1552

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      ￥0.9133

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      ￥0.8096

    • 500+

      ￥0.6802
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    双向TVS 7.5V截止 峰值脉冲电流：116.3A@10/1000us
    型号：SMCJ7.5CA 编号：C5267362
    封装：SMC(DO214AB)
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1552

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      ￥0.9133

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      ￥0.8096

    • 500+

      ￥0.6802
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    双向TVS 7V截止 峰值脉冲电流：125A@10/1000us
    型号：SMCJ7.0CA 编号：C5267361
    封装：SMC(DO214AB)
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1552

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      ￥0.9133

    • 150+

      ￥0.8096

    • 500+

      ￥0.6802
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    双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：163A
    型号：SMCJ5.0CA 编号：C2939735
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    TVS二极管可广泛应用于消费电子产品、汽车工业、电信和智能控制系统等领域。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.160505 ￥1.3653

    • 10+

      ￥0.924885 ￥1.0881

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    • 100+

      ￥0.697935 ￥0.8211

    • 500+

      ￥0.641835 ￥0.7551

    • 1000+

      ￥0.537625 ￥0.6325
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    双向 5.5V 9A@8/20us
    型号：TPD1E10B06QDPYRQ1 编号：C1847696
    封装：X1-SON-2(0.6x1)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPD1E10B06-Q1 采用 0402 封装的汽车类 12pF、±5.5V、±30kV ESD 保护二极管
    数据手册

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      ￥1.1816

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      ￥0.9397

    • 150+

      ￥0.836
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    双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：51.6A
    型号：SMDJ36CA 编号：C19188348
    封装：SMC
    品牌：Slkor(萨科微)
    瞬态抑制二极管

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      ￥1.2202

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      ￥0.9582

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      ￥0.7057

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      ￥0.6433

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      ￥0.6058
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    双向TVS 64V截止 峰值脉冲电流：48.6A
    型号：5.0SMDJ64CA 编号：C2846136
    封装：SMC(DO214AB)
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
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    双向TVS 85V截止 峰值浪涌电流：36.5A
    型号：5.0SMDJ85CA 编号：C2920974
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    这款贴片二极管适用于保护应用电路。 - 出色的钳位能力
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    双向TVS 180V截止 峰值浪涌电流：104.3A@10/1000us
    型号：30KP180CA 编号：C42402392
    封装：P600
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    R-6/P600 30000W 180V浪涌二极管

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A
    型号：HESD5481MUT3G 编号：C22439933
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为5V系统单通道定制，具备9A峰值电流处理能力，为电路提供坚实的静电防护墙。虽然电容值为15pF，适合于对速度要求不苛刻的环境，有效平衡了保护效能与成本，是众多消费电子和一般电路应用中预防静电损害的理想选择，确保设备长期稳定运行。

    • 20+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：20A
    型号：HCESDB5V0D5 编号：C22439798
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管适用于单线路，拥有5V工作电压耐受能力，能承受高达20A的瞬时浪涌电流，电容值为33pF，适合于需要较高电流保护和对信号传输速度要求不苛刻的应用场景，为电子设备提供强大的静电防护屏障。

    • 20+

      ￥0.06534 ￥0.0726

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A
    型号：HESD5481MUT5G 编号：C22439949
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款双向ESD静电保护二极管专为5V电压平台设计，单通道结构，能承受9A瞬时电流冲击，为电路板上的敏感元件提供周全的静电防护。15pF的电容值虽稍高，但适合于较低速信号线路，不影响日常使用中的信号传输，是保障电子设备在静电多发环境下安全运行的经济高效解决方案。

    • 20+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：UAD8C05L01-HXY 编号：C19627024
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款DFN1006-2L封装的高性能双向ESD静电防护二极管专为5V系统设计，采用先进的1通道结构，拥有超低电容0.35pF，确保高速信号无损传输。器件具备卓越的瞬态抑制能力，峰值脉冲电流IPP高达4A，有效抵御双向静电放电冲击，保护敏感电子设备免受ESD损害，是高速接口和紧凑型电路的理想防护选择。

    • 20+

      ￥0.0657 ￥0.0876

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HESDTU5V0A1 编号：C22439801
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此ESD保护二极管设计为双向单通道，工作电压上限为5V，能承受4A瞬时电流冲击，为电路提供可靠静电防护。加之其仅为0.5pF的电容值，确保了信号传输的高速与清晰，是保护精密电子设备、提升系统抗扰度的优选组件。

    • 20+

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