100V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMC

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，在导通时可有效降低功耗；反向漏电流低至20μA，有助于维持系统在待机或轻载状态下的能效。器件支持高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源输出级以及对热性能和效率敏感的电子电路中，表现出良好的动态响应与稳定性。

5+
￥2.11907 ￥2.2306
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￥1.678555 ￥1.7669
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￥1.48979 ￥1.5682
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￥1.25419 ￥1.3202
3000+
￥1.14931 ￥1.2098
6000+
￥1.08642 ￥1.1436

有货

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型号：MBR20100VCT 编号：C20607902

封装：TO-220AB

品牌：OSEN(欧芯)

5+
￥2.1443
50+
￥1.6907
150+
￥1.4963
500+
￥1.2537
2000+
￥1.1457
5000+
￥1.0809

有货

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型号：MBRF20100CT 编号：C5246171

封装：ITO-220AB

品牌：LGE(鲁光)

使用肖特基势垒原理，采用能够高温运行的难熔金属。专有势垒技术允许在高达175℃的结温下可靠运行。

数据手册

5+
￥2.214
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￥1.6952
150+
￥1.4964
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￥1.2485
2500+
￥1.1381
5000+
￥1.0718

有货

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型号：MBR40100CT 编号：C22463599

封装：TO-220AB

品牌：GOODWORK(固得沃克)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

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￥2.223 ￥2.47
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￥1.746 ￥1.94
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￥1.539 ￥1.71
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￥1.287 ￥1.43
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￥1.17 ￥1.3
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￥1.107 ￥1.23

有货

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型号：MBR30L100CT 编号：C7428072

封装：TO-220AB

品牌：NH(纽航)

特性：NH低正向压降肖特基势垒芯片技术。超低正向压降，实现高效率。低功耗，高可靠性。高频开关速度。应用：开关模式电源（SMPS）。快速充电器

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￥2.2246
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￥1.732
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￥1.529
500+
￥1.2756

有货

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型号：MBR20L100CT 编号：C2922155

封装：TO-220AB

品牌：GOODWORK(固得沃克)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

数据手册

1+
￥2.2895 ￥2.41
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￥1.8145 ￥1.91
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￥1.4915 ￥1.57
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￥1.235 ￥1.3
500+
￥1.121 ￥1.18
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￥1.0545 ￥1.11

有货

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型号：RB068L100DDTE25-HXY 编号：C52988620

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式转换及高频电路等场景，具备优良的热稳定性和可靠性。

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￥2.3085 ￥2.43
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￥1.8335 ￥1.93
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￥1.6245 ￥1.71
500+
￥1.368 ￥1.44
2000+
￥1.254 ￥1.32
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￥1.1875 ￥1.25

有货

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型号：NRVBS3100T3G-HXY 编号：C52988709

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为20μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及各类低压高频电路中，提供可靠的单向导通特性。

5+
￥2.3085 ￥2.43
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￥1.8335 ￥1.93
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￥1.6245 ￥1.71
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￥1.368 ￥1.44
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￥1.254 ￥1.32
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￥1.1875 ￥1.25

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型号：S210-HXY 编号：C52988681

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件具备50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力。凭借较低的导通压降和良好的反向特性，适用于高频整流、电源适配器、开关电源中的续流与箝位等电路场合。

1+
￥2.4225 ￥2.55
10+
￥1.919 ￥2.02
30+
￥1.7005 ￥1.79
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￥1.4345 ￥1.51
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￥1.3205 ￥1.39
1000+
￥1.2445 ￥1.31

有货

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型号：MBR30100L 编号：C5158811

封装：ITO-220AB

品牌：JUXING(钜兴)

特性：塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。阻燃环氧模塑料。金属硅结，多数载流子传导。低功耗，高效率。高电流能力。适用于低压、高频逆变器续流和极性保护应用。符合欧盟RoHS标准的无铅产品

数据手册

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￥2.4985 ￥2.63
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￥1.957 ￥2.06
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￥1.7005 ￥1.79
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￥1.406 ￥1.48
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￥1.2825 ￥1.35
1000+
￥1.2065 ￥1.27

有货

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型号：MBR30100CT 编号：C3025170

封装：TO-220

品牌：baocheng(宝乘)

特征和功能：高频、高浪涌电流能力、环保应用：消费电子、开关电源、仪器仪表、转换器等

数据手册

1+
￥2.53
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￥2
50+
￥1.71
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￥1.43
500+
￥1.3
1000+
￥1.23

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型号：NRVBS310FA-HXY 编号：C52754497

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压达100V。其正向压降为0.85V，在导通状态下保持较低的功耗；反向漏电流为100μA，具备良好的反向截止特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的整流、续流及保护电路，常见于开关电源、充电器及各类消费类电子设备中。

1+
￥2.5365 ￥2.67
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￥2.014 ￥2.12
30+
￥1.786 ￥1.88
100+
￥1.501 ￥1.58
500+
￥1.3775 ￥1.45
1000+
￥1.3015 ￥1.37

有货

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型号：MBRF30L100CT 编号：C49023419

封装：TO-220AB

品牌：GOODWORK(固得沃克)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

1+
￥2.6505 ￥2.79
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￥2.0995 ￥2.21
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￥1.8715 ￥1.97
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￥1.577 ￥1.66
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￥1.444 ￥1.52
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￥1.3585 ￥1.43

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型号：SBDB20100TCTB 编号：C5295514

封装：TO-263-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低功耗，高效率。用于瞬态保护的保护环芯片结构。高电流能力和低正向压降

数据手册

1+
￥2.82
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￥2.22
30+
￥1.96

有货

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型号：MBRF40100VCT 编号：C47148315

封装：TO-220F

品牌：OSEN(欧芯)

高品质低压肖特基电流:40A 电压:100V 肖特基二极管

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￥2.91
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￥2.31
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￥2.05
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￥1.73
500+
￥1.58
1000+
￥1.5

有货

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型号：PMEG100T10ELR-QX 编号：C3757570

封装：SOD-123W

品牌：Nexperia(安世)

1+
￥3.27
10+
￥2.67
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￥2.41
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￥2.09
500+
￥1.88
1000+
￥1.79

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型号：FSV8100V 编号：C463036

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低正向压降。低热阻。超薄外形：典型高度1.1mm。沟槽肖特基技术。符合IEC61249标准的绿色模塑料。仅无DAP选项。应用：AC-DC和DC-DC转换器。移动充电器

数据手册

1+
￥3.83
10+
￥3.1
30+
￥2.73
100+
￥2.36
500+
￥2.14
1000+
￥2.03

有货

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型号：STPS5H100B 编号：C2971680

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

100V、5 A功率肖特基整流器

数据手册

1+
￥3.8514 ￥3.93
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￥2.816 ￥3.2
30+
￥2.2152 ￥2.84
75+
￥1.9344 ￥2.48
525+
￥1.7628 ￥2.26
975+
￥1.677 ￥2.15

有货

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型号：SRT60L100FCT 编号：C5351357

封装：TO-220F

品牌：YFW(佑风微)

特性：极低正向电压。高电流能力。高正向浪涌能力。低功率损耗，高效率。过电压保护防护。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

数据手册

1+
￥4.199 ￥4.42
10+
￥3.2205 ￥3.39
50+
￥2.736 ￥2.88
100+
￥2.2515 ￥2.37

有货

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型号：MBR60100E 编号：C52269136

封装：TO-263

品牌：MOT(仁懋)

电压:100V 电流:60A 共阴极肖特基二极管

1+
￥4.3
10+
￥3.5
30+
￥3.1

有货

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型号：HSM5100JE3/TR13-HXY 编号：C53262803

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为5A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为20μA，有助于提升系统效率与稳定性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对开关速度和能效要求较高的电源整流、高频逆变及各类低压大电流应用场景。

1+
￥4.921 ￥5.18
10+
￥4.807 ￥5.06
30+
￥4.7405 ￥4.99
100+
￥4.6645 ￥4.91

有货

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型号：MBR40100PTG 编号：C46538651

封装：TO-247

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

1+
￥4.94
10+
￥3.95
30+
￥3.45

有货

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型号：SRT40U100CT 编号：C3039967

封装：TO-220AB

品牌：YFW(佑风微)

特性：极低的正向电压。高电流能力。高正向浪涌能力。低功率损耗，高效率。过压保护。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品

数据手册

1+
￥4.9875 ￥5.25
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￥4.0375 ￥4.25
50+
￥3.439 ￥3.62
100+
￥2.964 ￥3.12
500+
￥2.6885 ￥2.83
1000+
￥2.546 ￥2.68

有货

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型号：RB088BM100TL-HXY 编号：C52754561

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流IF为10A，最大反向电压VR达100V。其正向压降VF典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关电路中。

1+
￥5.0065 ￥5.27
10+
￥4.0565 ￥4.27
30+
￥3.591 ￥3.78
100+
￥3.1255 ￥3.29
500+
￥2.8405 ￥2.99
1000+
￥2.698 ￥2.84

有货

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型号：PMEG10020AELP-QX 编号：C6357681

封装：SOD-128

品牌：Nexperia(安世)

平面肖特基势垒整流器，集成保护环用于应力保护，封装在SOD128小型扁平引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

1+
￥5.15
10+
￥5.07
30+
￥5.02
100+
￥4.96

有货

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型号：NRVBM2H100T3G 编号：C604283

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

肖特基功率贴片采用肖特基势垒原理，具有势垒金属和外延结构，可实现最佳的正向压降-反向电流权衡。先进的封装技术提供了高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热片设计，功率贴片的热性能与 SMA 相同，而占地面积小 50%。由于其体积小，非常适合用于便携式和电池供电的产品。

数据手册

1+
￥5.4
10+
￥4.4
30+
￥3.9
100+
￥3.4
500+
￥3.11

有货

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型号：RB218T100NZC9-HXY 编号：C53262809

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在保证高效导通的同时降低功耗；反向漏电流（IR）仅为100μA，有助于提升系统能效与稳定性。器件具备优异的浪涌承受能力，最大正向浪涌电流（IFSM）可达175A，适用于对可靠性与效率要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等应用场景。

1+
￥6.7545 ￥7.11
10+
￥5.624 ￥5.92
50+
￥5.0065 ￥5.27
100+
￥4.3035 ￥4.53
500+
￥3.99 ￥4.2
1000+
￥3.8475 ￥4.05

有货

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型号：MBR60100PT 编号：C5764077

封装：TO-247

品牌：YFW(佑风微)

特性：低正向电压。高电流能力。高正向浪涌能力。低功耗，高效率。过电压保护防护。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

1+
￥6.78
10+
￥5.41
30+
￥4.66
90+
￥3.81

有货

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型号：VSMBR20100CT-M3-HXY 编号：C52754648

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具备20A的正向电流能力与100V的反向重复峰值电压。其正向压降为0.85V，在导通状态下有效控制功耗；反向漏电流低至20μA，确保良好的关断特性。器件可承受高达200A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、续流保护及多路输出电源等电路结构，满足对高效率与紧凑布局有要求的应用场景。

1+
￥7.3625 ￥7.75
10+
￥6.137 ￥6.46
50+
￥5.453 ￥5.74
100+
￥4.693 ￥4.94
500+
￥4.351 ￥4.58
1000+
￥4.199 ￥4.42

有货

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型号：VSMBR2090CT-M3-HXY 编号：C52754656

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流为20A，最大反向电压达100V。其正向压降为0.85V，在大电流导通时仍维持较低的功耗；反向漏电流为20μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源以及对效率和热性能要求较高的电力电子应用场合。

1+
￥7.771 ￥8.18
10+
￥6.4695 ￥6.81
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￥5.757 ￥6.06
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￥4.9495 ￥5.21
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￥4.598 ￥4.84
1000+
￥4.4365 ￥4.67

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