30V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

特性：塑料封装具有美国保险商实验室可燃性等级 94V-0。低功耗，高效率。用于低压高频逆变器、续流和极性保护应用。有保护环用于过压保护。保证高温焊接：260℃/10 秒在端子处。应用：低压高频逆变器。续流

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10+
￥0.175168 ￥0.2737
100+
￥0.11772 ￥0.218
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￥0.083688 ￥0.1902
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￥0.074492 ￥0.1693

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型号：LRB521G-30T1G 编号：C383264

封装：SOD-723

特性：超小型模具类型。低正向电压（VF）。高可靠性。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：小功率整流

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20+
￥0.1811
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型号：BAT54ST 编号：C968063

封装：SOT-523(SC-75)

BAT54ST-F2-0000HF

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￥0.1524
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型号：RB522ES-30T15R 编号：C482684

封装：SMD0603

品牌：ROHM(罗姆)

特性：小尺寸硅封装（SMD0603）。高精度制造，尺寸公差±10μm。低正向电压（VF）。应用：一般整流

100+
￥0.1485
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型号：BAT54CWTQ 编号：C699092

封装：SOT-323(SC-70)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级1。低正向电压肖特基整流器。 VR 30V。 IFAV 0.2A

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型号：SD103BWS 编号：C77357

封装：SOD-323

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。可忽略的反向恢复时间。低反向电容

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型号：PMEG3002AEB-HXY 编号：C52754540

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.5V，有助于在导通状态下减少能量损耗；反向漏电流（IR）为30μA，在低功耗条件下保持良好稳定性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、信号解调、电源箝位以及便携式电子设备中的高效能电路设计。

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￥0.195415 ￥0.2057
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￥0.19114 ￥0.2012
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￥0.18829 ￥0.1982
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￥0.18544 ￥0.1952

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型号：BAT54Q 编号：C2942469

封装：SOT-23

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级1。低正向电压肖特基整流器。 VRRM 30V。平均正向电流（IFAV）200mA。后缀为“Q”的型号表示符合AEC-Q101标准

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￥0.1997
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￥0.1581
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型号：RB751G-40T2R-HXY 编号：C52754614

封装：SOD-723

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于减少导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，展现出优异的反向阻断能力。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于低功耗、高效率要求的信号整流、电源箝位及高频开关等电路场合。

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￥0.201685 ￥0.2123
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￥0.19722 ￥0.2076
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￥0.194275 ￥0.2045
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型号：LRB520G-30T1G 编号：C383261

封装：SOD-723

特性：产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过 AEC-Q101 认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。超小型模具类型。低反向电流（IR）。高可靠性

20+
￥0.2028
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￥0.1667
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型号：B0530WS 编号：C968022

封装：SOD-323(SC-90)

B0530WS-F2-0000HF

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型号：MMBD301 编号：C3034814

封装：SOT-23

特性：小型表面贴装类型，高可靠性

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型号：BAT54CQ 编号：C2942468

封装：SOT-23

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级1。低正向电压肖特基整流器。 VRRM 30V。平均正向电流（IFAV）200mA。后缀为“Q”的型号表示符合AEC-Q101标准

20+
￥0.2182
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型号：BAT54SDW-7-F-HYX 编号：C50177005

封装：SOT-363

该肖特基二极管额定平均整流电流（IF）为0.2A，最大反向重复电压（VR）为30V，适用于低电压直流电路中的整流与隔离应用。其正向导通压降为1V，在低电流条件下可有效减少功率损耗，提高电源效率。反向漏电流为2µA，具备较好的反向阻断能力。该器件常用于便携式电子设备、电池供电系统、开关电源、适配器以及各类消费类电子产品中的续流、防反接和保护电路，具有响应速度快、开关特性优良的特点，适合高频工作环境。

10+
￥0.224105 ￥0.2359
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￥0.219165 ￥0.2307
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￥0.21584 ￥0.2272
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￥0.21261 ￥0.2238

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型号：BAT54-02V-G3-08-HXY 编号：C52754535

封装：SOD-523

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为0.2A，最大反向电压VR为30V。其正向压降VF为0.8V，在导通状态下维持适中的功耗水平；反向漏电流IR低至2μA，展现出优异的反向阻断能力。器件可承受0.6A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对低漏电和稳定整流性能有要求的电源管理、信号解调及保护电路等应用场景。

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￥0.22534 ￥0.2372
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￥0.2204 ￥0.232
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￥0.217075 ￥0.2285
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￥0.21375 ￥0.225

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型号：S-LBAT54SLT1G 编号：C5185761

封装：SOT-23

特性：产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场所和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。极快的开关速度。低正向电压：在 IF = 10 mA 时为 0.35 V（典型值）

20+
￥0.2348
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￥0.1945
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￥0.1722
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￥0.1588
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￥0.1471
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型号：RB521S30T5G 编号：C896535

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

这些肖特基势垒二极管专为高速开关应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。

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10+
￥0.2473
100+
￥0.1964
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型号：B5818WS 编号：C699103

封装：SOD-323(SC-90)

特性：VR 20V/30V/40V-IFAV 1A。应用：极快开关

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20+
￥0.2577
200+
￥0.2091
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￥0.1821

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型号：NSVRB521S30T5G-HXY 编号：C52754539

封装：SOD-523

该肖特基二极管为独立式配置，额定平均正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为30μA，在低功耗应用中表现稳定。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于电源整流、高频开关电路、信号钳位及便携式电子设备中的能量管理等场合。

5+
￥0.28633 ￥0.3014
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￥0.28006 ￥0.2948
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￥0.27588 ￥0.2904
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￥0.271605 ￥0.2859

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型号：BAT54TW 编号：C5155462

封装：SOT-363

品牌：Slkor(萨科微)

特性：低正向压降。快速开关。超小型表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。提供无铅版本。应用：高速开关应用

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10+
￥0.2892
100+
￥0.2297
300+
￥0.1999
3000+
￥0.1725
6000+
￥0.1547
9000+
￥0.1457

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型号：BAT54CTA 编号：C460164

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

200mA表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOT23（标准）封装，具有低开启电压和快速开关能力。该二极管设计有PN结保护环，用于瞬态和静电放电（ESD）保护，完全无铅，符合RoHS标准，是“绿色”器件。

10+
￥0.2895
100+
￥0.234
300+
￥0.2063

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型号：BAT54AQ-7-F 编号：C691211

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

200mA表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOT23封装，具有低导通电压和快速开关能力，设计有PN结保护环用于瞬态和ESD保护，完全无铅表面处理且符合RoHS标准，是“绿色”器件。

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10+
￥0.30339 ￥0.3371
100+
￥0.24768 ￥0.2752
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￥0.21987 ￥0.2443
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￥0.19197 ￥0.2133
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￥0.17523 ￥0.1947
9000+
￥0.16686 ￥0.1854

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型号：BAT54BRW 编号：C2919791

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

电流:0.2A 电压:30V

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10+
￥0.3367
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￥0.2666
300+
￥0.2316
3000+
￥0.1863
6000+
￥0.1653
9000+
￥0.1548

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型号：S13Q 编号：C20168778

封装：SOD-123

特性：低外形封装。适合自动贴装。有保护环用于过压保护。低功耗，高效率。高正向浪涌能力。符合J-STD-Q20的MSL 1级，LF最大峰值260℃。应用：低压高频逆变器。续流

10+
￥0.3442
100+
￥0.2766
300+
￥0.2427

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型号：BAT54TW 编号：C77327

封装：SOT-363

特性：低正向压降。快速开关。小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。提供无铅版本

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10+
￥0.3625
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￥0.2905
300+
￥0.2545

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型号：MMBD301LT1G 编号：C18356

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

肖特基二极管主要用于高能效 UHF 和 VHF 检测器应用。它很容易适应许多其它快速开关射频和数字应用。它采用不是非常昂贵的塑料封装，适用于大容量消费品和工业/商用要求。它提供表面贴装封装。

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10+
￥0.3738
100+
￥0.3007
300+
￥0.2641
3000+
￥0.2309
6000+
￥0.2089
9000+
￥0.198

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型号：RB520CS30L,315 编号：C461213

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

平面最大效率通用型（MEGA）肖特基势垒整流器，集成保护环用于应力保护，采用SOD882无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥0.3926
50+
￥0.3828
150+
￥0.3763
500+
￥0.3698

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型号：BAT54AT-7-F 编号：C134403

封装：SC-75(SOT-523)

品牌：DIODES(美台)

1对共阳极肖特基阵列

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10+
￥0.4073
100+
￥0.3284
300+
￥0.2889

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型号：XBS023P11R-G-HXY 编号：C52754548

封装：SOD-523

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为30μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于高频整流、电源管理、信号解调及低电压降要求的电子电路中。

5+
￥0.41078 ￥0.4324
50+
￥0.401755 ￥0.4229
150+
￥0.39577 ￥0.4166
500+
￥0.38969 ￥0.4102

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型号：1N5821 编号：C5295406

封装：DO-27